「えいせいちょう２ちょうめ」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

表面の転位密度が低いので、2度目に成長したＧａＮはさらに低転位になる。例文帳に追加

The GaN grown in second time has a further low dislocation density because the dislocation density in the surface of the seed crystal is low. - 特許庁

これは、半導体結晶２の成長に伴って半導体結晶２の結晶成長面２ａが結晶成長基板１の結晶成長面１ａ付近から上方に移動する間にも、半導体結晶２はＥＬＯマスク３の傾斜面付近でこの傾斜面に沿って横方向にも成長できるためである。例文帳に追加

This is because the semiconductor crystal 2 also can grow laterally along the tilted surface of the ELO mask 3 near the surface, while, as the semiconductor crystal 2 increases, the crystal growth surface 2a of the semiconductor crystal 2 moves upward from the vicinity of the crystal growth surface 1a of the crystal growth substrate 1. - 特許庁

本発明は、透光性材料からなる結晶成長用基板１ａ，２ａ，３ａ，４ａに気相成長によりシンチレータ１ｂ，２ｂ，３ｂ，４ｂを堆積したパネル１，２，３，４を、複数積層したことを特徴とするシンチレータパネルを提供する。例文帳に追加

This scintillator panel is constituted by laminating a plurality of panels 1, 2, 3, 4 where the scintillators 1b, 2b, 3b, 4b are deposited by vapor phase growth on crystal growth substrates 1a, 2a, 3a, 4a comprising a translucent material. - 特許庁

ＧａＮ系単結晶基板１の成長主面はｍ面となっており、ＧａＮ系単結晶基板１上に形成されたＧａＮ系半導体層２の成長主面もｍ面となる。例文帳に追加

A growth main surface of the GaN-based single crystal substrate 1 is an (m) plane and a growth main surface of the GaN-based semiconductor layer 2 formed on the GaN-based single crystal substrate 1 is also an (m) plane. - 特許庁

結晶成長室２４内に供給されるカーボン含有ガスの量を増減させることにより、種結晶基板２上の結晶不成長領域（図示せず）が消滅して、種結晶基板２の表面全体にＡｌＮ結晶４が成長する。例文帳に追加

By increasing or decreasing the amount of the carbon-containing gas supplied into the crystal growth chamber 24, an area (not shown in figure) on the seed crystal substrate 2, where no crystal grows, is diminished, and the AIN crystal 4 is grown on the whole surface of the seed crystal substrate 2. - 特許庁

溶液成長方法等によって単独の薄膜として形成された厚さ１００μｍ以下のＧａＮ系結晶薄膜（特にＧａＮ結晶薄膜）１を、基板２上に接合し、該薄膜の一方の面１ｂをＧａＮ系結晶を成長させるための出発面として有する結晶成長用基材を得、その上にＧａＮ系結晶を成長させる。例文帳に追加

A GaN crystal thin film (especially GaN crystal thin film) 1 of thickness 100 μm or less which is formed as an independent thin film by a solution growth method, or the like, is jointed onto a substrate 2, to provide a crystal growth base material comprising one surface 1b of the thin film as a start surface for growing GaN crystal, on which the GaN crystal is grown. - 特許庁

ＧａＮ系結晶が成長可能な結晶基板１の該基板面に、ＧａＮ系結晶が実質的に成長し得ない化合物材料（特に、シリコン窒化物）からなるマスク層２を反応性スパッタリングによって成膜し、必要なパターンとしてＧａＮ系結晶成長用基板を得る。例文帳に追加

The substrate for growing a GaN-based crystal is obtained by depositing a mask layer 2 comprising a compound material (especially, a nitride of silicon) on which the GaN-based crystal does not grow substantially by reactive sputtering and then fabricating a necessary pattern. - 特許庁

無機粒子２を媒体に分散させたスラリーを用いて、該スラリー中へ成長用基板１を浸漬させるか、または該スラリーを成長用基板１上に塗布や噴霧した後、乾燥させることにより、成長用基板１の表面１Ａ上に無機粒子２を配置する。例文帳に追加

