「G-interface」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The method for producing the ink-jet recording ink comprises producing the ink-jet recording ink so that the time rate (dG'/dt) of the interface rigidity (G') of the ink-jet recording ink satisfies a range of 0 to 5 μN/m-s.例文帳に追加

また、インクジェット記録用インクの界面剛性率（Ｇ’）の時間変化率（ｄＧ’／ｄｔ）を０〜５μＮ／ｍ・ｓの範囲を満たすようする。 - 特許庁

To provide a magnetic recording medium wherein noise generated by a head media interface is improved and ≥3 G bite/inch^2 recording density can be attained.例文帳に追加

ヘッドメディアインターフェースに関わり発生するノイズを改善し、３ギガバイト／インチ^２以上の記録密度を達成できる磁気記録媒体を提供すること。 - 特許庁

For above processing, the G-G abnormality detection support device 30 includes a main control part 32, a communication interface part 34, a display output part 36, an aspect data storage part 38, an instruction acquisition part 40, and a simulation control part 42.例文帳に追加

上記処理の為に、Ｇ−Ｇ異常検出支援装置３０は、主制御部３２と、通信インタフェイス部３４と、表示出力部３６と、現示データ記憶部３８と、指示取得部４０と、シミュレート制御部４２とを備える。 - 特許庁

In addition, a water vapor permeation resistant layer 6, having a coefficient of moisture permeability of 250 g/m2.h or smaller is formed at the interface between the front and rear surfaces of the metal foil 4 and the insulation layer 3.例文帳に追加

そして、上記金属箔４の表裏両面と絶縁層３との界面に、透湿率が２５０ｇ／ｍ^2 ・ｈ以下の耐透湿層６が形成されている。 - 特許庁

That is, since the pn junction interface of a p-type semiconductor crystal layer 103 and the first non p-type layer 104 is raised higher than the other part under a gate electrode G, the thickness of the first non p-type layer 104 is thinner than the other part under the gate electrode G.例文帳に追加

即ち、ｐ型半導体結晶層１０３と第１非ｐ型層１０４とのｐｎ接合界面がゲート電極Ｇの下において他の部位よりも高く盛り上がっているために、第１非ｐ型層１０４の膜厚はゲート電極Ｇの下では他の部位よりも薄くなっている。 - 特許庁

This method for evaluating the ink-jet recording ink comprises evaluating the extrusion reliability of the ink-jet recording ink with the interface rigidity (G') of the ink-jet recording ink comprising at least a colorant, a water- soluble organic solvent and water.例文帳に追加

着色剤と、水溶性有機溶媒と、水とを少なくとも含有するインクジェット記録用インクの界面剛性率（Ｇ’）によって、インクジェット記録用インクの吐出信頼性を評価する。 - 特許庁

The method for producing the ink-jet recording ink comprises producing the ink-jet recording ink so that the temperature rate [(dG'/dt)/dTemp] of [the time rate (dG'/dt) of the interface rigidity (G')] of the ink-jet recording ink satisfies a range of 0 to 1 μN/m-s-°C.例文帳に追加

さらに、インクジェット記録用インクの“界面剛性率（Ｇ’）の時間変化率（ｄＧ’／ｄｔ）”の温度変化率（（ｄＧ’／ｄｔ）／ｄＴｅｍｐ）が０〜１μＮ／ｍ・ｓ・℃の範囲を満たすようにする。 - 特許庁

Metals 90a-90e having standard formation free energy of an oxide of 170 kcal/g*molO_2 or less at 1,000°C are dispersed in the vicinity of a joint interface 80 between the electrode base material 40 and the noble metal tip 60.例文帳に追加

電極母材４０と貴金属チップ６０との接合界面８０近傍に、１０００℃における酸化物の標準生成自由エネルギーが−１７０ｋｃａｌ／ｇ・ｍｏｌＯ_2以下の金属９０ａ〜９０ｅを分散させる。 - 特許庁

An interface 76 is formed after a high-quality a-Si layer 78 is deposited at a low rate of deposition on the g-SiN_x film 74, and then an average quality a-Si layer 80 is deposited, which completes the arrangement of the a-Si layers.例文帳に追加

低い堆積速度で高品質のａ−Ｓｉ層７８をｇ−ＳｉＮ_X層７４の上に堆積して界面７６を形成し、次に、高い堆積速度で平均的な品質のａ−Ｓｉ層８０を堆積してａ−Ｓｉ層を完成させる。 - 特許庁

At this point, an a-Si layer of high quality is deposited on a g-SiNx layer at a low deposition rate to form an interface 56, and an a-Si layer of average quality is deposited thereon at a high deposition rate to have the formation of an a-Si layer 58 completed.例文帳に追加

その際は先ず低堆積速度で高品質のａ−Ｓｉ層をｇ−ＳｉＮ_X層上に堆積して界面５６を形成後、高堆積速度で平均的品質のａ−Ｓｉ層を堆積してａ−Ｓｉ層５８を完成させる。 - 特許庁

The plastic-cladding optical fiber 1 has a cladding layer 3 which is formed by curing curable resin composition on the outer periphery of a core layer 2 composed of quartz glass, wherein the adhesion strength of the interface between the core layer and the cladding layer is 1.5-4.0 g/mm.例文帳に追加

