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Group 12 elementとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 第12族元素(だいじゅうにぞくげんそ)は、周期表の第4周期以降に現れる、亜鉛と同族の元素群であり、亜鉛族元素(あえんぞくげんそ)とも呼ばれる。
「Group 12 element」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 159件
The element group 12 forms the specified angle with the optical axis.例文帳に追加
また、発光素子群12は、光軸と所定の角度をなしている。 - 特許庁
On the first element group 12, a plurality of semiconductor elements 9 constituting a second element group 13 are stacked stepwise while being directed opposite to the first element group 12.例文帳に追加
第1の半導体素子群12上には第2の半導体素子群13を構成する複数の半導体素子9が第1の半導体素子群12とは逆方向に向けて階段状に積層されている。 - 特許庁
After passing through the medium 5, the modulated light (the intermittent light) is detected by a photoelectric transfer element group 12.例文帳に追加
媒質5 を通過した変調光(断続光)は光電変換素子群12により検出される。 - 特許庁
Impurity 1 (group VI or II element) is implanted (Fig.5(c)) into the diamond thin film 12 using an ion implanter and then impurity 2 (group III or V element) is implanted (Fig.5(d)).例文帳に追加
ダイヤモンド薄膜12にイオン注入装置を用い、不純物1(VI族又はII族元素)を打ち込む(図5(c))。 - 特許庁
The thin film 12 contains a compound semiconductor layer 12b, which is arranged so as to come into contact with the first electrode film 11 an contains a group Ib element, a group IIIb element, and a group VIb element.例文帳に追加
薄膜12は、第1の電極膜11と接触するように配置された、Ib族元素とIIIb族元素とVIb族元素とを含む化合物半導体層12bを含む。 - 特許庁
The detection value of the photoelectric transfer element group 12 is compared with a reference value 14 by a comparison means 15.例文帳に追加
この光電変換素子群12からの検出値は比較手段15によって参照値14と比較される。 - 特許庁
The second element group 13 is arranged while being shifted from the first element group 12 in the arrangement direction of the electrode pads 11.例文帳に追加
第2の素子群13は第1の素子群12に対して電極パッド11の配列方向にずらした状態で配置されている。 - 特許庁
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ウィキペディア英語版での「Group 12 element」の意味 |
Group 12 element
出典:『Wikipedia』 (2011/07/14 06:21 UTC 版)
「Group 12 element」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 159件
An impurity 1 (group VI or II element) is implanted (Fig.5(c)) into the diamond thin film 12 by using an ion implanter, and then an impurity 2 (group III or V element) is implanted (Fig.5(d)).例文帳に追加
ダイヤモンド薄膜12にイオン注入装置を用い、不純物1(VI族又はII族元素)を打ち込む(図5(c))。 - 特許庁
The accumulator device 10 includes an electrode element 13 comprising an electrode sheet group 12.例文帳に追加
蓄電デバイス10は電極シート群12からなる電極素子13を有する。 - 特許庁
On the first element group 12, a plurality of semiconductor elements 9E-9H constituting a second element group 13 are stacked stepwise to expose electrode pads 11 while directing the pad arrangement sides toward the same direction as that of the first element group.例文帳に追加
第1の素子群12上には第2の素子群13を構成する複数の半導体素子9E〜9Hが第1の素子群11とパッド配列辺を同方向に向けて階段状に積層されている。 - 特許庁
An objective lens group comprises a phase shift element 11, a high refractive index liquid 12 and an objective lens 13.例文帳に追加
対物レンズ群は、位相シフト素子11、高屈折率液体12、対物レンズ13からなる。 - 特許庁
The capacitor electrode group (Q1 to Q5) of a capacitor element 1 includes capacitor electrodes 12 and 13.例文帳に追加
コンデンサ素子1のコンデンサ電極群(Q1〜Q5)は複数のコンデンサ電極12、13を含む。 - 特許庁
The spare elements which substitute for elements located in the function blocks 11 when the above elements get out of order are put together into a spare element group block 12, and the function blocks 11 are arranged around the spare element group block 12.例文帳に追加
機能ブロック11内の素子に不具合が生じたときに代用する予備素子をまとめて、予備素子群ブロック12とし、その予備素子群ブロック12の周りに上記各機能ブロック11を配置する。 - 特許庁
The delay element group 13 is constituted so as to add a predetermined delay to the electric signal received from the receiver group 14 to transmit the delayed electric signal to a waveform synthesizing part 12.例文帳に追加
遅延素子群13は、レシーバ群14から受信した電気信号に所定の遅延を付加して波形合成部12に送信する。 - 特許庁
An imaging device 12 is composed of an objective lens group 14, an imaging element 20 and a metallic frame 17.例文帳に追加
撮像装置12は、対物レンズ群14と、撮像素子20と、金属製の枠体17とで構成されている。 - 特許庁
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