「えいせいちょう２ちょうめ」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

これを解決するために、溶融石英棒１の表面にカーボン又は金属の極薄い内部保護層２を設け、さらにその外側に空気又はインピーダンス材を満たした空気層３を介して外部保護層４で被覆した可撓性超音波伝送線路を用いる。例文帳に追加

This flexible ultrasonic conducting line has a bused quartz rod 1 whose surface is provided with an extremely thin carbon or metal inner protective layer 2, the outer side of which is covered with a protective layer 4 via an air layer 3 filled with air or impedance material. - 特許庁

その基本方針のもと、日本再生に向けた再始動に当たっての基本7 原則を示し、具体的な各主要政策の進め方として、「財政・社会保障の持続可能性を確保」と「新たな成長へ向けた国家戦略の再設計」を2 つの柱とした施策運営の方針を提示している。例文帳に追加

Under the basic policies, seven basic principles for restarting the effort for Japanese revitalization are presented, as are concrete procedures for promoting each major policy under the two pillars of “ensuring the sustainability of public finances and social security”, and “redesigning national strategies towards new growth”. - 経済産業省

本発明による化合物半導体の製造方法は、少なくとも水素ガスを含む第１ガス雰囲気下でＧａＮ単結晶基板２を加熱する第１加熱工程と、少なくともアンモニアを含む第２ガス雰囲気下でＧａＮ単結晶基板２を加熱する第２加熱工程と、ＧａＮ単結晶基板２上に窒化物系化合物半導体層３を形成するエピタキシャル成長工程とを含む。例文帳に追加

The method for manufacturing a compound semiconductor comprises a first heating step for heating a GaN single crystal substrate 2 under a first gas atmosphere containing at least hydrogen gas, a second heating step for heating the GaN single crystal substrate 2 under a second gas atmosphere containing at least ammonia, and an epitaxial growth step for forming a nitride compound semiconductor layer 3 on the GaN single crystal substrate 2. - 特許庁

そして、これらの突起構造体は、真空中で亜鉛基板の表面上に、１５〜９０ｄｅｇの照射角にて加速電圧２〜１０ｋＶのＡｒイオンビームを照射し、励起した亜鉛原子の表面拡散で成長・形成させる。例文帳に追加

The projection structure is grown and formed by irradiating the surface of the zinc substrate in vacuum with an Ar ion beam at an irradiation angle of 15 to 90 degrees and at an acceleration voltage of 2 to 10 kV to excite and diffuse zinc atoms on the surface. - 特許庁

ＣｒまたはＮｉＡｌの（１１０）結晶面の上に、Ｃｏの（００２）結晶面が優先的にエピタキシャル成長するので、Ｃｏ粒子の結晶配向が向上し、磁性層２の膜厚を薄くしても磁気特性を向上させることができる。例文帳に追加

Since a 002 crystal face of Co is preferentially grown epitaxially on a 110 crystal face of Cr or NiA1, the crystal orientation of the Co particles is improved, and magnetic characteristics are improved even when the film thickness of the magnetic layer 2 is made thin. - 特許庁

この素子本体部６０は、成長用基板としてのｎ型ＧａＡｓ単結晶基板（以下、単に基板という）１と、その第一主表面上に形成されるｎ型ＧａＡｓバッファ層２と、このバッファ層２上に形成される発光層部２４と、この発光層部上に形成される電流拡散層２０とを含む。例文帳に追加

The element main body unit 60 comprises an n-type GaAs single crystal substrate 1 (shown simply as a substrate hereinafter) as a substrate for growth, an n-type GaAs buffer layer 2 formed on a first main surface, a light emitting layer unit 24 formed on the buffer layer 2, and a current diffusion layer 20 formed on the light emitting layer unit. - 特許庁

これらの窒化ガリウム半導体結晶２は、その成長表面がＮ（窒素）極性面やＧａ極性面ではなく、無極性面となるので、ｐ側のＧａＮ／ＡｌＧａＮの界面で発生する自発分極やピエゾ分極による電界の大きさを小さくすることができ、キャリア空乏化を回避することができる。例文帳に追加