The method comprises disposing inorganic particles 2 on a surface 1A of a substrate 1 for growing by using a slurry obtained by dispersing the inorganic particles 2 in a medium, and by dipping the substrate 1 for growing into the slurry or by coating or spraying the slurry onto the substrate 1 for growing and drying it. - 特許庁

ｃ面サファイア基板１上にＭＯＣＶＤ法やＭＢＥ法により４μｍ／ｈ以下の成長速度で薄いＧａＮ層２を成長させた後、このＧａＮ層２上にハイドライドＶＰＥ法により４μｍ／ｈよりも大きくかつ２００μｍ／ｈ以下の成長速度で十分に厚いＧａＮ層３を成長させる。例文帳に追加

A thin GaN layer 2 is grown rate of 4 μm/h or less on a c-face sapphire substrate 1 by MOCVD or MBE, and then a sufficiently thick GaN layer 3 is grown on the GaN layer 2 at a rate higher than 4 μm/h but not higher than 200 μm/h by hydride VPE. - 特許庁

サファイア基板１上にＧａＮ層２を成長させ、その表面に無機マスク３をＧａＮ層表面が実質平坦になるよう形成し、半導体成長用基板とする。例文帳に追加

A GaN layer 2 is grown on a sapphire substrate 1, an inorganic mask 3 is formed on the GaN layer so that a surface of the GaN layer becomes substantially flat, thereby obtaining a semiconductor growth substrate. - 特許庁

ｃ面サファイア基板３０１上に、減圧ハイドライドＶＰＥ法により４μｍ／ｈ以下の成長速度で薄いＧａＮ層３０２を成長させた後、このＧａＮ層３０２上に常圧ハイドライドＶＰＥ法により４μｍ／ｈよりも大きく且つ２００μｍ／ｈ以下の成長速度で十分に厚いＡｌＧａＮ層３０４を成長させる。例文帳に追加

A thin GaN layer 302 is grown at a growth rate of, for example, 4 μm/h or under by depressurized hydride VPE method on a substrate 301, and then a thick AlGaN layer 304 is grown enough at a growth rate of 4-400 μm/h by normal pressure hydride VPE method on this GaN layer 2. - 特許庁

この半導体層は、β−Ｇａ_2Ｏ_3単結晶からなるβ−Ｇａ_2Ｏ_3基板１と、β−Ｇａ_2Ｏ_3基板１の表面に窒化処理を施して形成されたＧａＮ層２と、ＧａＮ層２にＭＯＣＶＤ法によりエピタキシャル成長して形成されたＧａＮ成長層３とを備える。例文帳に追加

The semiconductor layer is provided with a β-Ga_2O_3 substrate 1 consisting of β-Ga_2O_3 single crystal, the GaN layer 2 formed by applying nitriding on the surface of the β-Ga_2O_3 substrate 1, and GaN growth layer 3 formed by the MOCVD method on the GaN layer 2 through epitaxial growth. - 特許庁

Ｃ面を主面とするサファイア基板１上にＧａＮ層２をエピタキシャル成長させる（図１ａ）。例文帳に追加

A GaN layer 2 is epitaxially grown on a sapphire substrate 1 having a surface C as a main surface (Fig.1a). - 特許庁

Ｃ面サファイア基板１上にＧａＮ層２を成長させ、ＧａＮ層２上にＴ字型のＵＳＧ膜３を、ＵＳＧ膜３の側面がＧａＮ層２のＡ面とＭ面に平行となるように作製した。例文帳に追加

A GaN layer 2 is grown on a C-face sapphire substrate 1, and a T-shaped USG film 3 is fabricated on the GaN layer 2 so that the side surface of the USG film 3 is parallel to an A-face and an M-face of the GaN layer 2. - 特許庁

ＧａＮ自立基板２１をフラックス結晶成長装置に搬入し、高温高圧下、ナトリウム／ガリウムフラックス中で表面２１ｓに結晶成長させて、膜厚２ｍｍの窒化ガリウム層３を形成した（１．Ｅ）。例文帳に追加

