銅64の英語

誘電体基板に積層するための銅箔６０であって、前記銅箔６０の表面に付着された層６４を含み、前記層６４が、クロム及び亜鉛のイオン又は酸化物から形成され、少なくとも０．５％のシランを含有する水溶液を用いて処理される、上記銅箔６０。例文帳に追加

The layer (64) is formed from chromium and zinc ions or oxides and is treated with an aqueous solution containing at least 0.5% silane. - 特許庁

処理ガスによるウエハＷの処理時には、下部配線６２はストッパー膜６３および保護膜６４によりオゾンと水蒸気の分子からダメージを受けることなく保護され、これによって銅の酸化が確実に防止される。例文帳に追加

During the treatment of the wafer with the treatment gas, the lower line 62 is not damaged but protected from the molecules of ozone and water vapor by the stopper film 63 and the protective film 64, and oxidation of copper is definitely prevented. - 特許庁

ニッケル膜５４は、銅膜５３の全面上に形成され、表面保護膜としての絶縁膜６１の開口部６２から露出するニッケル膜５４上に、金膜６３およびバンプ電極６４が形成されている。例文帳に追加

The nickel film 54 is formed on the entire surface of the copper film 53, and a gold film 63 and a bump electrode 64 are formed on the nickel film 54 exposed from an opening 62 of an insulating film 61 as a surface protecting film. - 特許庁

送受信アンテナ６４は、たとえば銅からなる金属膜をコイル状に形成したループアンテナであり、そのループ外に両端が引き出されてＩＣチップ６３に接続されている。例文帳に追加

The transmitting/receiving antenna 64 is a loop antenna forming a metal film composed of for example copper into coil and both the terminals are drawn outside this loop and connected to the IC chip 63. - 特許庁

シリコン層或いはシリコンを含むシリコン含有層６４と銅層６８，７０との間に介在されてシリコンの吸い上げを防止するためのバリヤメタル層において、前記バリヤメタル層としてＴｉＳｉＮ膜６６を用いる。例文帳に追加

In this barrier metal layer interposed between a silicon layer or a silicon, containing layer 64 containing silicon and copper layers 68 and 70 for preventing the suction of the silicon, a TiSiN film 66 is used as the barrier metal layer. - 特許庁

この潜熱回収時にドレンが発生するが、補助熱交換器６４は、ステンレス製であり、また、副熱交換器６６は、銅材にエポキシ樹脂コーティングしたものであるため、腐食のおそれはない。例文帳に追加

A drain is generated in this latent heat recovery, but there is no danger of corrosion because the auxiliary heat exchanger 64 is made of stainless, and the sub-heat exchanger 66 is formed of a copper material coated with epoxy resin. - 特許庁

第１領域６６Ｒにおけるエッチング速度が、第２領域６６Ｌにおけるエッチング速度よりも小さくなるため、左右非対称の凹部６２が、銅めっき層６４に形成される。例文帳に追加

Since etching speed in the first region 66R becomes smaller than etching speed in the second region 66L, a recessed part 62 of left-right asymmetry is formed in a copper plated layer 64. - 特許庁

問題なのは、電気性能要求基準を満足させるために表面粗度を下げると、銅箔と誘電体基板との接着力（剥離強度）が弱くなることである。例文帳に追加

A copper foil (60) for lamination to a dielectric substrate includes a layer (64) deposited on a surface of the copper foil (60). - 特許庁