In the gallium nitride semiconductor crystal 2, the growth surface becomes a nonpolar surface instead of an N (nitrogen) polar surface and a Ga polar surface, thus reducing the magnitude of an electric field due to the spontaneous polarization and the piezo polarization generated on the interface of p-side GaN/AlGaN and hence avoiding carrier depletion. - 特許庁

陽極酸化処理を用いて絶縁膜であるアルマイト皮膜２を形成したアルミニウム基板１の表面に、気相成長法によりＡｌ層３と金属シード層４を形成した後、水和処理によりＡｌ層３とアルマイト皮膜２の一部をベーマイト層に変化させ、アルマイト皮膜２と金属シード層４との間にベーマイト層３ａを形成する。例文帳に追加

After an Al layer 3 and a metal seed layer 4 are formed, by a vapor deposition method, on a surface of an aluminum substrate 1 where an alumite coating 2 as an insulating film is formed using anodization, the Al layer 3 and alumite coating 2 are partially changed into a boehmite layer through hydration processing to form the boehmite layer 3a between the alumite coating 2 and metal seed layer 4. - 特許庁

ＳｉＣ種結晶基板３の表面上にＡｌＮ結晶８を成長させる工程と、ＳｉＣ種結晶基板３の表面からＡｌＮ結晶８側に２ｍｍ以上６０ｍｍ以下の範囲８ａにある少なくとも一部のＡｌＮ結晶８ｂを取り出す工程と、を含む、ＡｌＮ結晶８の製造方法である。例文帳に追加

A manufacturing method of an AlN crystal 8 comprises: a step for growing the AlN crystal 8 on the surface of an SiC seed crystal substrate 3; and a step for extracting at least a part of the AlN crystal 8b in a range 8a of 2 mm to 60 mm on the AlN crystal 8 side from the surface of the SiC seed crystal substrate 3. - 特許庁

エピタキシャル成長用のシリコン基板に対し、１２００℃〜１３５０℃の温度で１〜１２０秒のＲＴＡ（急速加熱・急速冷却熱処理）を行い、さらに９００℃〜１０５０℃の温度で２〜２０時間の熱処理を行った後、前記シリコンウェーハの表面にエピタキシャル層を形成するようにした。例文帳に追加

A silicon substrate for epitaxial growth is subjected to RTA (rapid heating-rapid cooling heat treatment) at 1,200 to 1,350°C for 1 to 120 s and further subjected to heat treatment at 900 to 1,050°C for 2 to 20 h, and thereafter an epitaxial layer is formed on the surface of the silicon wafer mentioned above. - 特許庁

また、浸食体２は、従来のフォトリソ形成などによる凹凸に比べて極微小で、ダミー基板１上に分散するので、横方向の成長の遅いＡｌＮであっても、平坦なメイン基板５を短時間で作成することができる。例文帳に追加

Also, since erosive bodies 2 are very small when compared with projection and recession by conventional photolithograph formation and the like and they are scattered on the dummy substrate 1, a flat main substrate 5 can be prepared in a short time, even it is an AlN slow in the growth in the lateral direction. - 特許庁

Ａｒガス純化装置９により純化されたアルゴンガスを加熱炉７内に供給し、アルゴンガス雰囲気下で坩堝３を加熱することにより、炭化珪素原料２を昇華させて種結晶４の表面上に炭化珪素単結晶を結晶成長させる。例文帳に追加

This process for producing the silicon carbide single crystal comprises supplying argon gas, purified by an argon gas purifier 9, into a heating furnace 7, and heating a crucible 3 under an argon gas atmosphere to sublimate a raw material 2 for silicon carbide and thus to grow a silicon carbide single crystal on the surface of a seed crystal 4. - 特許庁

半絶縁性基板１の上にエピタキシャル成長法によって、サブコレクタ層２、コレクタ層３、ベース層４、エミッタ層５、エミッタキャップ層６の構成材料層を形成し、これらをメサ構造に加工してヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）素子２０を形成する。例文帳に追加

Composition material layers of a sub-collector layer 2, a collector layer 3, a base layer 4, an emitter layer 5, and an emitter cap layer 6, are formed on a semi-insulating substrate 1 by epitaxial growth method; and are processed into a mesa structure to form a heterojunction bipolar transistor (HBT) element 20. - 特許庁

