いけじり２ちょうめの英語

出力部２は、この判定結果情報をもとに強調表示対象のグループ名を強調表示させた表示データ２１を画面表示する。例文帳に追加

An output section 2 displays the display data 21 in which the group name of the emphasized display object is emphasis-displayed based on this decision result information. - 特許庁

梅渓季通（うめたにすえみち、慶長20年3月29日(旧暦)（1615年4月26日）-万治元年2月2日(旧暦)（1658年3月5日））は、江戸時代前期の公卿。例文帳に追加

Suemichi UMETANI (April 26, 1615 - March 5, 1658) was a kugyo (court noble) during the first half of the Edo period.発音を聞く  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

集電体が銅合金からなり、その引張強さが４００Ｎ／ｍｍ^2以上、比例限界が１６０Ｎ／ｍｍ^2以上、弾性係数が１．１Ｎ／ｍｍ^2以上であり、活物質薄膜が形成されている集電体の面の表面粗さＲａが０．０１〜１μｍであることを特徴としている。例文帳に追加

It is featured in that the current collector comprises a copper alloy and has tensile strength of 400 N/mm^2 or more, proportional limit of 160 N/mm^2 or less, elastic coefficient of 1.1 N/mm^2 or more, and surface roughness Ra of 0.01-1 μm for a face of the current collector forming the active material thin film. - 特許庁

半導体結晶２は所謂ドーム型の断面形状を有するＥＬＯマスク３がマスキングされた結晶成長基板１の結晶成長面１ａ上に成長したものであり、転位４はＥＬＯマスク３の上面略中央から半導体結晶２の結晶成長面２ａまで伸びている。例文帳に追加

The semiconductor crystal 2 is a crystal grown on the crystal growth surface 1a of a crystal growth substrate 1 masked with an ELO mask 3 having so-called dome shaped cross section, and transition 4 extends from about the center of the top of the ELO mask 3 to a crystal growth surface 2a of the semiconductor crystal 2. - 特許庁

ペレットの切断面における表面積（以下「断面積」とする。）の平均値が３．０ｍｍ^2〜６．５ｍｍ^2でありかつその標準偏差が０．６５ｍｍ^2以下であることを特徴とするポリカーボネート樹脂より成る光学用ポリカーボネート樹脂成形材料。例文帳に追加

This optical polycarbonate resin molding material comprises a polycarbonate resin characterized in that the average value of surface areas at the cut sections of pellets (referred to as sectional areas hereafter) is 3.0 to 6.5 mm^2 with a standard deviation of 0.65 mm^2 or less. - 特許庁

雄ネジ１５の谷部１５Ｂに調整用リブ２０を一体成形し、この調整用リブ２０をホルダ２の雌ネジ１１の山部に突き当てる。例文帳に追加

A rib for adjustment 20 is integrally molded in the root thread part 15B of the male screw 15 and butted on the ridge part of the female screw 11 of the holder 2. - 特許庁

張力付与性絶縁皮膜の形成に先立ち、二次再結晶済みの一方向性珪素鋼板に対し、鋼板片面当たり０．１ｇ／ｍ^2以上１０ｇ／ｍ^2以下のリン酸亜鉛を主体とする皮膜を形成させる。例文帳に追加

In this manufacturing method, before depositing a tension impartable insulation film, a film mainly consisting of zinc phosphate of ≥ 0.1 g/m^2 and ≤ 10 g/m^2 per one side of the steel sheet is deposited on the grain-oriented silicon steel plate subjected to the secondary re-crystallization. - 特許庁

台形型エレメント２と台形型エレメント３は給電点５を中心軸にして対称形であり、台形型エレメント２，３の幅はH1、給電点を含み長辺長はL1、短辺長はL2である。例文帳に追加

The trapezoidal elements 2 and 3 are symmetrical around a center axis passing through the feeding point 5, each width of the trapezoidal elements is H1, the length of the long side including the feeding point is L1, and the length of the short side is L1. - 特許庁