元素間の英語

半導体基板上に形成された、ＩＩＩ族元素及びＶ族元素の一方である第１の元素を含む酸化物より成る中間層と、中間層上に形成された、ＩＩＩ族元素及びＶ族元素の他方である第２の元素の酸化物より成る絶縁膜と、絶縁膜上に形成された電極とを有している。例文帳に追加

The semiconductor device comprises an intermediate layer of an oxide containing a first element, i.e. one of group III elements or group V elements formed on a semiconductor substrate, an insulating film of an oxide containing a second element, i.e. the other of group III elements or group V elements formed on the intermediate layer, and an electrode formed on the insulating film. - 特許庁

低仕事関数層は、基材の構成元素であるニッケルと希土類元素との金属間化合物から構成される。例文帳に追加

The low-work-function layer is constituted of an intermetallic compound of nickel as a component element of the base material and a rare-earth element. - 特許庁

中間層は、酸素バリア膜の少なくとも１つの構成元素と、下部電極の少なくとも１つの構成元素とを含む合金で形成される。例文帳に追加

The intermediate layer is made of alloy which contains at least one constituent element of the oxygen barrier film and at least one constituent element of the lower electrode. - 特許庁

元素を直接に測定することを可能にして、細胞や血球などの粒子における様々な元素間の相関を得ることができるようにする。例文帳に追加

To obtain the correlation between various elements in particles such as cells, blood corpuscles or the like by enabling the direct measurement of an element. - 特許庁

ｐ型半導体層１０３とｐ側電極１０５との界面（中間層１０４）には、主要な構成元素として５Ｂ族元素が含まれる。例文帳に追加

5B element is contained as a major compound element on an interface (middle layer 104), between the p-type semiconductor layer 103 and the p-side electrode 105. - 特許庁

半導体基板の洗浄に用いた超純水に含まれる極く僅かな金属元素を、多元素同時に且つ短時間で分析する。例文帳に追加

To analyze trace metal elements contained in ultrapure water used for washing of a semiconductor substrate, in a short time while a large number of elements are analyzed at the same time. - 特許庁

小型、ローコストで、かつ、軽元素から重元素までの分析を短時間で行い得る蛍光Ｘ線分析装置を提供する。例文帳に追加

To provide a small and low cost fluorescent X-ray analyzer in which analysis can be conducted in a short time from a light element to a heavy element. - 特許庁

チャネル領域、ソース領域およびドレイン領域の少なくとも一部は、結晶化を促進する触媒元素を含み、層間絶縁膜は、触媒元素を引き寄せる作用を有するゲッタリング元素を含み、かつ、チャネル領域よりも高濃度で触媒元素を含む。例文帳に追加

At least one portion of the channel region, source region, and drain region contains a catalyst element for accelerating crystallization; and the interlayer insulating film contains a gettering element having operation for attracting the catalyst element, and contains the catalyst element at higher concentration than that of the channel region. - 特許庁