「Group 12 element」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The detection value of the photoelectric transfer element group 12 is compared with a reference value 14 by a comparison means 15.例文帳に追加

この光電変換素子群12からの検出値は比較手段15によって参照値14と比較される。 - 特許庁

The second element group 13 is arranged while being shifted from the first element group 12 in the arrangement direction of the electrode pads 11.例文帳に追加

第２の素子群１３は第１の素子群１２に対して電極パッド１１の配列方向にずらした状態で配置されている。 - 特許庁

An impurity 1 (group VI or II element) is implanted (Fig.5(c)) into the diamond thin film 12 by using an ion implanter, and then an impurity 2 (group III or V element) is implanted (Fig.5(d)).例文帳に追加

ダイヤモンド薄膜１２にイオン注入装置を用い、不純物１（ＶＩ族又はＩＩ族元素）を打ち込む（図５（ｃ））。 - 特許庁

The accumulator device 10 includes an electrode element 13 comprising an electrode sheet group 12.例文帳に追加

蓄電デバイス１０は電極シート群１２からなる電極素子１３を有する。 - 特許庁

On the first element group 12, a plurality of semiconductor elements 9E-9H constituting a second element group 13 are stacked stepwise to expose electrode pads 11 while directing the pad arrangement sides toward the same direction as that of the first element group.例文帳に追加

第１の素子群１２上には第２の素子群１３を構成する複数の半導体素子９Ｅ〜９Ｈが第１の素子群１１とパッド配列辺を同方向に向けて階段状に積層されている。 - 特許庁

An objective lens group comprises a phase shift element 11, a high refractive index liquid 12 and an objective lens 13.例文帳に追加

対物レンズ群は、位相シフト素子１１、高屈折率液体１２、対物レンズ１３からなる。 - 特許庁

The capacitor electrode group (Q1 to Q5) of a capacitor element 1 includes capacitor electrodes 12 and 13.例文帳に追加

コンデンサ素子１のコンデンサ電極群（Ｑ１〜Ｑ５）は複数のコンデンサ電極１２、１３を含む。 - 特許庁

The spare elements which substitute for elements located in the function blocks 11 when the above elements get out of order are put together into a spare element group block 12, and the function blocks 11 are arranged around the spare element group block 12.例文帳に追加

機能ブロック１１内の素子に不具合が生じたときに代用する予備素子をまとめて、予備素子群ブロック１２とし、その予備素子群ブロック１２の周りに上記各機能ブロック１１を配置する。 - 特許庁

The delay element group 13 is constituted so as to add a predetermined delay to the electric signal received from the receiver group 14 to transmit the delayed electric signal to a waveform synthesizing part 12.例文帳に追加

遅延素子群１３は、レシーバ群１４から受信した電気信号に所定の遅延を付加して波形合成部１２に送信する。 - 特許庁

An imaging device 12 is composed of an objective lens group 14, an imaging element 20 and a metallic frame 17.例文帳に追加

撮像装置１２は、対物レンズ群１４と、撮像素子２０と、金属製の枠体１７とで構成されている。 - 特許庁

The image pickup device 12 is formed from an objective lens group 14, the image pickup element 20 and a metallic frame body 17.例文帳に追加

撮像装置１２は、対物レンズ群１４と、撮像素子２０と、金属製の枠体１７とで構成されている。 - 特許庁

The lens group 12 moves to a position facing the imaging element 20 to constitute a wide angle lens together with the lens unit 11.例文帳に追加

レンズ群１２は、撮像素子２０に対向する位置へ移動し、レンズユニット１１と共に広角レンズを構成する。 - 特許庁

To provide a optoelectric transducer element which is manufactured by using a compound semiconductor crystal substrate made of 12 (2B) group element and 16 (6B) group element of the periodic table and forming a pn joint through thermal diffusion.例文帳に追加

周期表第１２（２Ｂ）族元素及び第１６（６Ｂ）族元素からなる化合物半導体結晶基板を用い、熱拡散によりｐｎ接合を形成して作製される光電変換機能素子を提供する。 - 特許庁

The vapor-deposited amount of the group IB element in the zone 12 is controlled based on the predicted value so that the composition ratio of the XYZ_2 compound thin film at the end point of the film deposition zone 12 becomes a target value of the composition ratio between the group IB element and the group IIIB element in the XYZ_2 thin film at a previously set end point of the zone 12.例文帳に追加

製膜ゾーン１２の終点におけるＸＹＺ_2化合物薄膜の組成比が予め設定されたゾーン１２の終点におけるＸＹＺ_2薄膜の第ＩＢ族元素と第ＩＩＩＢ族元素の組成比の目的値となるように前記予測値に基づきゾーン１２における第ＩＢ族元素の蒸着量を制御する。 - 特許庁

