スカンジウム原子の英語

スカンジウムを含有する窒化アルミニウム薄膜を備えた圧電体薄膜において、スカンジウムの含有率が３５〜４０原子％の範囲であっても、スカンジウムを含有させない場合と比較して圧電応答性が低下しない圧電体薄膜の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a piezoelectric thin film having an aluminum nitride thin film containing scandium, the piezoelectric response of which is not reduced in comparison with the case where the scandium is not contained even when the content rate of the scandium is in a range of 35-40 atom%. - 特許庁

少なくともバリウムとスカンジウムを含む複合酸化物からなる電子放射物質を多孔質金属基体中に含浸させた含浸型陰極において、前記複合酸化物中のスカンジウム原子の含有量が０．０１ｍｏｌ％以上、１ｍｏｌ％以下で、かつ前記多孔質金属基体表面に金属薄膜を有さない含浸型陰極とする。例文帳に追加

In an impregnated type cathode which is formed by impregnating the electron emission material consisting of compound oxide including at least barium and scandium into porous metal bases, the content of scandium atoms in the compound oxide is not less than 0.01 mol%, nor more than 1 mol%, and also the cathode has not a metal thin film on the porous metal base surface. - 特許庁

本発明に係る製造方法におけるスパッタリング工程では、基板温度を５〜４５０℃の範囲で、スカンジウムの含有率が０．５〜５０原子％の範囲となるようにスパッタリングする。例文帳に追加

In the sputtering process of the manufacturing method, sputtering is carried out within a substrate temperature range of 5-450°C, and within a range of 0.5-50 atom% of a scandium content rate. - 特許庁

次の一般式（I） Ｍ^IIIＸ_3 （I） （式中、Ｍ^IIIはスカンジウム、イットリウム、およびランタノイド系金属から選択される中心金属であり、Ｘはハロゲン原子またはトリフルオロメタンスルホン酸を示す）または一般式（II） ＨｆＹ_4 （II） （式中、Ｙはハロゲン原子を示す）で表わされる金属ルイス酸存在下で、不飽和カルボン酸またはその誘導体をモノマーとしてラジカル重合する。例文帳に追加

This method comprises a radical polymerization of an unsaturated carboxylic acid or a derivative thereof as the monomer in the presence of a metal Lewis acid of the general formula (I): MIIIX3 (wherein, MIII is a central metal atom selected from scandium, yttrium and lanthanoid-series metals; and X is a halogen atom or trifluoromethanesulfonic acid group) or the general formula (II): HfY4 (wherein, Y is a halogen atom). - 特許庁

少なくとも１のセリウム／ジルコニウム原子割合のセリウム酸化物及びジルコニウム酸化物並びに適宜にイットリウム、スカンジウム又は希土類金属酸化物を基とし、９００℃、６時間のか焼の後に少なくとも３５ｍ^2／ｇの比表面積及び４００℃において少なくともＯ_2１．５ミリリットル／ｇの酸素貯蔵能力を示す組成物。例文帳に追加

The composition is based on cerium oxide and zirconium oxide of at least one cerium/zirconium atom ratio and properly based on yttrium, scandium or rare earth metal oxide and the composition exhibits a specific surface area of at least 35 m^2/g after calcination at 900°C for 6 h and oxygen storing potential of at least 1.5 ml/g O_2 at 400°C. - 特許庁