トリメチルシランの英語

また、上記有機シランガス１５の原料には、モノメチルシラン、ジメチルシラン、トリメチルシラン、テトラメチルシランを用いることができる。例文帳に追加

As the material of the organic silane gas 15, monomethylsilane, dimethylsilane, trimethylsilane, and tetramethylsilane can be used. - 特許庁

またＳｉＣＮ膜をハードマスクとして使用する場合も、同様に最初にトリメチルシランガスのプラズマ処理を行う。例文帳に追加

Further, also when the SiCN film is used as the hard mask, similarly plasma treatment of trimethyl silane gas is first carried out. - 特許庁

この方法は、炭化ケイ素層を形成する前に、トリメチルシランと酸素とを含む蒸着室プレコート処理を実施することを含んでいる。例文帳に追加

The method for reducing a photoresist contamination from a silicon carbide film comprises a step of precoating a vapor deposition chamber using trimethylsilane and oxygen before forming a silicon carbide layer. - 特許庁

ここで、トリメチルシランガスの流量を段階的に増加させることにより、ＳｉＯＣ膜２０３の膜密度が次第に低下する。例文帳に追加

By increasing the flow rate of the trimethylsilane gas step by step, the density of the SiOC film 203 declines gradually. - 特許庁

このため、原料ガス中のトリメチルシラン量を増加させることにより、膜密度が減少するのである。例文帳に追加

Because of this, the density of the SiOC film 203 declines as the content of trimethylsilane in the gas is increased. - 特許庁

トリメチルシランガスの流量を段階的に増加させたプラズマＣＶＤ法によりＳｉＯＣ膜２０３を３００ｎｍ成膜する。例文帳に追加

In the semiconductor device, an SiOC film 203 of 300 nm in thickness is formed by a plasma CVD method according to which the flow rate of a trimethylsilane gas is increased step by step. - 特許庁

半導体製造工程等から排出されるゲルマン及びビニルトリメチルシラン、アリルトリメチルシラン等の有機ケイ素化合物を、水素等の雰囲気ガスに影響されることなく高感度で検知でき、しかも使用するまでの期間中、光等により容易に感度が低下しない検知剤を提供する。例文帳に追加

To provide detecting agent capable of detecting germane and organic silicon compounds such as vinyltrimethylsilane, allylalkoxysilane, etc. discharged from a semiconductor manufacturing process, etc. with high sensitivity without being affected by atmospheric gas, such as hydrogen, etc. and preventing easy decrease of sensitivity due to light, etc. till its use. - 特許庁

ＳｉＣＯ膜をハードマスクとして使用する場合に、ＣＦ膜をシリコンの有機化合物例えばトリメチルシランガスを活性化したプラズマ雰囲気に例えば５〜１０秒程度曝し、次いでこのプラズマに窒素プラズマを加えてフッ素添加カーボン膜の上にＳｉＣＮ膜を成膜し、その後例えばトリメチルシランガスと酸素ガスとを活性化したプラズマによりＳｉＣＯ膜を成膜する。例文帳に追加

When the SiCO film is used as the hard mask, a method includes: exposing the CF film for about 5-10 seconds in a plasma atmosphere activated with an organic compound of silicon, for example, trimethyl silane gas; next, adding nitrogen plasma to this plasma and depositing the SiCN film on the fluorine-added carbon film; and thereafter, depositing the SiCO film by the plasma activating trimethyl silane gas and oxygen gas. - 特許庁