This method for producing the fatty acid alkyl esters and/or the glycerol, including a process for contacting the oil or the fat with the alcohol in the presence of a catalyst, is characterized in that the catalyst is an oxide having a group 12 element and a group 4 element, or a compound oxide having a group 12 element and a tetravalent transition metal element.例文帳に追加

油脂類とアルコールとを触媒の存在下に接触させる工程を含んでなる脂肪酸アルキルエステル及び／又はグリセリンの製造方法であって、該触媒は、１２族元素と４族元素とを有する酸化物、又は１２族元素と４価の遷移金属元素とを有する複合酸化物である脂肪酸アルキルエステル及び／又はグリセリンの製造方法。 - 特許庁

This zoom lens system adequate to be especially used with the electronic image sensor 26 includes a first positive lens element group 10, arranged on a fixed position in zooming operation, a second movable negative lens element group 12, and a third movable positive lens element group 14 providing a greater part of magnification changes in the case of zooming operation.例文帳に追加

特に電子式イメージセンサ(26)との使用に適応したズームレンズ系には、ズーミング動作中に固定位置に配置される第1の正のレンズ要素群(10)、移動可能な第2の負のレンズ要素群(12)、及びズーミング動作中に倍率変化の大部分を提供する移動可能な第3の正のレンズ要素群(14)が含まれている。 - 特許庁

A capacitor element group 12 is formed by providing in parallel a plurality of capacitor elements 1 including terminals 8, 9 at both surfaces thereof.例文帳に追加

両端面に端子８、９を有するコンデンサ素子１の複数個を並設してコンデンサ素子群１２を形成する。 - 特許庁

The internal electrode layers 12 contain Ni and at least one element selected from among a group of Re, Ru, Os and Ir.例文帳に追加

内部電極層１２は、Ｒｅ，Ｒｕ，Ｏｓ，およびＩｒの少なくともいずれか１つの元素と、Ｎｉとを含む。 - 特許庁

The electrode sheet group 12 is composed as the electrode element 13 by being folded in zigzags.例文帳に追加

この電極シート群１２をジグザグ状に折り返すことにより、電極シート群１２は電極素子１３として構成される。 - 特許庁

A plurality of capacitor elements 1 each having terminals 8, 9 at opposite ends thereof are provided in parallel to form a capacitor element group 12.例文帳に追加

両端面に端子８、９を有するコンデンサ素子１の複数個を並設してコンデンサ素子群１２を形成する。 - 特許庁

For a buffer layer 12, a compound of a group III element and a group V element which has a lattice constant between the lattice constant of a silicon substrate 11 and the lattice constant of the epitaxial layer 13 is permissible selected.例文帳に追加

バッファ層１２は、シリコン基板１１の格子定数と、エピタキシャル層１３の格子定数との間の格子定数をもつ、第３族元素と第５族元素との化合物が選択されればよい。 - 特許庁

A designated conversion element is selected from conversion elements of a ultrasonic wave generating part 21 by a conversion element select part 12 and connected in common to form an annular array type conversion element group.例文帳に追加

超音波発生部２１の変換素子から所定の変換素子を変換素子選択部１２によって選択して共通接続し、アニュラアレイ型変換素子群を形成する。 - 特許庁

Concerning an array antenna having plural antenna elements 12, this antenna element is divided into plural array groups A, B and C and a point 15 for feeding power to the antenna elements of each array group is separately set for each array group.例文帳に追加

複数のアンテナ素子12を有するアレイアンテナにおいて、このアンテナ素子を複数のアレイ群Ａ、Ｂ、Ｃに区分し、各アレイ群のアンテナ素子に対する給電ポイント15を、各アレイ群ごとに別々に設定する。 - 特許庁

A circuit device 100 is formed on a first substrate 10, on which a first element group 30 containing at least one element, a second element group 12 containing at least one element, and thin-film conductor wiring 18 which electrically connects the first and second element groups 30 and 12 to each other are provided.例文帳に追加

本発明による回路装置１００は、第１基板１０に形成された回路装置であり、第１基板１０には、少なくとも１つの素子を含む第１素子群３０、少なくとも１つの素子を含む第２素子群１２、第１素子群３０と第２素子群１２を電気的に接続する薄膜導体配線１８が設けられている。 - 特許庁

Regarding the illumination optical system 1 including a light source 11 and a collector lens group 12 for condensing light emitted from the light source 11, a diffraction optical surface (diffraction optical element DOE) is arranged in the collector lens group 12 or near the collector lens group 12.例文帳に追加