The GaN self-supporting 21 is conveyed to a flux crystal growth apparatus and a crystal is grown on the surface 21s in a sodium/gallium flux under high temperature and high pressure conditions to form a nitride gallium layer 3 having a layer thickness of 2 mm (1.E). - 特許庁

世界経済危機の影響を受けて減速した中国経済は、2009年第1四半期を谷として回復傾向を強め、2010年の実質 GDP 成長率は、前年比10.3％と、2007年以来、3年ぶりとなる2桁成長を達成した。例文帳に追加

From the end of 2008 through early 2009, China’s economy that slowed under the influence of the world economic crisis, strengthened the recovery tendency after the bottom in the first-quarter in 2009, and, as for the real growth rate in 2010, it was 10.3% increase over the previous year. It achieved a double digit growth after 3 years since 2007. - 経済産業省

基板１上に結晶成長法として分子線エピタキシを用い、不純物としてＡｌを用い、前記ＺｎＴｅの成長条件の最適化を行うことによって、１×１０^17ｃｍ^-3以上の高濃度ｎ型ＺｎＴｅ層２の成長を行う。例文帳に追加

An n-type ZnTh layer 2 doped at a high concentration of 1×10^17 cm^-3 or higher is grown on a substrate 1 by using molecular-beam epitaxy for the crystal growth method, wherein Al is used for the dopant, and growth condition for the ZnTh is optimized. - 特許庁

サファイア基板１の面に複数の凸起２，２，…をランダム配置で形成し、その面上にＧａＮ層１０を成長させた。例文帳に追加

A plurality of protrusions 2, are formed in a random arrangement on a surface of a sapphire substrate 1, and a GaN layer 10 is grown on the surface. - 特許庁

ＲＯＭ１に各種の映像信号を適正調整するための初期設定データを記憶しておき、これを読出し、ＥＥＰＲＯＭ２に書込む。例文帳に追加

Initial set data for adjusting appropriately various kinds of video signals are stored first in a ROM 1 and are read out and written into an EEPROM 2. - 特許庁

希土類磁石素体１の凸部１Ｂよりも凹部１Ａにおいて相対的に保護膜２の成長が促進され、全体としてほぼ平坦となるように保護膜２の成長過程が制御されるため、保護膜２の表面粗さが０．４μｍ以下となる。例文帳に追加

Growing of the protective film 2 is relatively accelerated at a recessed part 1A than a protruding part 1B of the rare earth magnet element 1, and the growth process of the protective film 2 is so controlled that the film becomes almost flat as a whole, so that surface roughness of the protective film 2 becomes 0.4 μm or less. - 特許庁

その後、表面改質層２を形成したサファイア基板１を、２０ｓｌｍのアンモニア、３０ｓｌｍの水素及び５０ｓｌｍの窒素を含む雰囲気にある気相成長装置内へ搬入し、ＧａＮ層（窒化物半導体層）３の成長温度（１１００℃）にまで昇温し、表面改質層２の表面にＧａＮ層３を成長させる。例文帳に追加

Thereafter, the sapphire substrate 1 with the surface modified layer 2 formed thereon is carried into a gas phase growing device in an atmosphere containing ammonium of 20 slm, hydrogen of 30 slm and nitrogen of 50 slm, then, temperature is raised to the growing temperature (1100°C) of the GaN layer (nitride semiconductor layer) 3 to grow the GaN layer 3 on the surface of the surface modified layer 2. - 特許庁

アルミナ膜３を除去し、その後、ベース基板１の表面にＧａＮ層２を結晶成長させる。例文帳に追加

The alumina film 3 is removed and thereafter a GaN layer 2 is formed by crystal growth on the surface of the base substrate 1. - 特許庁

ダイヤモンド砥粒５Ｌ…を支持するメッキ層４を成長させていくときの電流密度を、０．０３〜０．１〔Ａ／ｄｍｍ^２〕の範囲に設定する。例文帳に追加

The current density in growing the plated layer 4 supporting the diamond abrasive grains 5L is set ranging from 0.03 to 0.1 (A/dmm^2). - 特許庁

