えいせいちょう２ちょうめの英語

本発明は、透光性材料からなる結晶成長用基板１ａ，２ａ，３ａ，４ａに気相成長によりシンチレータ１ｂ，２ｂ，３ｂ，４ｂを堆積したパネル１，２，３，４を、複数積層したことを特徴とするシンチレータパネルを提供する。例文帳に追加

This scintillator panel is constituted by laminating a plurality of panels 1, 2, 3, 4 where the scintillators 1b, 2b, 3b, 4b are deposited by vapor phase growth on crystal growth substrates 1a, 2a, 3a, 4a comprising a translucent material. - 特許庁

ＧａＮ系単結晶基板１の成長主面はｍ面となっており、ＧａＮ系単結晶基板１上に形成されたＧａＮ系半導体層２の成長主面もｍ面となる。例文帳に追加

A growth main surface of the GaN-based single crystal substrate 1 is an (m) plane and a growth main surface of the GaN-based semiconductor layer 2 formed on the GaN-based single crystal substrate 1 is also an (m) plane. - 特許庁

結晶成長室２４内に供給されるカーボン含有ガスの量を増減させることにより、種結晶基板２上の結晶不成長領域（図示せず）が消滅して、種結晶基板２の表面全体にＡｌＮ結晶４が成長する。例文帳に追加

By increasing or decreasing the amount of the carbon-containing gas supplied into the crystal growth chamber 24, an area (not shown in figure) on the seed crystal substrate 2, where no crystal grows, is diminished, and the AIN crystal 4 is grown on the whole surface of the seed crystal substrate 2. - 特許庁

溶液成長方法等によって単独の薄膜として形成された厚さ１００μｍ以下のＧａＮ系結晶薄膜（特にＧａＮ結晶薄膜）１を、基板２上に接合し、該薄膜の一方の面１ｂをＧａＮ系結晶を成長させるための出発面として有する結晶成長用基材を得、その上にＧａＮ系結晶を成長させる。例文帳に追加

A GaN crystal thin film (especially GaN crystal thin film) 1 of thickness 100 μm or less which is formed as an independent thin film by a solution growth method, or the like, is jointed onto a substrate 2, to provide a crystal growth base material comprising one surface 1b of the thin film as a start surface for growing GaN crystal, on which the GaN crystal is grown. - 特許庁

ＧａＮ系結晶が成長可能な結晶基板１の該基板面に、ＧａＮ系結晶が実質的に成長し得ない化合物材料（特に、シリコン窒化物）からなるマスク層２を反応性スパッタリングによって成膜し、必要なパターンとしてＧａＮ系結晶成長用基板を得る。例文帳に追加

The substrate for growing a GaN-based crystal is obtained by depositing a mask layer 2 comprising a compound material (especially, a nitride of silicon) on which the GaN-based crystal does not grow substantially by reactive sputtering and then fabricating a necessary pattern. - 特許庁

無機粒子２を媒体に分散させたスラリーを用いて、該スラリー中へ成長用基板１を浸漬させるか、または該スラリーを成長用基板１上に塗布や噴霧した後、乾燥させることにより、成長用基板１の表面１Ａ上に無機粒子２を配置する。例文帳に追加

The method comprises disposing inorganic particles 2 on a surface 1A of a substrate 1 for growing by using a slurry obtained by dispersing the inorganic particles 2 in a medium, and by dipping the substrate 1 for growing into the slurry or by coating or spraying the slurry onto the substrate 1 for growing and drying it. - 特許庁

ｃ面サファイア基板１上にＭＯＣＶＤ法やＭＢＥ法により４μｍ／ｈ以下の成長速度で薄いＧａＮ層２を成長させた後、このＧａＮ層２上にハイドライドＶＰＥ法により４μｍ／ｈよりも大きくかつ２００μｍ／ｈ以下の成長速度で十分に厚いＧａＮ層３を成長させる。例文帳に追加

A thin GaN layer 2 is grown rate of 4 μm/h or less on a c-face sapphire substrate 1 by MOCVD or MBE, and then a sufficiently thick GaN layer 3 is grown on the GaN layer 2 at a rate higher than 4 μm/h but not higher than 200 μm/h by hydride VPE. - 特許庁

サファイア基板１上にＧａＮ層２を成長させ、その表面に無機マスク３をＧａＮ層表面が実質平坦になるよう形成し、半導体成長用基板とする。例文帳に追加

A GaN layer 2 is grown on a sapphire substrate 1, an inorganic mask 3 is formed on the GaN layer so that a surface of the GaN layer becomes substantially flat, thereby obtaining a semiconductor growth substrate. - 特許庁