「トリメチルシラン」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

半導体製造における成膜原料として有用なトリメチルシランの精製方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for refining trimethylsilanes useful as a film-forming material in the production of semiconductors. - 特許庁

不純物を含むトリメチルシランをｐＨ２からｐＨ４の吸収溶液に接触させることによりトリメチルシラン中の含塩素化合物を吸収除去する。例文帳に追加

Trimethylsilane containing the impurity is brought into contact with an absorbing solution having pH 2-4 to absorb and remove the chlorine-containing compound in trimethylsilane. - 特許庁

また、上記有機シランガス１５の原料には、モノメチルシラン、ジメチルシラン、トリメチルシラン、テトラメチルシランを用いることができる。例文帳に追加

As the material of the organic silane gas 15, monomethylsilane, dimethylsilane, trimethylsilane, and tetramethylsilane can be used. - 特許庁

またＳｉＣＮ膜をハードマスクとして使用する場合も、同様に最初にトリメチルシランガスのプラズマ処理を行う。例文帳に追加

Further, also when the SiCN film is used as the hard mask, similarly plasma treatment of trimethyl silane gas is first carried out. - 特許庁

この方法は、炭化ケイ素層を形成する前に、トリメチルシランと酸素とを含む蒸着室プレコート処理を実施することを含んでいる。例文帳に追加

The method for reducing a photoresist contamination from a silicon carbide film comprises a step of precoating a vapor deposition chamber using trimethylsilane and oxygen before forming a silicon carbide layer. - 特許庁

ここで、トリメチルシランガスの流量を段階的に増加させることにより、ＳｉＯＣ膜２０３の膜密度が次第に低下する。例文帳に追加

By increasing the flow rate of the trimethylsilane gas step by step, the density of the SiOC film 203 declines gradually. - 特許庁

このため、原料ガス中のトリメチルシラン量を増加させることにより、膜密度が減少するのである。例文帳に追加

Because of this, the density of the SiOC film 203 declines as the content of trimethylsilane in the gas is increased. - 特許庁

トリメチルシランガスの流量を段階的に増加させたプラズマＣＶＤ法によりＳｉＯＣ膜２０３を３００ｎｍ成膜する。例文帳に追加

In the semiconductor device, an SiOC film 203 of 300 nm in thickness is formed by a plasma CVD method according to which the flow rate of a trimethylsilane gas is increased step by step. - 特許庁

半導体製造工程等から排出されるゲルマン及びビニルトリメチルシラン、アリルトリメチルシラン等の有機ケイ素化合物を、水素等の雰囲気ガスに影響されることなく高感度で検知でき、しかも使用するまでの期間中、光等により容易に感度が低下しない検知剤を提供する。例文帳に追加

To provide detecting agent capable of detecting germane and organic silicon compounds such as vinyltrimethylsilane, allylalkoxysilane, etc. discharged from a semiconductor manufacturing process, etc. with high sensitivity without being affected by atmospheric gas, such as hydrogen, etc. and preventing easy decrease of sensitivity due to light, etc. till its use. - 特許庁

ＳｉＣＯ膜をハードマスクとして使用する場合に、ＣＦ膜をシリコンの有機化合物例えばトリメチルシランガスを活性化したプラズマ雰囲気に例えば５〜１０秒程度曝し、次いでこのプラズマに窒素プラズマを加えてフッ素添加カーボン膜の上にＳｉＣＮ膜を成膜し、その後例えばトリメチルシランガスと酸素ガスとを活性化したプラズマによりＳｉＣＯ膜を成膜する。例文帳に追加

When the SiCO film is used as the hard mask, a method includes: exposing the CF film for about 5-10 seconds in a plasma atmosphere activated with an organic compound of silicon, for example, trimethyl silane gas; next, adding nitrogen plasma to this plasma and depositing the SiCN film on the fluorine-added carbon film; and thereafter, depositing the SiCO film by the plasma activating trimethyl silane gas and oxygen gas. - 特許庁

トリメチルクロロシラン等のモノハロシラン化合物、メトキシトリメチルシラン等のモノアルコキシシラン化合物、フェノキシトリメチルシラン等のモノアリールオキシシラン化合物又はビス（トリメチルシリル）アミン等のモノアミノシラン化合物からなる群から選ばれる少なくともいずれか１つのケイ素化合物を用いる。例文帳に追加

