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G-interfaceとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 Gインタフェース
「G-interface」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 22件
The G-signal charge storage part photoelectrically converts the green (G) light in its interface to store the G-signal charge.例文帳に追加
Ｇ信号電荷蓄積部は、その界面で緑色（Ｇ）光を光電変換してＧ信号電荷を蓄積する。 - 特許庁
An OSD interface block receives R, G, B OSD signals and outputs R, G, B OSD signals which are adjusted according to R, G, B control signals.例文帳に追加
ＯＳＤインタフェースブロックは、Ｒ、Ｇ、Ｂ ＯＳＤ信号を受信し、Ｒ、Ｇ、Ｂ制御信号に応じて調節されたＲ、Ｇ、Ｂ ＯＳＤ信号を出力する。 - 特許庁
A scanner is connected through a scanner controller 4302 and a G bus (graphic bus)/B bus (I/O bus) interface(GBI) 4301A to a G bus and B bus.例文帳に追加
スキャナは、Ｇバス及びＢバスに、スキャナコントローラ４３０２とＧバス／Ｂバスインターフェース（ＧＢＩ）４３０１Ａとを介して接続されている。 - 特許庁
For above processing, the G-G abnormality detection support device 30 includes a main control part 32, a communication interface part 34, a display output part 36, an aspect data storage part 38, an instruction acquisition part 40, and a simulation control part 42.例文帳に追加
上記処理の為に、Ｇ−Ｇ異常検出支援装置３０は、主制御部３２と、通信インタフェイス部３４と、表示出力部３６と、現示データ記憶部３８と、指示取得部４０と、シミュレート制御部４２とを備える。 - 特許庁
To form crystal in defect-free area in good yield by changing pulling velocity V and temperature gradient G of a single crystal grown by the Czochralski process according to dopant concentration and keeping V/G value in crystal interface within a prescribed range in the radial direction of the crystal.例文帳に追加
ＣＺ法によるシリコン単結晶の育成において、結晶中のドーパント濃度が変化した場合でも、無欠陥領域の結晶を、歩留良く製造する方法を提供する。 - 特許庁
On the occurrence of a fault of an interface panel (i), a device control circuit 11 recognizes fault information, a band control circuit 12 selects the interface panel (N+1) and throws an optical switch 17 to a transmission line equivalent to the interface panel G).例文帳に追加
インタフェース盤（ｉ）が故障した場合に故障情報を装置制御回路１１が認識し、帯域制御回路１２でインタフェース盤（Ｎ＋１）に切り替えると共に、光スイッチ１７をインタフェース盤（ｉ）に相当する伝送路に切り替える。 - 特許庁
That is, since the pn junction interface of a p-type semiconductor crystal layer 103 and the first non p-type layer 104 is raised higher than the other part under a gate electrode G, the thickness of the first non p-type layer 104 is thinner than the other part under the gate electrode G.例文帳に追加
即ち、ｐ型半導体結晶層１０３と第１非ｐ型層１０４とのｐｎ接合界面がゲート電極Ｇの下において他の部位よりも高く盛り上がっているために、第１非ｐ型層１０４の膜厚はゲート電極Ｇの下では他の部位よりも薄くなっている。 - 特許庁
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「G-interface」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 22件
To provide a magnetic recording medium wherein noise generated by a head media interface is improved and ≥3 G bite/inch^2 recording density can be attained.例文帳に追加
ヘッドメディアインターフェースに関わり発生するノイズを改善し、３ギガバイト／インチ^２以上の記録密度を達成できる磁気記録媒体を提供すること。 - 特許庁
This method for evaluating the ink-jet recording ink comprises evaluating the extrusion reliability of the ink-jet recording ink with the interface rigidity (G') of the ink-jet recording ink comprising at least a colorant, a water- soluble organic solvent and water.例文帳に追加
着色剤と、水溶性有機溶媒と、水とを少なくとも含有するインクジェット記録用インクの界面剛性率（Ｇ’）によって、インクジェット記録用インクの吐出信頼性を評価する。 - 特許庁
An interface 76 is formed after a high-quality a-Si layer 78 is deposited at a low rate of deposition on the g-SiN_x film 74, and then an average quality a-Si layer 80 is deposited, which completes the arrangement of the a-Si layers.例文帳に追加
低い堆積速度で高品質のａ−Ｓｉ層７８をｇ−ＳｉＮ_X層７４の上に堆積して界面７６を形成し、次に、高い堆積速度で平均的な品質のａ−Ｓｉ層８０を堆積してａ−Ｓｉ層を完成させる。 - 特許庁
The method for producing the ink-jet recording ink comprises producing the ink-jet recording ink so that the time rate (dG'/dt) of the interface rigidity (G') of the ink-jet recording ink satisfies a range of 0 to 5 μN/m-s.例文帳に追加
また、インクジェット記録用インクの界面剛性率（Ｇ’）の時間変化率（ｄＧ’／ｄｔ）を０〜５μＮ／ｍ・ｓの範囲を満たすようする。 - 特許庁
The method for producing the ink-jet recording ink comprises producing the ink-jet recording ink so that the temperature rate [(dG'/dt)/dTemp] of [the time rate (dG'/dt) of the interface rigidity (G')] of the ink-jet recording ink satisfies a range of 0 to 1 μN/m-s-°C.例文帳に追加
さらに、インクジェット記録用インクの“界面剛性率（Ｇ’）の時間変化率（ｄＧ’／ｄｔ）”の温度変化率（（ｄＧ’／ｄｔ）／ｄＴｅｍｐ）が０〜１μＮ／ｍ・ｓ・℃の範囲を満たすようにする。 - 特許庁
At this point, an a-Si layer of high quality is deposited on a g-SiNx layer at a low deposition rate to form an interface 56, and an a-Si layer of average quality is deposited thereon at a high deposition rate to have the formation of an a-Si layer 58 completed.例文帳に追加
その際は先ず低堆積速度で高品質のａ−Ｓｉ層をｇ−ＳｉＮ_X層上に堆積して界面５６を形成後、高堆積速度で平均的品質のａ−Ｓｉ層を堆積してａ−Ｓｉ層５８を完成させる。 - 特許庁
Metals 90a-90e having standard formation free energy of an oxide of 170 kcal/g*molO_2 or less at 1,000°C are dispersed in the vicinity of a joint interface 80 between the electrode base material 40 and the noble metal tip 60.例文帳に追加
電極母材４０と貴金属チップ６０との接合界面８０近傍に、１０００℃における酸化物の標準生成自由エネルギーが−１７０ｋｃａｌ／ｇ・ｍｏｌＯ_2以下の金属９０ａ〜９０ｅを分散させる。 - 特許庁
A pulling-up velocity V of the crystal S and/or a temperature gradient G on the crystal S side in crystal axial direction on solid-liquid interface is changed according to the change of dopant concentration and V/G value is kept within a prescribed range.例文帳に追加
結晶の引上速度をＶ、固液界面における結晶軸方向の結晶側の温度勾配をＧとした時に、無欠陥領域を結晶の半径方向の全てにわたって形成するために、固液界面におけるＶ／Ｇ値を結晶の半径方向で所定の範囲に入れつつシリコン単結晶を育成する方法において、ドーパント濃度に依存して、引上速度Ｖ、および／または温度勾配Ｇを変更する。 - 特許庁
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