石英ガラスからなるコア層２の外周に、硬化性樹脂組成物を硬化することにより形成されたクラッド層３を設けたプラスチッククラッド光ファイバ１であって、該コア層と該クラッド層との界面の密着力が１．５ｇ／ｍｍ〜４．０ｇ／ｍｍである。 - 特許庁

A pulling-up velocity V of the crystal S and/or a temperature gradient G on the crystal S side in crystal axial direction on solid-liquid interface is changed according to the change of dopant concentration and V/G value is kept within a prescribed range.例文帳に追加

結晶の引上速度をＶ、固液界面における結晶軸方向の結晶側の温度勾配をＧとした時に、無欠陥領域を結晶の半径方向の全てにわたって形成するために、固液界面におけるＶ／Ｇ値を結晶の半径方向で所定の範囲に入れつつシリコン単結晶を育成する方法において、ドーパント濃度に依存して、引上速度Ｖ、および／または温度勾配Ｇを変更する。 - 特許庁

The gate electrode G forming a two-dimensional electron-gas layer 5 just under a hetero-junction interface between both layers of the electron transit layer 3 and the electron supply layer 4 is used as one having an Ni/Au structure containing an Ni layer 21 on the electron supply layer 4 side and an Au layer 22 laminated on the Ni layer 21.例文帳に追加

電子走行層３と電子供給層４両層のヘテロ接合界面の直下に２次元電子ガス層５が形成されるゲート電極Ｇは、電子供給層４側のNi層２１と該Ni層２１上に積層されたAu層２２とを含むNi/Au構造のゲート電極である。 - 特許庁

Each of interface nodes (A, C, D, F, G) includes functions (66, 73, 78) of converting at least part of line or path information included in a message requiring received path information into path information which conforms to an operating rule different therefrom as necessary on the basis of a path information conversion table.例文帳に追加

境界ノード（Ａ，Ｃ，Ｄ，Ｆ，Ｇ）は、受信した経路情報を要求するメッセージに含まれる経路情報の少なくとも一部について、経路情報変換テーブルを用いて必要に応じて異なる運用ルールに従う経路情報へ変換する機能（６６，７３，７８）を備える。 - 特許庁

Further, after mold opening is started, mold opening is once stopped at the point of time when a fine gap G is provided between the lower mold 7 and the upper mold 8 and air is continuously ejected to the interface of the mold 6 with the bead filler 1b in this state to peal the bead filler 1b from the mold 6.例文帳に追加

また、型開きを開始した後、下型７と上型８との間に微小隙間Ｇが設けられた時点で型開きを一旦停止し、その状態にて成形型６とビードフィラー１ｂとの界面に気体を噴出し続けて、そのビードフィラー１ｂを成形型６から剥離する。 - 特許庁

This injection material capable of producing a molded product including a reflector 1 and others comprises an acrylic-based resin of 1-9 g/10 min. for melt flow rate and a silicone rubber particle containing a surfactant which develops peeling at an interface with the acrylic-based resin during injection molding.例文帳に追加

反射板１等の成形品を得ることができる射出用組成物は、メルトフローレイトが１〜９ｇ／１０ｍｉｎ．であるアクリル系樹脂と、射出成形の際に上記アクリル系樹脂との界面で剥離を生じさせる界面活性剤を含有したシリコーンゴムの粒子とからなる。 - 特許庁

The glass melting furnace 10 comprises a glass melting vessel used for melting multi-component inorganic oxide glass G and made from a platinum group element and has a structure that buffering refractory 22 is arranged along an inner wall material 21 in the vessel on a place which is in contact at least with a gas-liquid interface of molten glass.例文帳に追加

本発明のガラス熔融炉１０は、多成分系無機酸化物ガラスＧの熔融に供する白金族元素で作製されたガラス熔融容器よりなるガラス熔融炉１０であって、少なくとも熔融ガラスの気液界面に接する箇所に該容器内の内壁材２１に沿って緩衝耐火材２２を配設した構造であることを特徴とする。 - 特許庁

After the temperature gradient G in the axis direction in the vicinity of the solid-liquid interface 24 in a single crystal ingot 15 to be pulled from a melt 12 melted by a heater 18 in a chamber 11 is estimated by using a computer utilizing a comprehensive heat transfer analyzing program and a melt convection analyzing program, the pulling speed of the single crystal ingot is determined by simulation.例文帳に追加

チャンバ１１内のヒータ１８により融解された融液１２から引上げられる単結晶インゴット１５内の固液界面２４近傍の軸方向温度勾配Ｇを、総合伝熱解析プログラム及び融液対流解析プログラムを用いてコンピュータにより予測した後に、単結晶インゴットの引上げ速度をシミュレーションにより決定する。 - 特許庁

A device at the downstream side endpoint of the multicast flow of the LAG link directly or indirectly detects an interruption of a multicast flow of a specific (S, G), and switches paths of the flow by directly or indirectly changing a multicast receiving interface on a multicast routing table about the multicast flow and a value of a multicast upstream neighbor address when the flow interruption is detected.例文帳に追加

ＬＡＧリンクのマルチキャストフロー下流側端点の装置において、特定の（Ｓ，Ｇ）のマルチキャストフローの断を直接的または間接的に検出し、同フロー断検出を契機として当該マルチキャストフローに関するマルチキャストルーティングテーブル上のマルチキャスト受信インタフェースとマルチキャスト上流ネイバーアドレスの値を直接的または間接的に変更することにより、当該フローの経路切替を動作させる。 - 特許庁