ドーパントプロファイルの英語

半導体素子は電位を印加され電位コントラストを持つことから、２次電子像は電位コントラストを持った拡散層のドーパントプロファイルや電流パスを示す像となる。例文帳に追加

Since the potential is so applied to the semiconductor element that it has a potential contrast, its secondary electron images become the images for showing the dopant profile and current path of its diffusing layer having the potential contrast. - 特許庁

電子線ホログラフィーを用いてドーパントプロファイル測定を行う場合は、残留ガリウム層3除去後の薄片2を100〜200kVの電子線が透過する厚さまでガスクラスターイオンビーム1のスパッタで薄くする。例文帳に追加

If the dopant profile measurement is implemented by using an electron beam holography, the thin piece 2 is thinned down by sputtering the gas cluster ion beam 1 after an removal of the residual gallium layer 3 until an electron beam of 100-200 kV passes through it. - 特許庁

上記第１のパラメータおよび上記第２のパラメータは、上記ＰＭＯＳおよびＮＭＯＳトランジスタの上記ゲート電極材料１２０の厚さ、またはドーパントプロファイルを含んでいる。例文帳に追加

The first parameter and the second parameter may include the thickness or the dopant profile of the gate electrode materials 120 of the PMOS and NMOS transistors. - 特許庁

ＡｌＧａＩｎＰ発光層部の両主表面側に電流拡散層が形成されているにもかかわらず、電流拡散層を効率よく形成でき、また、電流拡散層を発光層部のドーパントプロファイルの熱拡散による劣化も抑制できる発光素子を提供する。例文帳に追加

To provide a light-emitting element in which current diffusing layers can be formed efficiently despite the layers being formed on both main surface sides of an AlGaInP light-emitting layer section, and which can suppress the deterioration of the current diffusing layers caused by the thermal diffusion of the dopant profile of the light-emitting layer. - 特許庁

特別な配線等をすることなく、半導体デバイスにおける論理回路内部のトランジスタやメモリセルやキャパシタやｐｎ接合等の素子についてのドーパントプロファイルの評価を可能にした半導体デバイスの評価装置およびその方法を提供することにある。例文帳に追加

To provide an apparatus and a method for evaluating a semiconductor device that are capable of evaluating dopant profile in a transistor built in a logic circuit, a memory cell, a capacitor, a p-n junction, or the like of a semiconductor device without any special wiring or the like. - 特許庁

ＡｌＧａＩｎＰ発光層部の両主表面側に電流拡散層として機能する透明半導体を効率よく形成でき、また、発光層部のドーパントプロファイルの熱拡散による劣化も抑制でき、さらに、素子の直列抵抗ひいては順方向電流のばらつきも生じにくい発光素子を提供する。例文帳に追加

To provide a light-emitting element, in which transparent semiconductors functioning as current diffusing layers can be formed efficiently on both main surface sides of an AlGaInP light-emitting layer section and the variation of the serial resistance, in which the forward current of the element hardly occurs, and which can suppress the deterioration of the light-emitting layer section caused by the thermal diffusion of a dopant profile. - 特許庁

１つ以上の所定のドーパント濃度及び注入エネルギーで、注入イオンと同じ導電型を有する導電性炭化珪素ウェーハの第一表面中に第一導電型のドーパント原子を注入して、ドーパントプロファイルを形成する工程、その注入されたウェーハをアニールする工程、及びそのウェーハの注入第一表面上にエピタキシャル層を成長させる工程を含む。例文帳に追加

The method includes steps of: implanting dopant atoms of a first conductivity type into a first surface of a conductive silicon carbide wafer having the same conductivity type as implanting ions at one or more predetermined dopant concentrations and implant energies to form a dopant profile; annealing the implanted wafer; and growing an epitaxial layer on the implanted first surface of the wafer. - 特許庁