「えいせいちょう２ちょうめ」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

Ｓｉ基板１表面の前処理をした後、超高真空化学気相成長装置（ＵＨＶ−ＣＶＤ装置）を用いて、Ｓｉ基板１上に、ＳｉＧｅＣ層２を形成する。例文帳に追加

After the surface of an Si substrate 1 is subjected to pretreatment, an ultra-high-vacuum chemical vapor deposition device (UHV-CVD device) is used for forming an SiGeC layer 2 on the Si substrate 1. - 特許庁

法面緑化工事用のメッシュボックスＡは、グリップ１内に、種子入りの基盤材２を詰めて育成し、洋芝３を所定背丈に成長させたものである。例文帳に追加

In the mesh box A for greening of a slope face, a base material 2 containing seeds is stuffed in a grip 1 to grow lawn to a specified height. - 特許庁

ｎ型ＧａＮ基板１上にｎ型クラッド層２、ｎ型光閉じ込め層３、アンドープMQW層４、キャップ層５、p型光閉じ込め層６、p型クラッド層７、p型コンタクト層８を順次成長させてLD構造を得た。例文帳に追加

An n-type clad layer 2, an n-type light containment layer 3, an undoped MQW layer 4, a cap layer 5, a p-type light containment layer 6, a p-type clad layer 7 and a p-type contact layer 8 are sequentially grown on an n-type GaN substrate 1, and LD structure is obtained. - 特許庁

東アジアは高成長を持続して経済規模を拡大し、世界経済の大きな部分を占め影響力を強めていると同時に、域内各国間で貿易・投資・人の動きが密になっていることを第２章で確認した。例文帳に追加

East Asia is maintaining rapid growth to expand its economic scale and exerting its strong influence based on a large share it now holds in the world economy. At the same time, intra-regional trade, investment and movement of people are further intensifying, as we have seen in Chapter 2. - 経済産業省

その場合に、ダイヤモンド成長面をダイヤモンド３上のＣ−Ｈ結合のＣ−Ｈ伸縮振動と同じ振動数を有する赤外光２で照射する。例文帳に追加

In this case, diamond growing surface is irradiated with infrared light 2 having the same frequency as that of C-H stretching vibration of C-H bond on diamond 3. - 特許庁

この表面１Ａ上に、Ｎ型半導体層２およびＰ型半導体層３が順にエピタキシャル成長させられていて、これらの界面に、発光に寄与するＰＮ接合面５が形成されている。例文帳に追加

On the surface 1A, an N-type semiconductor layer 2 and P-type semiconductor layer 3 are sequentially epitaxial-grown, with a PN junction surface 5 which contributes light emission formed at the interface. - 特許庁

また、第2-5-1図②は、第2-5-1図①との比較のため、研究開発に取り組んでいない中小企業がどのような経営課題を抱えていると考えているかについて、各成長ステージごとに示したものである。例文帳に追加

Also, in order to provide a comparison with the answers in Fig. 2-5-1 [1], Fig. 2-5-1 [2] shows the management challenges perceived by SMEs that do not carry out research and development in each of the three developmental phases. - 経済産業省

面発光レーザの場合、エピタキシャル層をＳｉ基板上で成長させると、格子不整合等の問題が生じるため、例えばＧａＡｓ基板１１基板上にエピタキシャル層１４を成長させ、それを逆向きにしてＳｉ基板１７上に接合し、面発光レーザ素子２を成形してから、異方性エッチングによりＳｉ製ブロック１を成形・分割する。例文帳に追加

In the case of the surface emitting laser, since a problem such as grid mismatching, etc., is generated when an epitaxial layer is grown on an Si substrate, the epitaxial layer 14 is grown on the substrate of a Gas substrate 11, e.g. it is joined onto the Si substrate upside down to form the element 2 and then the block 1 is formed and divided by Si anisotropic etching. - 特許庁

埋め込み酸化膜２上に、ＳＯＩ活性層３が形成され、この少なくとも一部がＡＬＥ（Atomic Layer Epitaxy:原子層エピタキシャル成長）によって形成されているＳＯＩ基板１２。例文帳に追加

In an SOI substrate 12, an SOI active layer 3 is formed on a buried oxide film 2, and at least a part of the layer 3 is formed by ALE (atomic layer epitaxy: atomic layer epitaxial growth). - 特許庁

この表面１Ａ上に、Ｎ型半導体層２およびＰ型半導体層３を順にエピタキシャル成長させて、発光に寄与するＰＮ接合面５が形成されている。例文帳に追加

On the surface 1A, an N-type semiconductor layer 2 and a P-type semiconductor layer 3 are sequentially grown epitaxially to form a P-N junction surface 5 which contributes to light emission. - 特許庁

防草構造２は、歩車道境界ブロック３０１と道路構成部４０１における、互いに対向する第１面３ａと第２面４ａとの、外部から下側に延びる間隙５からの、雑草１の成長を防止するものである。例文帳に追加

The herbicidal structure 2 is provided for preventing the growth of weeds 1 from a gap 5 extending from the outside to the lower side between a first face 3a of a walkway-roadway boundary block 301 and a second face 4a of a road structural part 401, opposing each other. - 特許庁

