ヘリウム3の英語

ヘリウムガス回収機構は、光ファイバ３を中心に複数のガス吸引口８ａを有し、また、ヘリウムガス緩衝壁部９、不活性ガス供給部１０を有している。例文帳に追加

The helium gas recovery mechanism has a plurality of gas suction ports 8a around the optical fiber 3 and further has a helium gas buffering wall part 9 and an inert gas supply part 10. - 特許庁

高価で取り扱いが難しい人工元素のヘリウム３を用いずに、ヘリウム４で１Ｋ以下の低温を生成する極低温生成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a cryogenic temperature generation method for generating a cryogenic temperature of 1 K or lower by using helium 4 without using helium 3 which is artificial element expensive and hardly handled. - 特許庁

保護抵抗体５は、メインコイル２とシールドコイル３との間に配置され、ヘリウム容器４に収容された液体ヘリウム１１で浸漬冷却される。例文帳に追加

The protection resistor 5 is disposed between the main coil 2 and a shield coil 3, and is immersion-cooled with liquid helium 11 stored in a helium container 4. - 特許庁

Ａ室１は、ウエハＷ_1 を露光するための露光装置を内蔵し、高価なヘリウムの減圧雰囲気によって満たされており、ウエハＷ_1 をＡ室１に搬入するためにゲートバルブ１ａを開くときは、第１の排気ライン４によってロードロック室３を真空排気したうえで、ヘリウム源７ａからロードロック室３にヘリウムを導入する。例文帳に追加

An A room 1 has an aligner for exposing a wafer W1 inside and is filled with a pressure-reduced atmosphere of expensive helium and when a gate valve 1a is opened in order to carry the wafer W1 in the A room 1, helium is introduced into a load lock room 3 from a helium source 7a after the load lock room 3 is evacuated through a 1st discharge line 4. - 特許庁

このため、第１の槽２からの液体ヘリウム３を飽和冷却する冷却器１３を第２の槽４と熱接触させ、かつ冷却器１３に接する熱交換器２０にヘリウム取り出し管１８を巻きつけて冷却し、超流動状態の液体ヘリウムをフィルター２１を介して第２の槽４に貯留する。例文帳に追加

Therefore, a cooler 13 for saturating and cooling the liquid helium 3 from a first tube 2 is brought into heat contact with a second tub 4, and a helium takeoff tube 18 is wound on a heat exchanger 20 coming into contact with the cooler 13 for cooling, so that the liquid helium of a superfluid state is stored in the second tub 4 through the filter 21. - 特許庁

（３）不活性ガス（アルゴン、窒素、ヘリウムまた、酸化を抑制するため、不活性ガス中に水素を混合させた気体）中で接着剤を塗布する。例文帳に追加

(3) An adhesive is applied on the surface in the inert gas (argon, nitrogen, helium, or a gas obtained by mixing hydrogen in the inert gas for suppressing oxidization). - 特許庁

その後、ヘリウムガス６を止め、リフトピン５を下げ、再びステージ３の上に半導体装置基板１を載置する。例文帳に追加

The helium gas 6 is stopped, the lift pin 5 is lowered and the semiconductor device substrate 1 is placed on the stage 3 again. - 特許庁

これによって、電極パターン２の凹凸に沿って溶射膜３が形成され、その凹部がヘリウムガス通路４となる。例文帳に追加

As a result, a spraying film 3 is formed on the convexoconcave of the electrode pattern 2 and recesses become a helium gas passage 4. - 特許庁