本発明の窒化ガリウム単結晶基板の製造方法によると、成長用基板の分離のためのレーザー照射段階前に前記成長用基板が分割されるよう溝を形成してパターニングすることにより、２インチ以上の大きい窒化ガリウム単結晶基板を製造する場合にも格子不整合と熱膨張係数によるクラックを最少化し良質のＧａＮ系の単結晶基板を製造することができる。例文帳に追加

By the manufacturing method of the gallium nitride single crystal substrate, the occurrence of cracks due to lattice mismatching and a difference between coefficients of thermal expansion is made minimum, and the good quality GaN-based single crystal substrate even having a size of ≥2 in can be manufactured by forming the grooves and patterning the substrate so that the growth substrate can be divided, before the laser irradiation step for separating the growth substrate. - 特許庁

２　行政庁は、共済事業を行う組合の業務の健全かつ適切な運営を確保し、組合員その他の共済契約者の保護を図るため必要があると認めるときは、当該職員に、共済事業を行う組合の事務所その他の施設に立ち入らせ、その業務若しくは財産の状況に関し質問させ、又は帳簿書類その他の物件を検査させることができる。例文帳に追加

(2) When an administrative agency finds it to be necessary for securing the sound and appropriate administration of the operations of a cooperative engaged in mutual aid activities and for achieving the protection of partner and any other mutual aid contractors, it may have its officials enter an office or any other facility of the cooperative engaged in mutual aid activities, and have them ask questions about the status of the operations or accounting, or inspect the books, documents or other relevant items.  - 日本法令外国語訳データベースシステム

スピン注入源デバイスの製造方法において、Ｓｉ基板１の清浄表面を加熱した状態で、ＣａＦ_2 膜２をエピタキシャル成長により形成する工程と、次に、前記ＣａＦ_2 膜２上に４００℃でＳｉ３とＦｅ４を同時に照射する分子線エピタキシー法によりＦｅ_3 Ｓｉ膜５を形成する工程とを施す。例文帳に追加

The manufacturing method of the spin injection source device performs a step for forming a CaF_2 film 2 by epitaxial growth while the clean surface of the Si substrate 1 is being heated, and a step for forming an Fe_3Si film 5 by a molecular beam epitaxy method for simultaneously applying Si 3 and Fe 4 onto the CaF_2 film 2 at 400°C. - 特許庁

塩化銀含有率が総銀量の５０モル％以上であり、アスペクト比が２以上である平板状粒子が全粒子投影面積の５０％以上を占めるハロゲン化銀写真乳剤の製造方法において、少なくとも１つのポリハロゲン有機化合物の存在下で粒子の成長が行われる過程を有することを特徴とするハロゲン化銀写真乳剤の製造方法。例文帳に追加

The silver halide photographic emulsion having a silver chloride content of ≥50 mol.% based on the total silver halides and containing planar silver halide grains having an aspect ratio of ≥2 and occupying ≥50% of the projection areas of the total silver halide grains is manufactured by the method characterized by having the process in which silver halide grains are grown in the presence of at least one of organic polyhalocompounds. - 特許庁

一実施形態によれば、ナローギャップ半導体基板（例えばＳｉ基板２）の主面の所定の位置に彫り込み型のアライメントマーク４が形成されたナローギャップ半導体基板のその主面上にワイドギャップ半導体層（例えばＧａＮ層１９）をエピタキシャル成長したことにより、基板位置決め用のアライメントマークが予め埋め込まれているワイドギャップ半導体基板を提供する。例文帳に追加

An alignment mark for positioning a substrate is embedded previously in a wide gap semiconductor substrate by growing a wide gap semiconductor layer (e.g. a GaN layer 19) epitaxially on the principal surface of a narrow gap semiconductor substrate where an alignment mark 4 is engraved at a prescribed position on the principal surface of the narrow gap semiconductor substrate (e.g. an Si substrate 2). - 特許庁

ｎ型ＧａＡｓ基板１上にレーザ共振器２を構成する半導体層を成長し、半導体層に導波路ストライプ３を形成した後、導波路ストライプ３に対応する部分における半導体層の表面に交差しない位置で半導体層をエッチングすることにより、エッチング端面からなる共振器端面４，５を形成する。例文帳に追加