本発明は、光源１１と、前記光源１１からの光を集光するコレクタレンズ群１２とを備える照明光学系１において、前記コレクタレンズ群１２内あるいは前記コレクタレンズ群１２の近傍に、回折光学面（回折光学素子ＤＯＥ）を配置して構成される。 - 特許庁

On the partition wall 13 of a reflector 12 partitioning the light emitting element 21 for the light guide plate and a pattern light emitting element group 11, an extension part 14 surrounding the periphery of the light emitting element 21 for the light guide plate is integrally molded in white with the reflector 12.例文帳に追加

導光板用発光素子２１と図柄発光素子群１１とを隔てるリフレクタ１２の隔壁１３において、導光板用発光素子２１の周囲を囲む延設部１４がリフレクタ１２と白色一体成形されている。 - 特許庁

The semiconductor uses mixed crystal of at least one or more group 12-16 compounds as a parent material, and contains a group 16 element different from the group 16 element constituting the parent material as a dopant.例文帳に追加

第１２−１６族化合物の少なくとも１種または２種以上の混晶を母体材料とする半導体であって、母体材料を構成する第１６族元素とは異なる第１６族元素をドーパントとして含むことを特徴とする、半導体。 - 特許庁

An incident light 14 is converged to a circular pinhole group 12 of a reflection layer 11 by a hemispherical light converging lens group 13 of the light converging/reflecting element 100.例文帳に追加

入射光１４は、集光反射素子１００の半球状集光レンズ群１３によって、反射層１１の円形状ピンホール群１２に集光される。 - 特許庁

Incident light 15 is condensed to a circular pin hole group 13 of a reflecting layer 12 by a semi-spherical condenser lens group 14 of a condenser reflecting element 100.例文帳に追加

入射光１５は、集光反射素子１００の半球状集光レンズ群１４によって、反射層１２の円形状ピンホール群１３に集光される。 - 特許庁

At least a part (12a) of inside surfaces (12a and 12b) of the joint piping (12) is covered with a platinum group metal film (14) comprising an alloy or metal of platinum group element.例文帳に追加

継ぎ手配管（１２）の内面（１２ａ、１２ｂ）の少なくとも一部（１２ａ）は、白金族元素である金属又は合金からなる白金族金属膜（１４）で被覆されている。 - 特許庁

The electrodes X, Y of the PDP 51 are connected to a switching element group 12 of the driving device 10 via inductors 20X, 20Y.例文帳に追加

ＰＤＰ５１の電極Ｘ，Ｙはインダクタ２０Ｘ，２０Ｙを介して駆装置１０のスイッチング素子群１２に接続されている。 - 特許庁

The waveform synthesizing part 12 is constituted so as to add the electric signal received from the delay element group 13 to transmit the same to a flaw evaluation part 11.例文帳に追加

波形合成部１２は、遅延素子群１３から受信した電気信号を加算し、きず評価部１１に送信する。 - 特許庁

The gate electrode 3 is provided on the semiconductor region 9 which is composed of the III group nitride semiconductor and contains a phosphorus element 12.例文帳に追加

ゲート電極３が、III族窒化物半導体から成り燐元素１２を含む半導体領域９上に設けられている。 - 特許庁

A first element fitting surface 12a to which the semiconductor elements 1 of the first semiconductor element group G1 are fitted, and a second element fitting surface 12b to which the semiconductor elements 1 of the second semiconductor element group G2 are fitted, are provided on one surface of one heat receiving block 12 which is formed into a plate shape.例文帳に追加

板状に形成された一つの受熱ブロック１２の一方の面に、第１の半導体素子群Ｇ１の半導体素子１が取り付けられる第１の素子面１２ａと、第２の半導体素子群Ｇ２の半導体素子１が取り付けられる第２の素子取付面１２ｂとを設ける。 - 特許庁

In the image pickup device 1, an object side holding frame 11 holds a first group unit 13 as an object side lens unit, and an image pickup element side holding frame 12 holds a third group unit 15 as an image pickup element side lens unit.例文帳に追加

撮像装置１において、被写体側保持枠１１は被写体側レンズユニットである１群ユニット１３を保持し、撮像素子側保持枠１２は撮像素子側レンズユニットである３群ユニット１５を保持する。 - 特許庁

Incident light beams are condensed by a second reflecting surface group 12 of the side face of a pyramid 14 of an optical condensing reflecting element 200, and incident from a light transmission hole group 9 to the thin film solar cell element 100.例文帳に追加

