選択侵食の英語

耐侵食性層１６を、選択エッチング可能層上に形成する。例文帳に追加

An etching resistance layer 16 is formed on the selective etching possible layer. - 特許庁

深いトレンチを、耐侵食性層および選択エッチング可能層を経て半導体基板に、ＲＩＥによって形成する。例文帳に追加

The deep trench is formed by means of a RIE in the semiconductor substrate through the etching resistance layer and the selective etching possible layer. - 特許庁

コーティング（２６）は、燃料棒（１６）においてデブリが燃料棒（１６）を侵食しやすい選択された領域に当てがわれることができる。例文帳に追加

The coating 26 may be applied to a selected area of the fuel rod 16, where a debris erodes easily the fuel rod 16, in the fuel rod 16. - 特許庁

シリコン基板１２の上に、シリコン基板１２を侵食せずに選択的なエッチングが可能である第１材料１４を設け、シリコン基板１２または第１材料１４を侵食せずに選択的なエッチングが可能である第２材料１６を蒸着する。例文帳に追加

A first material 14 that achieves selective etching without eroding a silicon substrate 12 is provided on the silicon substrate 12 and a second material 16 that achieves selective etching without eroding the silicon substrate 12 or the first material 14 is deposited. - 特許庁

既存皮膜２２を強化するには、物品１０用に設計された装置内での実用稼働を経た同種の物品１０で確認された酸化／腐食侵食作用パターン１６，１８に基づいて１以上の離散表面領域２８，２９を選択し、その後強化用金属３０を選択領域２８，２９に付加する。例文帳に追加

To reinforce the existing film 22, one or more discrete surface areas are selected based on oxidation/corrosion effect patterns 16, 18 confirmed by similar articles 10 through the practical operation in the device designed for the articles 10, and the metal 30 for reinforcement is added to the selected areas. - 特許庁

銅を侵食（アタック）することなく、無電解めっきなどの触媒核として利用されたパラジウムのみを選択的に除去することができ、且つ使用安定性に優れたパラジウム除去液を提供する。例文帳に追加

To provide a palladium removing liquid capable of selectively removing only palladium used for catalyst core in the electroless plating without erosion (attacking) of copper, and having excellent use consistency. - 特許庁

主成分としてルテニウムを有し、かつ副成分としてロジウム、イリジウム、白金、パラジウム及びレニウムのグループから選択される少なくとも１種の金属を有する、特に火花侵食耐性の電極材料として使用するための金属合金例文帳に追加

This metallic alloy for use, particularly, as a spark erosion resistant electrode material has a composition containing ruthenium as the main component and also containing at least one kind of metal selected from the group consisting of rhodium, iridium, platinum, palladium and rhenium as assistant components. - 特許庁