The method for removing impurities comprises using at least one silicon compound selected from the group consisting of a monohalosilane compound such as trimethylchlorosilane, etc., a monoalkoxysilane compound such as methoxytrimethylsilane, etc., a monoaryloxysilane compound such as phenoxytrimethylsilane, etc., and a monoaminosilane compound such as bis(trimethylsilyl)amine, etc. - 特許庁

ＳＯＧ膜の表面の疎水化は、ＴＭＳＤＭＡ（トリメチルシランジメチルアミン）又はＴＭＨＤ(ＤＰＭ)（テトラメチルヘプタンジオン）を含む疎水化剤を用いて行われる。例文帳に追加

The hydrophobing of the surface of the SOG film is performed by using a hydrophobing agent containing TMSDMA (trimethylsilane dimethylamine) or TMHD(DPM) (tetramethylheptane-dione). - 特許庁

本発明によれば、トリメチルクロロシランとトリアルキルヒドロシラン化合物から、ジメチルシランやテトラメチルシランの副生を伴わないでトリメチルシランとトリアルキルクロロシランを併産することができる。例文帳に追加

The trimethylsilane and the trialkylchlorosilane can simultaneously be produced from the trimethylchlorosilane and the trialkylhydrosilane compound without being accompanied by the formation of dimethylsilane or tetramethylsilane as by-products. - 特許庁

有機シリコン化合物は、好ましくは各シリコン原子に結合された２個または３個の炭素原子を有するもの、例えばトリメチルシラン、（ＣＨ_3）_3ＳｉＨである。例文帳に追加

The organosilicon compound preferably contains two or three carbon atoms bonded to respective silicon atoms, such as a trimethylsilane (CH3)3SiH. - 特許庁

アリルトリメチルシランをアリル化剤として用いたアリル基含有ポリイソブチレン重合体を製造した後に、使用した溶剤の再利用を可能にする方法を提供することである。例文帳に追加

To provide a method for producing an isobutylene-based polymer, by which a used solvent can be recycled, after the production of an allyl group-containing polyisobutylene polymer using allyltrimethylsilane as an allylating agent. - 特許庁

半導体製造における成膜原料として有用なトリメチルシランに含まれる不純物である含塩素化合物を簡便に高収率で除去する精製方法を提供する。例文帳に追加

To provide a refining method for simply removing a chlorine-containing compound which is an impurity contained in trimethylsilane useful as a film-forming raw material in semiconductor production in high yield. - 特許庁

アリル化終了後のカチオン活性が残存する重合体溶液に一般式（１）で表される化合物を添加し、残存するアリルトリメチルシランと反応させ除去することにより、溶媒再利用できるようにする。例文帳に追加

The method for removing the allyltrimethylsilane comprises adding a compound represented by general formula (1) to a cation activity-remained polymer solution after the finish of allylation to react away the left allyltrimethylsilane. Thereby, a solvent can be recycled. - 特許庁

連続して真空を破壊せずに、トリメチルシランからなる有機ケイ素化合物を導入し、プラズマプロセスによりＳｉＣＮ膜１３０を形成し、さらに連続してＳｉＣ膜１３２を堆積する。例文帳に追加

An organic silicon compound comprised of trimethylsilane is introduced without continuously destroying vacuum, a SiCN film 130 is formed by a plasma process and further, a SiC film 132 is continuously deposited. - 特許庁

少なくとも酸化銅（II）および酸化亜鉛を混合固化させた活性炭を用いてトリメチルシラン中のシラン、メチルシラン、ジメチルシランを吸着除去する。例文帳に追加

This method comprises adsorbing and removing silanes, methylsilanes and dimethylsilanes in trimethylsilanes by using an active carbon in which at least copper oxide (II) and zinc oxide are mixed and solidified. - 特許庁

シリル化剤としてはＮ，Ｎ−ジメチルアミノトリメチルシラン（ＤＭＡＴＭＳ）が好ましく、炭化水素系非極性溶剤としては炭素数６〜１２の直鎖状若しくは分岐鎖状の炭化水素系溶剤、又はテルペン系溶剤が好ましい。例文帳に追加

As the silylation agent, N, N-dimethylamino trimethylsilane (DMATMS) is preferable, and as the hydrocarbon-based nonpolar solvent, a hydrocarbon-based solvent in a straight chain shape or a branch chain shape of carbon numbers 6-12 or a terpene solvent is preferable. - 特許庁

取り扱いが容易な反応触媒を用いて、反応溶媒中でα−ケトエステル化合物をトリフルオロメチルトリメチルシランと反応させて、反応溶媒は循環使用可能な形で回収することができることを特徴とする含フッ素乳酸誘導体の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a production method for a fluorine-containing lactic acid derivative, characterized by reacting an α-ketoester compound with trifluoromethyl trimethylsilane in a reaction solvent by using a reaction catalyst easy in handling where the reaction solvent can be recovered in a recyclable form. - 特許庁