結晶基板１の表面にＬＥＰＳ法を実施し得る凹凸を加工し、該凹部または凸部からＧａＮ系結晶層２を成長させる。例文帳に追加

Irregularities, where the LEPS method can be carried out, are machined on the surface of a crystal substrate 1, and a GaN-based crystal layer 2 is grown from the recess or projection. - 特許庁

ガラス封止部６は、ＧａＮ系ＬＥＤ素子２の結晶成長温度に対し充分に低い温度で加工される。例文帳に追加

The glass sealing part 6 is worked at a temperature sufficiently lower than the crystal growth temperature of the GaN LED element 2. - 特許庁

Ｇａ原子、Ａｓ原子及びＥｒ原子を分子線源とし、（００１）面方位ＧａＡｓ基板２上、または（００１）面方位エピタキシャル成長層上に、分子線源の蒸発速度と、エピタキシャル成長温度とを同時に制御してエピタキシャル成長し、Ｅｒ原子をＧａＡｓ結晶の格子間位置に配位させることにより製作できる。例文帳に追加

The element can be manufactured by aligning the Er atoms to the position among the lattices of the GaAs crystal through the epitaxial growth with simultaneous control of the evaporation velocity of the molecular beam source and expitaxial growth temperature on the GaAs substrate 2 of the (001) alignment or on the epitaxial growth layer of the (001) alignment using the Ga atoms, As atoms and Er atoms as the molecular beam sources. - 特許庁

サファイア基板１のＣ面上に、ＡｌＧａＮ第１バッファ層２、ＧａＮ第２バッファ層３および第１ＧａＮ層４を順に成長させ、図中のＡ−Ａ線上の第１ＧａＮ層４を研磨する。例文帳に追加

On a side C of a sapphire substrate 1, an AlGaN first buffer layer 2, a GaN second buffer layer 3 and a first GaN layer 4 are grown sequentially, and the first GaN layer 4 on a line A-A in the figure is polished. - 特許庁

異種基板上にＧａＮ系半導体を成長させることにより発生する貫通転位を低減し、低転位密度（例えば、１０^５／ｃｍ^２以下）のＧａＮ系半導体をエピタキシャル成長させることができるＧａＮ系半導体エピタキシャル基板の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a GaN-based semiconductor epitaxial substrate, in which a GaN-based semiconductor with a low dislocation density (of, for example, ≤10^5/cm^2) is epitaxially grown by reducing threading dislocation caused when the GaN-based semiconductor is grown on a hetero-substrate. - 特許庁

結晶面に対して傾斜させた表面を有するＧａＡｓからなる基板１の当該表面上に、マスクパターン２を形成し、マスクパターン２で挟まれた基板１の表面上にエピタキシャル層３を成長させる。例文帳に追加

Mask patterns 2 are formed on a surface of a substrate 1 which is composed of GaAs and has the surface slanted to a crystal face, and an epitaxial layer 3 is grown on the surface of the substrate 1 sandwiched by the mask patterns 2. - 特許庁

そして、皿保持部材３５に装着した貼付皿２の底面（基準面）２ｃとレンズ素材１の貼付面１ａとの距離が一定になるように、レンズ素材１を貼付皿２に近接させ、貼付面１ａ，２ｄ間の熱溶解性貼付剤を硬化する。例文帳に追加

To keep a distance between the bottom surface (the reference plane) 2c of the pasting pan 2 mounted on the tray holding member 35 and the pasted surface of the lens material 1 constant, the lens material 1 is moved closer to the pasting pan 2, and the heat soluble pasting agent between the pasted surface 1a and the pasting surface 2d is hardened. - 特許庁

種結晶１としての六方晶系単結晶基板の表面１ａとして、Ｃ面に対して10〜80°傾斜した面を選択し(ａ)、この表面１ａ上に、昇華法によりAlN単結晶２を成長面２ａとして成長させる(ｂ)。例文帳に追加