A semiconductor layer constituting a laser resonator 2 is grown on an n-type GaAs substrate 1 and after a waveguide stripe 3 is formed on the semiconductor layer, the semiconductor layer is etched at a position in a part corresponding to the waveguide stripe 3 not intersecting the surface of the semiconductor layer thus forming a resonator end face 5 of etching end face. - 特許庁

２　行政庁は、組合若しくは中央会の業務若しくは会計が法令若しくは法令に基づいてする行政庁の処分若しくは定款、規約、共済規程若しくは火災共済規程に違反する疑いがあり、又は組合若しくは中央会の運営が著しく不当である疑いがあると認めるときは、その組合又は中央会からその業務又は会計に関し必要な報告を徹することができる。例文帳に追加

(2) When an administrative agency finds that the operations or accounting of a cooperative or an FSBA is suspected of violating a law or an ordinance, a disposition given by an administrative agency based on a law or an ordinance, the articles of association, the constitution, mutual aid rules or fire mutual aid rules, or that the administration of a cooperative or an FSBA is suspected of being extremely unjust, it may collect from the cooperative or the FSBA the necessary reports on the operations or accounting.  - 日本法令外国語訳データベースシステム

建物下部Ｂａと建物上部Ｂｂとの間に、柱配置に合わせて免震ゴム装置１Ａと滑り支承装置１Ｂとをそれぞれ振り分けて介在させてある免震建物において、滑り支承装置１Ｂを設置してある位置の柱２に、鉛直剛性を低減可能な剛性調整手段９を介在させてある。例文帳に追加

In a base-isolated building with base isolating rubber devices 1A and sliding bearing devices 1B interposed respectively distributed according to column arrangement between a building lower part Ba and a building upper part Bb, a rigidity adjusting means 9 capable of reducing vertical rigidity is interposed at the column 2 in a position where the sliding bearing device 1B is installed. - 特許庁

２　行政庁は、前項の認可に係る事業について、第九条の二第三項ただし書に規定する限度を超えて組合員以外の者に当該事業を利用させることが当該事業の運営の適正化を図るために必要かつ適切なものでなくなつたと認めるときは、当該認可を取り消すことができる。例文帳に追加

(2) With regard to services pertaining to the approval under the preceding paragraph, when an administrative agency finds that it is no longer necessary and appropriate for achieving normalization of the administration of said services to have non-partner utilize said services in excess of the limit prescribed in the proviso to Article 9-2, paragraph (3), it may rescind said approval.  - 日本法令外国語訳データベースシステム

そのため、①下請適正取引の推進によりものづくり基盤産業が適正な利益を確保できる環境の整備（図表１－４） 、②川下企業のニーズを踏まえたイノベーション、③輸出や海外展開を通じ、成長するアジアの活力を取り込むことで国内の経営基盤を強化していくこと等が重要。例文帳に追加

This requires (1) promoting fair subcontracting practices in order to create an environment in which basic monodzukuri industries can secure reasonable profits (Chart 1-4), (2) fostering innovations that meet the needs of downstream companies, and (3) consolidating the management foundations of Japanese companies by allowing them to absorb the vitality of growing Asian economies through exports and overseas operations. - 経済産業省

他方、需要面で経済成長を実現していく上では、日本とそれ以外の世界の人口動態の違い等から、全般的には国内市場より海外市場の伸びが高い状況が続くものと予想され、日本の中小企業においても、製造業を中心として多様な形での海外展開を視野に入れて経営戦略を構築し、販路開拓等の経営革新に取り組んでいくことや、新規性のある技術開発やブランド価値の増進による高付加価値化を図ること、高齢化等を反映して国内においても成長が見込まれる市場に取り組んでいくこと等が重要となる（第2部第1章参照）。例文帳に追加

At the same time, overseas markets are generally expected to continue to grow more rapidly than domestic markets due, among other things, to differences in demographic trends between Japan and the rest of the world, and so it is important to economic growth that, on the demand front, Japanese SMEs and small and medium manufacturers in particular develop business strategies with a view to expansion overseas in various ways, innovate in business to develop new markets, raise value added by development new technologies and enhancing brand value, and enter markets in Japan as well that are expected to grow in the light of trends such as population aging (see Part II, Chapter 1). - 経済産業省