入射光は、集光反射素子２００の３角柱１４の側面の第２の反射面群１２により集光されて、光透過孔群９から薄膜太陽電池素子１００に入射する。 - 特許庁

In one group 14B, the one element pump, for example the element pump 12-5, sucks a handling fluid delivered from the element pump 12-4 on a preceding stage arranged on a rear surface side, from a front side, and discharges the discharged handling fluid to the element pump 12-6 on a succeeding stage arranged on the front surface side.例文帳に追加

一方の群１４Ｂにおいては、一つの要素ポンプ、例えば要素ポンプ１２-5は、背面側に配置された前段の要素ポンプ１２-4から送られてきた取扱い流体を正面側から吸い込み、吐出する取扱い流体を、正面側に配置された次段の要素ポンプ１２-6に向けて送り出す。 - 特許庁

Also, the heat exchange element group 1 may comprise at least the sensible heat exchange element 11 mainly performing sensible heat exchange and the latent heat exchange element 12 mainly performing latent heat exchange.例文帳に追加

また、前記熱交換素子群１は、顕熱交換を主として行なう顕熱交換素子１１と、潜熱交換を主として行なう潜熱交換素子１２と、を少なくとも具備するものとしてもよい。 - 特許庁

A plurality of element signal lines corresponding to a plurality of vibration elements 12 is arranged to be crossed each other with a plurality of element signal lines 22 corresponding to a plurality of element groups, within the first crosspoint switches 20, and the plurality of vibration elements 12 unified into one element group is connected electrically to the same element signal line 22.例文帳に追加

第１クロスポイントスイッチ２０内において、複数の振動素子１２に対応した複数の素子信号線と、複数の素子グループに対応した複数のグループ信号線２２が、互いに交差するように配置され、１つの素子グループに纏められる複数の振動素子１２が同一のグループ信号線２２に電気的に接続される。 - 特許庁

The lithium secondary cell 10 comprises an electricity generating element 11 laminating a positive electrode 20 which occludes and releases lithium ion electrochemically and a negative electrode 21 of carbon group interposing a separator, a case 12 housing the electricity generating element 11, and a supply member 13 made of metallic lithium and housed in the case 12.例文帳に追加

リチウム二次電池10は、リチウムイオンを電気化学的に吸蔵・放出可能な正極20および炭素系の負極21がセパレータを介して積層された発電要素11と、発電要素11を収容する容器12と、容器12内に設けられた金属リチウム製の補給部材13とを有する。 - 特許庁

The plurality of delay elements 22 compensate the variation of the amount of delay on the plurality of vibration elements 12 unified into the same element group.例文帳に追加

複数の遅延素子２２は、同一の素子グループに纏められる複数の振動素子１２に関する遅延量のばらつきを補償する。 - 特許庁

A plurality of semiconductor elements 9 constituting a first element group 12 are stacked stepwise on a wiring board 2.例文帳に追加

配線基板上２には第１の半導体素子群１２を構成する複数の半導体素子９が階段状に積層されている。 - 特許庁

Each ribbon plate (101), in which the pull element and the rotating element each are formed, is formed as a group of plates (12), in which the two discrete plates (12) of a thickness of 0.1-0.2 mm are paired in such a manner that a surface and a backside are superposed on each other.例文帳に追加

引きエレメント、回転エレメントをそれぞれ形成する個々のリボンプレート（１０１）を、厚さ０．１ｍｍ〜０．２ｍｍの単品の２枚が表裏に重ね合わされて一組とされたプレート（１２）群とする。 - 特許庁

A semiconductor thin film 13 which becomes a light absorption layer is formed on an insulating layer 12 containing Ia group element or Vb group element partially provided on a back electrode 11 and the back electrode 11 or the partially provided insulating layer 12.例文帳に追加

裏面電極膜１１の上に部分的に設けたＩａ族元素あるいはＶｂ族元素を含む絶縁層１２と裏面電極１１あるいは部分的に設けた絶縁層１２の上に光吸収層となる半導体薄膜１３を形成した構成を含む薄膜太陽電池。 - 特許庁

A nitride group semiconductor laser element 10 includes: nitride group semiconductor layers 12 to 19 formed on an n-type GaN substrate 11, a light emitting surface 30a composed of a cleavage surface and a p-side pad electrode 23 formed on the nitride group semiconductor layers 12 to 19.例文帳に追加

この窒化物系半導体レーザ素子１０は、ｎ型ＧａＮ基板１１上に形成された窒化物系半導体各層１２〜１９と、劈開面からなる光出射面３０ａと、窒化物系半導体層上に形成されたｐ側パッド電極２３とを備えている。 - 特許庁