The method of manufacture includes: (a) selecting a plane inclined by 10 to 80 degrees to a C plane as a surface 1a of a hexagonal single crystal substrate which is a seed crystal 1; and (b) growing an AlN single crystal 2 as a growth plane 2a on the surface 1a by a sublimation method. - 特許庁

同一の成長装置内で、基板１上に積層したサブコレクタ層およびコレクタ層の一部をエッチングにより除去してコレクタ領域６を形成するとともに、バッファ層２の一部を露出させ、その露出部分にＩｎＡｌＡｓからなる埋め込み領域を成長させる。例文帳に追加

In the same apparatus for growing the following regions, parts of a sub-collector layer and collector layer stacked on a substrate 1 are removed to form a collector region 6, part of a buffer layer 2 is made to expose, and a buried region consisting of InAlAs is made to grow. - 特許庁

ＧａＡｓ基板１の表面に、不純物としてＳｉが添加されたＧａ融液を接触させることにより、ＧａＡｓ基板１の表面上にエピタキシャル層２を成長させる。例文帳に追加

An epitaxial layer 2 is grown on the surface of a GaAs substrate 1 by bringing a Ga molten liquid in which Si is doped as an impurity into contact with the surface of the GaAs substrate 1. - 特許庁

ＧａＮ系結晶が成長可能な結晶基板１の該基板面に、マスク領域ｄと非マスク領域ｅとが形成されるパターンにてマスク層２を形成し、ＥＬＯ技術に対応し得るＧａＮ系結晶成長用基板とする。例文帳に追加

The substrate for growing a GaN-based crystal usable in the ELO technology is obtained by forming a mask layer 2 with a pattern which is constituted of mask areas (d) and non-mask areas (e) on the surface of a crystal substrate 1 on which the GaNbased crystal can grow. - 特許庁

そして、ＳｉＣ単結晶５の成長に伴って、種結晶保持具２と共にＳｉＣ単結晶５を成長方向と逆方向に引き上げ、ＳｉＣ単結晶５の表面とガイド６の表面６ａとがほぼ面一となるようにする。例文帳に追加

Then, the SiC single crystal 5 is pulled together with a seed crystal supporting tool 2 in the reverse direction to the growth direction according to the growth of the SiC single crystal 5 so that the surface of the SiC single crystal 5 becomes nearly same plane with the surface 6a of the guide 6. - 特許庁

この構成とした窒化物半導体成長用基板の上に、有機金属気相成長法によりＧａＮ層を形成すれば、転位密度が５×１０^8ｃｍ^-2程度と、従来より得られているシリコン基板上のＧａＮ層の１×１０^10ｃｍ^-2に比較し、転位密度が大幅に減少して高品位な状態となる。例文帳に追加

Such a high quality state that the dislocation density is about 5×10^8/cm^2, drastically reduced in comparison with that (1×10^10/cm^2) of a conventionally obtained GaN layer on a silicon substrate can be attained by forming the GaN layer on the substrate for growing the nitride semiconductor, having such a constitution, by an organic metal vapor phase epitaxy method. - 特許庁

まず、第１工程として、排気機構を用いて石英反応管６内を減圧し、６．６５×１０^3〜１．３３×１０^4Ｐａにして、ＳｉＣ種結晶２の表面に単結晶を０．５ｍｍ／ｈ以下の成長速度で成長させる。例文帳に追加

In a first process, the pressure in the inside of a quartz reaction tube 6 is reduced to 6.65×10^3 to 1.33×10^4 Pa by using an exhaust system, and a single crystal is grown on the surface of an SiC seed crystal 2 at a growth rate of ≤0.5 mm/h. - 特許庁

次に、図１（ｂ）で示すように、絶縁膜となる透明なＳｉＯ_２薄膜３を蒸着し、ナノコラム５を成長させるべき配置位置に、成長させるべき直径および間隔でＡｌＮ膜２が露出するまで貫通孔４を穿設しておく。例文帳に追加

Next, as shown in Fig.1(b), a transparent SiO_2 thin film 3, used as an insulating film, is vapor-deposited at the position where a nanocolumn 5 should be grown up; a through hole 4 is drilled until AlN film 2 is exposed at a diameter and intervals at which it is grown up. - 特許庁