第2次山縣内閣期に山縣系官僚出身で平田との結びつきが強かった大浦兼武・小松原英太郎・安広伴一郎が勅撰議員に任命されて茶話会に加入すると、勢力が拡大する方向に向かい、多額納税議員や男爵議員からも加入者を得て、平田が内大臣に立った明治末期から大正初期にかけて最大で67名の議員を擁して桂園時代においては桂太郎を支え、研究会と勢力を競うまでに成長した。例文帳に追加

When, during Yamagata's second term as cabinet head, Kanetake OURA, Eitaro KOMATSUBARA, and Banichiro YASUHIRO, bureaucrats who were all protegees of Yamagata, were appointed to the House of Peers by imperial selection and thereafter joined the Tea Party, the influence of the Tea Party began to grow, and they managed to acquire members from among the large-scale taxpayers and the barons, and during Hirata's tenure as Lord Keeper of the Privy Seal, from the late Meiji period into the early Taisho period, the group possessed 67 members at its largest; the Tea Party supported Taro KATSURA during the Keien period (1905-1912), and its power and influence grew to rival the Kenkyukai's.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

２．最大の成果は、ドーハ開発アジェンダ（ＤＤＡ）の成功に向けた確実な発射台を築けたことである。とりわけ、途上国が貿易投資の自由化の恩恵を十分に受けることを可能とする総合的な「開発」パッケージが合意されたことは、ドーハラウンドの進展に弾みを与えるという意味で重要。また、世界経済の持続的成長という観点からも、香港閣僚会議の成功は極めて重要なメッセージだと考える。例文帳に追加

2. The greatest achievement of this meeting is that we were able to establish a firm launching pad for the successful conclusion of the DDA. Especially, I would like to emphasize the importance of the comprehensive development package, which will enable developing countries to benefit fully from the liberalization of trade and investment. This will surely give momentum to the progress of this Round. Moreover, the success of the Hong Kong Ministerial is an extremely important message for the sustainable growth of the world economy.  - 経済産業省

線維芽細胞成長因子−１、−２または４、および／または骨形生蛋白質を補足したフィブリン膠、およびＨＢＧＦ−１を含むフィブリン膠で加圧潅流させたポリテトラフルオルエチレン製移植用血管片、固体５−フルオロウラシルまたはテトラサイクリンに遊離塩基を補足したフィブリン膠、テトラサイクリン遊離塩基やシプロフロキサシン塩酸塩のような物質で処理または補足してなるフィブリン膠の寿命を延ばしたＴＳ。例文帳に追加

The present invention provides fibrin sealant supplemented with fibroblast growth factors-1, 2 or 4 and/or bone morphogenetic proteins, blood vessel piece made from polytetrafluoroethylene pressure irrigated with fibrin sealant including HBGF-1, fibrin sealing supplemented with solid 5-fluorouracil or a tetracycline free base, TS with lengthened useful life by processed or supplemented with the tetracycline free base or a ciprofloxacin hydrochloride salt. - 特許庁

２　行政庁は、共済事業を行う組合の業務若しくは財産又は共済事業を行う組合及びその子会社等の財産の状況に照らして、当該組合の業務の健全かつ適切な運営を確保し、組合員その他の共済契約者の保護を図るため必要があると認めるときは、当該組合に対し、措置を講ずべき事項及び期限を示して、経営の健全性を確保するための改善計画の提出を求め、若しくは提出された改善計画の変更を命じ、又はその必要の限度において、期限を付して当該組合の業務の全部若しくは一部の停止を命じ、若しくは当該組合の財産の供託その他監督上必要な措置を命ずることができる。例文帳に追加

(2) When an administrative agency finds it to be necessary for securing the sound and appropriate administration of the operations of a cooperative engaged in mutual aid activities and for achieving the protection of partner and any other mutual aid contractors, in light of the status of the operations or property of the cooperative engaged in mutual aid activities or the property of the cooperative engaged in mutual aid activities and its subsidiary company, etc., it may, by indicating the matters for which measures should be taken and the period in which they should be taken, request the cooperative to submit an improvement plan for securing sound management or order the cooperative to change the submitted improvement plan, or, within the limit necessary, order the suspension of all or part of the operations of the cooperative by setting a time limit or order deposit of the property of the cooperative or any other measure necessary for the purpose of supervision.  - 日本法令外国語訳データベースシステム

