gold waferとは 意味・読み方・使い方

This method comprises forming gold on the surface of a silicon wafer, applying to the gold surface a primer containing a platinum-based compound, a solvent, and no alkoxysilanes, drying the primer, and then adhering a thermally-conductive silicone composition to the applied surface.例文帳に追加

シリコンウェハーの表面に金が形成され、当該金の表面に、白金系化合物及び溶剤を含みかつアルコキシシランを含まないプライマーを塗布して乾燥させた後、塗布面に熱伝導性シリコーン組成物を接着する。 - 特許庁

A bump having a film hardness of 50-90 Hv, and a surface height difference of ≤1.8 μm is formed by performing gold electroplating on the patterned wafer by the use of the gold electroplating bath and then by heat-treating it at 200-400°C for ≥5 minutes.例文帳に追加

パターンニングされたウエハ上に本発明の金めっき浴を用いて電解金めっきを行った後、２００〜４００℃で５分以上熱処理することにより、皮膜硬度が５０〜９０Ｈｖ、表面の高低差が１．８μｍ以下のバンプが形成される。 - 特許庁

To provide a plating solution and a plating method of electroless gold plating for plating a conductor pattern to be formed on a conductor pattern made of copper or aluminum formed on a printed circuit board or a wafer, in which a gold film is directly deposited by autocatalytic reduction reaction without performing immersion gold plating treatment on an electroless palladium plating film formed on the conductor pattern.例文帳に追加

プリント基板又はウエハー上に形成された銅又はアルミニウムからなる導体パターン上に形成される導体パターンめっきであって、導体パターン上に形成される無電解パラジウムめっき皮膜上に置換金めっき処理を施さなくても、自己触媒還元反応で直接金皮膜を析出させる無電解金めっきのめっき液及びめっき方法を提供する。 - 特許庁

The carrying member having a cleaning layer for cleaning the inside of the wafer conductivity inspection device is capable of removing a foreign matter of 1 μm diameter and larger composed of at least silicon, organic matters, stainless metal, gold, nickel, and aluminium on a wafer carrying system.例文帳に追加

ウェハ導通検査装置内のクリーニングを行うクリーニング層を有する搬送部材において、ウェハ搬送系上の少なくともシリコン、有機物、ステンレス系金属、金、ニッケル、アルミニウムからなる１μm径以上の異物を除去できる搬送部材である。 - 特許庁

The wafer 40 where the bumps are provided on its top surface is placed on a mounting stand 16, the heads of the gold bumps on the wafer 40 are pressed down with the lower end of a rotating roller 18, and the mounting stand 16 is horizontally and relatively moved to the rotating roller 18.例文帳に追加

上面にバンプが複数配設されたウェハ４０を載置台１６に載置し、回転ローラ１８の下端部でウェハ４０上の金バンプの頭部を押圧するとともに、載置台１６を回転ローラ１８に対して相対的に水平移動させる。 - 特許庁

The surface of the electrode base section on the semiconductor wafer is plated with the electroless nickel-plating film, the electroless palladium plating film and the electroless gold plating film in this order.例文帳に追加

並びに、半導体ウエハー上の電極基部表面に、無電解ニッケルめっき皮膜、無電解パラジウムめっき皮膜、無電解金めっき皮膜の順にめっきする。 - 特許庁

The electrode on the semiconductor wafer, in which an electroless nickel plating film, an electroless palladium plating film and an electroless gold plating film are formed on the surface of the electrode base section in this order, is manufactured.例文帳に追加

電極基部表面に、無電解ニッケルめっき皮膜、無電解パラジウムめっき皮膜、無電解金めっき皮膜の順に形成させた半導体ウエハー上の電極にする。 - 特許庁

On the tip part 2d of the wafer connection pin, a rhodium layer 24 is also formed on the surface of the gold layer 23, and a ruthenium layer 25 is formed thereon.例文帳に追加

ウェーハ接続ピンの先端部２ｄにおいては、金層２３の表面上に更にロジウム層２４を形成し、その上にルテニウム層２５を形成する。 - 特許庁