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Group 17 Elementとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 halogenやハロゲンの同義語(異表記)
「Group 17 Element」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 38件
Here, the negative electrode active material 17 includes the group 6 element oxide.例文帳に追加
ここでは、負極活物質１７は６族元素酸化物を含んでいる。 - 特許庁
The active layer 17 includes an epitaxial semiconductor layer 19 comprising a group III nitride semiconductor containing indium as a group III element.例文帳に追加
活性層１７の半導体エピタキシャル層１９は、III族構成元素としてインジウムを含むIII族窒化物半導体からなる。 - 特許庁
Therefore, the image projection optical system 10 does not become large even when having the constitution wherein the image forming element 16 and projection lens group 17 are put closer to make the projection lens group 17 small in size and the image forming element 16 is shifted from the optical axis of the projection lens group 17 not to block the optical path by the projection lens group 17.例文帳に追加
従って、投射レンズ群１７の小型化のために画像形成素子１６と投射レンズ群１７とを近づけると共に、光路が投射レンズ群１７に遮られないように画像形成素子１６を投射レンズ群１７の光軸からシフトさせた構成であっても、画像投射光学系１０が大きくならない。 - 特許庁
The specifications and the number of the light sources 16 to constitute each light source element groups are determined so that the voltage drop VF1 of the light source element group 17 may be larger than the largest voltage drop out of the voltage drop VF2 of the light source element group 27 and the voltage drop VF3 of the light source element group 37.例文帳に追加
光源素子群１７の電圧降下ＶＦ１が、光源素子群２７の電圧降下ＶＦ２および光源素子群３７の電圧降下ＶＦ３のうちの最大の電圧降下より大きくなるように、各光源素子群を構成する光源素子１６の仕様および数が決定される。 - 特許庁
A group III nitride semiconductor element 11 comprises a substrate 13, an n-type group III nitride semiconductor region 15, a light-emitting layer 17, and a p-type group III nitride semiconductor region 19.例文帳に追加
III族窒化物半導体素子１１は、基板１３、ｎ型III族窒化物半導体領域１５、発光層１７、及びｐ型III族窒化物半導体領域１９を備える。 - 特許庁
(D) shows a 3-tuple candidate obtained when selecting an entry word candidate "travel expense" of logical element group G1 and an entry word candidate "fiscal Heisei 17" of logical element group G2.例文帳に追加
（Ｄ）は、論理要素グループＧ１の見出し単語候補“旅費”と、論理要素グループＧ２の見出し単語候補“１７年度”とを選択した場合の三つ組候補である。 - 特許庁
A semiconductor laminated layer 19 of a group III nitride semiconductor laser element 11 is manufactured not on a c-plane of a substrate 17, but on a semi-polar plane 17a thereof.例文帳に追加
III族窒化物半導体レーザ素子１１の半導体積層１９は、基板１７のｃ面ではなく半極性面１７ａ上に作製される。 - 特許庁
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「Group 17 Element」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 38件
After the gate insulating film 17 is formed, thermal treatment is performed in an atmosphere containing a group V element.例文帳に追加
本発明では、ゲート絶縁膜１７を形成した後に、Ｖ族元素を含む雰囲気下で熱処理を行う。 - 特許庁
The group IIIB element doped in the vicinity of the surface 1f of the silicon substrate 1 has concentration in the range of 10^17 cm^-3-10^20 cm^-3.例文帳に追加
シリコン基板１の表面１ｆ近傍にドープされた周期律表第３Ｂ族元素の濃度は１０^17ｃｍ^-3以上１０^20ｃｍ^-3以下である。 - 特許庁
The image pickup device 12 is formed from an objective lens group 14, the image pickup element 20 and a metallic frame body 17.例文帳に追加
撮像装置１２は、対物レンズ群１４と、撮像素子２０と、金属製の枠体１７とで構成されている。 - 特許庁
An imaging device 12 is composed of an objective lens group 14, an imaging element 20 and a metallic frame 17.例文帳に追加
撮像装置１２は、対物レンズ群１４と、撮像素子２０と、金属製の枠体１７とで構成されている。 - 特許庁
A group III nitride semiconductor optical element 11a includes a group III nitride semiconductor base 13, a GaN-based semiconductor region 15, an active layer 17, and a GaN-based semiconductor region 19.例文帳に追加
III族窒化物半導体光素子１１ａは、III族窒化物半導体支持体１３、ＧａＮ系半導体領域１５、活性層１７及びＧａＮ系半導体領域１９を備える。 - 特許庁
A diffraction optical element 17 generates a main beam, a first sub-beam group deflected symmetrically about the main beam in a first direction, and a second sub-beam group deflected symmetrically about the main beam in a second direction.例文帳に追加
回折光学素子１７は、メインビームと、第１の方向へメインビームに関して対称に偏向された第１のサブビーム群と、第２の方向へメインビームに関して対称に偏向された第２のサブビーム群とを生成する。 - 特許庁
On the second optical axis 32, a diaphragm-shutter unit 14, a third lens group 15 and a fourth lens group 16 are arranged to form an image on an imaging element 17.例文帳に追加
第二の光軸３２上には、絞り−シャッタユニット１４、第３レンズ群１５および第４レンズ群１６が配置されて撮像素子１７に結像している。 - 特許庁
Chromium is cited as a preferable transition metal, and an element selected from the elements of group 16 or 17, especially oxygen is preferably used as the third element.例文帳に追加
ＭＮ （１）（式中、Ｍは遷移金属を表す。） 好ましい遷移金属としてはクロムが挙げられ、第３元素としては１６属又は１７属の元素から選択されたもの、特に酸素を使用することが好ましい。 - 特許庁
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