チタンぐすりの英語

タングステン系金属としてはタングステン金属、チタンタングステン合金、タングステンシリサイド、窒化タングステン、モリブデンタングステンなどである。例文帳に追加

The tungsten-based metal is tungsten metal, a titanium tungsten alloy, a tungsten silicide, a tungsten nitride, molybdenum tungsten. - 特許庁

酸化チタン薄膜３１は、酸素ガスが添加されたスパッタリングガスにより、酸化チタンターゲットをスパッタリングすると、形成される酸化チタン薄膜中の欠損酸素を補充できるので、光触媒機能を有する酸化チタン薄膜３１を形成することができる。例文帳に追加

When titanium oxide targets are sputtered by a sputtering gas added with an oxygen gas, the titanium oxide thin film 31 can replenish deficit oxygen atoms, and thereby the titanium oxide thin film 31 having a photocatalyst function can be formed. - 特許庁

珪フッ化水素酸、水及びエーテル結合を有するアルコールを含有するエッチング液により、チタン含有層とチタン含有層以外の層を有する積層体中のチタン含有層をエッチングする方法。例文帳に追加

The etching method includes etching the titanium-containing layer in a stacked body having the titanium-containing layer and a layer except the titanium-containing layer, by using the etching solution which includes hydrofluosilicic acid, water and the alcohol having the ether linkage. - 特許庁

層間絶縁膜５２０上およびコンタクトホール５３０底部のシリコン含有表面５１２上にチタン膜を形成するチタン膜形成工程と，このチタン膜をすべて窒化し，単一の窒化チタン膜５５０を形成する窒化工程と，窒化チタン膜上にタングステン膜５６０を形成するタングステン膜形成工程とを有する。例文帳に追加

A film formation method includes a titanium film formation step of forming the titanium film on an interlayer insulation film 520 and a silicon-containing surface 512 on a bottom of a contact hole 530, a nitriding step of nitriding the entire titanium film to form the single titanium nitride film 550, and a tungsten film formation step of forming the tungsten film 560 on the titanium nitride film. - 特許庁

バリア膜及びマスク膜が窒化チタンであり、配線膜がタングステンである。例文帳に追加

The barrier film and the mask film are consisting of the nitride titanium while the wiring film is tungsten. - 特許庁

タングステン合金は、耐酸化性を有するタングステン合金であって、タングステンに当該タングステン合金に対して、１０質量ｐｐｍ以上、１質量％以下のチタンおよび酸化チタンの内の少なくとも１種を含有する。例文帳に追加

The tungsten alloy has superior oxidation resistance and contains at least one of titanium and titanium oxide in an amount of 10 mass ppm to 1 mass% based on the weigh of the tungsten alloy. - 特許庁

その中間層２０は、シリコン，タングステン，炭化チタン，炭化珪素，炭化クロム等によって形成する。例文帳に追加

The intermediate layer 20 is formed of silicon, tungsten, titanium carbide, silicon carbide or chromium carbide, etc. - 特許庁

バインダは、好ましくは酸化チタンを含み、摩擦改質剤は、好ましくは硫化タングステンを含む。例文帳に追加

The binder preferably includes a titanium oxide and the friction modifier preferably includes a tungsten disulfide. - 特許庁