3. 我々は、強固で持続可能かつ均衡ある成長を達成するための全ての G20 メンバーによる協調した政策措置へのコミットメントを再確認する。我々の主要な優先的政策措置は、トロントでのコミットメントに沿った、各国の状況によって差別化された中期財健全化計画の実施、適切な金融政策の実現、根底にある経済のファンダメンタルズをよりよく反映した、為替レートの柔軟性の向上及び世界需要を維持し、潜在成長を増大させ、雇用創出を助け、世界的なリバランスに貢献する構造改革を含む。我々は、ソウル・サミット以降の進捗を議論し、多角的協調を強化することにより、過度の不均衡を縮小し経常収支を持続可能な水準で維持することの必要性を強調した。我々は、統合された 2 段階のプロセスを通じて、政策措置を必要とするような継続した大規模な不均衡に焦点を当てることを可能にする一連の項目に合意した。第 1段階に必要な作業を完了するため、我々の目標は、大規模な一次産品生産者を含む、国及び地域の状況を考慮する必要性を認識しつつ、4 月の次回会合までに、これらの項目それぞれを評価する参考となるガイドラインに合意することである。これらの参考となるガイドラインは、目標となるものではないが、以下の項目を評価するのに使用される： (i)公的債務と財政赤字、民間貯蓄率と民間債務、(ii)為替・財政・金融・その他の政策を十分に考慮しつつ、貿易収支、投資所得及び対外移転のネットフローから構成される対外バランス。我々はまた、強固で持続可能かつ均衡ある成長のための枠組みを実施し、既に行ったコミットメントをモニターする 2011 年版の行動計画の策定へ向けた予定表を採択した。ソウルで合意したように、我々は、IMF に対し、相互評価プロセスの一部として、対外的な持続可能性と政策の一貫性確保に向けた進捗についての評価を 10 月の会合において提供することを求める。その際、我々はまた、合意されたガイドラインに基づく継続した大規模な不均衡の原因に関する分析によって情報を得て、行動計画を含む MAP に関する報告のレビューを行う。我々はまた、ソウルでのコミットメントを達成するためになされた進捗の評価をレビューする。例文帳に追加

3. We reaffirm our commitment to coordinated policy action by all G20 members to achieve strong, sustainable and balanced growth. Our main priority actions include implementing medium term fiscal consolidation plans differentiated according to national circumstances in line with our Toronto commitment, pursuing appropriate monetary policy, enhancing exchange rate flexibility to better reflect underlying economic fundamentals and structural reforms, to sustain global demand, increase potential growth, foster job creation and contribute to global rebalancing. We discussed progress made since the Seoul Summit and stressed the need to reduce excessive imbalances and maintain current account imbalances at sustainable levels by strengthening multilateral cooperation. We agreed on a set of indicators that will allow us to focus, through an integrated two-step process, on those persistently large imbalances which require policy actions. To complete the work required for the first step, our aim is to agree, by our next meeting in April, on indicative guidelines against which each of these indicators will be assessed, recognizing the need to take into account national or regional circumstances, including large commodity producers. While not targets, these indicative guidelines will be used to assess the following indicators: (i) public debt and fiscal deficits; and private savings rate and private debt (ii) and the external imbalance composed of the trade balance and net investment income flows and transfers, taking due consideration of exchange rate, fiscal, monetary and other policies. We also adopted a timetable for developing the 2011 action plan that will implement our Framework for Strong, Sustainable and Balanced Growth and monitor the commitments already made. As agreed in Seoul, we call on the IMF to provide an assessment as part of the Mutual Assessment Process on progress towards external sustainability and consistency of policies at our October meeting. At that time, we will also review a report on the MAP including an action plan informed by the analysis on the root causes of persistently large imbalances based on the agreed guidelines. We will also review an assessment of progress made in meeting commitments made in Seoul.  - 財務省