４，４−ジメチルオキサゾリジン−２−オンを、トルエンまたはクロロベンゼン中、三級アミン類の存在下にクロロトリメチルシランと反応させた後、２−ブロモプロピオニルハライドと反応させることにより、３−（２−ブロモプロピオニル）−４，４−ジメチルオキサゾリジン−２−オンを製造する。例文帳に追加

This method for producing 3-(2-bromopropionyl)-4,4- dimethyloxazolidin-2-one comprises reacting 4,4-dimethyloxazolidin-2-one with chlorotrimethylsilane in toluene or a chlorobenzene in the presence of a tertiary amine followed by reaction with a 2-bromopropionyl halide. - 特許庁

４−ニトロ−２−イソキサゾール化合物と、（トリフルオロメチル）トリメチルシランとを、好ましくは相間移動触媒および塩基の存在下、溶液中で反応させると共に、必要に応じて反応後に酸処理を行うことにより、５−トリフルオロメチル−４−ニトロ−２−イソキサゾリン化合物を製造する。例文帳に追加

The 5-trifluoromethyl-4-nitro-2-isoxazoline compound is prepared by reacting a 4-nitro-2-isoxazole compound with (trifluoromethyl) trimetylsilane preferably in the presence of a phase transfer catalyst and a base in a solution, and if necessary, by an acid treatment after the reaction. - 特許庁

ノズルプレート６０の導電パターン６２，６４が配置された側とは反対側の面には、原料ガスとしてトリメチルシラン，トリメチルメトキシシラン，フロロアルキルシランのいずれかの有機シリコン化合物を用いて高周波プラズマＣＶＤ法にて形成された撥水膜Ｑが形成されている。例文帳に追加

A water repelling film Q is formed on the surface opposite to the surface having the conductive patterns 62, 64 formed thereto of the nozzle plate 60 by a high frequency plasma CVD method using an organosilicon compd. being either one of trimethylsilane, trimethylmethoxysilane and fluoroalkylsilane as raw material gas. - 特許庁

レチノールもしくはオキシ酸または両化合物がシリル化されることにより、低いｐＨでなくとも油分に溶けて安定するようになり、皮膚に対する刺激が抑制され、しかも水酸基がトリメチルシランなどで置換されて安定化し、酸化し難く経時的に安定した成分として配合されたものになる。例文帳に追加

Thus, owing to the silylation, this oily cosmetic is soluble to oil and becomes stable even at higher pH, suppressing irritancy to the skin, and the oily compound is stabilized by substituting the hydroxy group with trimethylsilane or the like and blended as an ingredient hard to be oxidizable and stable with time. - 特許庁

半導体材料ガスであるオルガノシランの製造において、内部表面をＣｌ成分で汚染された鉄合金製の製造装置、または保存容器の内部表面に、次亜リン酸ナトリウム、亜硫酸ナトリウム、亜硝酸ナトリウム、トリエチルシラン、トリイソプロピルシラン、トリメチルシラン、または水素等の還元性物質を含む表面処理剤を接触させる表面処理方法。例文帳に追加

This method for surface-treating is provided by bringing a surface-treating agent containing a reducing substance such as sodium hypophosphite, sodium sulfite, sodium nitrite, triethylsilane, tri-isopropylsilane, trimethylsilane, hydrogen or the like in contact with the inner surface of the producing device made from an iron alloy or a preservation container having their inner surfaces soiled with the Cl component in the production of the organosilane which is the semiconductor material gas. - 特許庁

半導体ウエハ上のフッ素添加カーボン膜の表面部を、窒素ガスをプラズマ化して得られるプラズマ雰囲気に曝すことにより窒化処理し、次いで半導体ウエハを例えばトリメチルシランガス及び酸素ガスをプラズマ化して得られるプラズマに曝すことによりフッ素添加カーボン膜の上に例えばＳｉＣＯ膜を成膜する。例文帳に追加

The SiCO film for example is formed on a fluorine-added carbon film by subjecting a surface of the fluorine-added carbon film on a semiconductor wafer to a nitriding processing, by exposing the same to a plasma atmosphere obtained by making nitrogen gas plasma and then exposing the semiconductor wafer to plasma obtained by making triethylsilane gas and oxygen gas for example plasma. - 特許庁