サファイア基板１上にＧａＮ膜２を成長した後、サファイア基板１の裏面よりエキシマＫｒＦレーザを照射してサファイア基板１とＧａＮ膜２とを分離する。例文帳に追加

After a GaN film 2 is grown on a sapphire substrate 1, it is separated from the GaN film 2 by irradiation of excimer KrF laser from the back of the sapphire substrate 1. - 特許庁

ダメージ層１１上ではエピタキシャル層２はエピタキシャル成長しない（ポリシリコン２Ａになる）ので、エピタキシャル層２がウェーハ１のエッジ部で鋭角化するのを防止することができる。例文帳に追加

The silicon epitaxial layer 2 is not epitaxially grown thereon (it becomes polysilicon 2A), so that the epitaxial layer 2 can be prevented from being an acute angle at the edge of the wafer 1. - 特許庁

ついで、Ａｌ原子を亜鉛（Ｚｎ）原子で置換した析出核をＡｌ膜２の表面に形成し、Ｚｎ原子をスターターとして、無電解めっき処理によってニッケル（Ｎｉ）めっき層を成長させる。例文帳に追加

A deposited nucleus in which zinc (Zn) atoms are substituted for Al atoms is formed on a surface of the Al film 2 to grow a nickel (Ni) plating layer by electroless plating treatment using the Zn atoms as a starter. - 特許庁

ＨＢＴ２０は、（１００）面を主面とする半絶縁性Ｇa Ａs 基板１上に、エピタキシャル成長法により、順次、エピタキシャル成長させた、ｎ^+−ＧａＡｓサブコレクタ層２、ｎ^- −ＧａＡｓコレクタ層３、傾斜型ＧａＡｓ_1-___X Ｎ_X ベース層４、及びｎ−ＩｎＧａＰエミッタ層５からなるヘテロ接合の半導体積層構造を備えている。例文帳に追加

An HBT(heterojunction bipolar transistor) 20 is equipped with a heterojunction of semiconductor stack structure consisting of an n+-GaAs sub collector layer 2, an n-GaAs collector layer 3, a tilting type GaAs1-XNX base layer 4, and an n-InGaP emitter layer 5, epitaxially grown in order by epitaxial growth layer on an semiinsulating GaAs substrate 1 whose main face is (i00) face. - 特許庁

ｎ型ＧａＡｓ基板１上に、バッファ層２、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３、活性層４、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層５、ｐ−ＧａＩｎＰステップバンチング発生層６、ｐ−ＧａＩｎＰ秩序構造形成層（自然超格子層）７をエピタキシャル成長させ、メサ構造を形成する。例文帳に追加

A buffer layer 2, an n-AlGaInP clad layer 3, an active layer 4, a p-AlGaInP clad layer 5, a p-GaInP step-punching generation layer 6, and a p-GaInP ordered-structure formation layer (a spontaneous superlattice layer) 7, are epitaxially grown on an n-type GaAs substrate 1, and a mesa structure is formed. - 特許庁

ｎ型ＧａＮ基板１の表面に、ｉ型ＧａＮ層２及びｎ型ＧａＮ層３をエピタキシャル成長させて、ｎ型ＧａＮ層３を活性層とする電界効果トランジスタを形成する。例文帳に追加

An i-type GaN layer 2 and an n-type GaN layer 3 are grown epitaxially on the surface of the n-type GaN substrate 1, and the field effect transistor where the n-type GaN layer 3 is set to be an active layer is formed. - 特許庁

サファイア基板１のＣ面と直交する面、たとえばＡ面（１１−２０）を主面とするサファイア基板１の前記主面（Ａ面）上にＺｎＯ系化合物半導体層２がエピタキシャル成長されている。例文帳に追加

A ZnO-family compound semiconductor layer 2 is subjected to epitaxial growth on the main surface (A surface) of a sapphire substrate 1, using a surface orthogonally crossing the horizontal surface of the sapphire substrate 1, for example, the A surface (11-20) as the main surface. - 特許庁