植栽基盤Ａを構成する植生部材２中で造形的に生長した植物の根茎部２４の形状を、上記植栽基盤の背面として設けられた透明板１を介して観賞する。例文帳に追加

The shape of a root-stem part 24 of the plant formatively growing in the vegetation member 2 constituting the planting base A is appreciated through a transparent plate 1 provided as the back face of the planting base. - 特許庁

２．「成長のための統合・繁栄のための革新」というＡＰＥＣ２０１２年のテーマの下，我々は，現在のアジア太平洋地域の状況を見直し，本年ＡＰＥＣが成し遂げた進展を評価し，ＡＰＥＣの更なる前進に向けた方策を議論した。例文帳に追加

2. Under the APEC 2012 theme of "Integrate to Grow, Innovate to Prosper" we reviewed the current state of affairs in the Asia-Pacific region, assessed the progress APEC has made this year, and discussed the way forward for APEC. - 経済産業省

図１（ａ）に示すように、半導体基板１の表面に段差パターン２を形成する工程と、段差パターン２の上に化学気相成長法を用いて膜厚ｄ１が１μｍを超えるＣＶＤ酸化膜１０を形成する工程を行う。例文帳に追加

In this manufacturing method, as shown by Figure 1(a), a process for forming a step-difference pattern 2 on a surface of a semiconductor substrate 1, and a process for forming a CVD oxide film 10 whose film thickness d1 exceeds 1 μm on the step-difference pattern 2 by using a chemical vapor growth method, are performed. - 特許庁

基板１の表面にＡｌ層２を形成し、このＡｌ層上に触媒層３を形成し、この触媒層上に炭素原子含有ガスと水素ガスとの混合ガスを供給して、低温で大気圧以下で気相成長せしめる。例文帳に追加

The method for the producing the graphite nanofiber comprises forming an Al layer 2 on the surface of a substrate 1, then forming a catalyst layer 3 on the Al layer 2, and vapor-growing the graphite nanofiber 4 on the catalyst layer 3 at a low temperature under below the atmospheric pressure by supplying a mixed gas of a carbon atom-containing gas and hydrogen gas. - 特許庁

繊維径が８〜１５μｍであり、かつ目付が６〜１０ｇ／ｍ^2 である生分解性長繊維不織布Ａと、繊維径が２〜８μｍであって目付が２〜６ｇ／ｍ^2 である生分解性長繊維不織布Ｂとの少なくとも２種類の不織布が積層され、不織布Ｂの重量比率が１２〜３０％であり、部分的に熱圧着されており、必要に応じ機械的もみ加工など柔軟化処理を施す。例文帳に追加

The nonwoven fabric has 12-30% of the weight ratio of the nonwoven fabric B, and is partially thermo-compression bonded and if necessary, is subjected to a softening treatment such as mechanical rubbing process, etc. - 特許庁

この発光ダイオードは、ｍ面を主面とするＧａＮ単結晶基板１上にIII族窒化物半導体層２を成長させて構成された素子本体を有している。例文帳に追加

The light-emitting diode has an element body comprising a group III nitride semiconductor layer 2 which is grown and formed on a GaN monocrystal substrate 1 having an m surface as a main surface. - 特許庁

Ａｌ_２Ｏ_３層２に担持された貴金属は粒成長が抑制され、耐久後も微細な粒子として存在し表面の活性点が多く存在する。例文帳に追加

The gain growth of the noble metals supported on the Al_2O_3 layer 2 is controlled, the noble metals exist as fine particles even after endurance, and lots of active points exist on the surface. - 特許庁

本発明による単体素子であるＨＦＥＴ２において、部分結晶成長層１４が、ゲート電極３４直下の一部分に局所的に形成されている。例文帳に追加

In an FET 2 which is a single element, a partial crystal growth layer 14 is locally formed on one part directly under a gate electrode 34. - 特許庁

前記ニオブ酸カリウム層は、斜方晶ニオブ酸カリウムの格子定数を２^１／２ｃ＜ａ＜ｂとし、かつｂ軸が分極軸であるとき、（１１０）または（００１）配向でエピタキシャル成長しているドメインを含むことができる。例文帳に追加

The potassium niobate layer can include a domain epitaxially grown in the (110) or (001) orientation when the grating constant of orthorhombic potassium niobate is selected as 2^1/2c<a<b and the axis b is a polarization axis. - 特許庁

半導体発光素子２０は、サファイア単結晶などからなる基板１１と、この基板１１上に直接エピタキシャル成長されたＡｌを含み、転位密度が１０^^１０／ｃｍ^２以下の窒化物半導体層群とを具える。例文帳に追加

A semiconductor light emitting element 20 is equipped with a substrate 11 made of sapphire single crystal, etc., and a nitride semiconductor layer group which includes Al formed directly on the substrate 11 by epitaxial growth and has ≤10^10/cm^2 transition density. - 特許庁

これにより、燃料噴射部２の壁面に付着する燃料が尖鋭部１０の下端に集結しても、大粒に液滴に成長することなく落下させることができる。例文帳に追加

Consequently, even if fuel adhering on a wall surface of a fuel injection part 2 concentrates on a lower end of the pointed part 10, liquid drop can be dripped without becoming a large drop. - 特許庁

更に好ましくは、該金属窒化物膜３が、ＡｌＮ及び／又はＳｉＮを主成分とし、化学気相成長（ＣＶＤ）法により、透明基板２の温度を４０℃以下で形成される。例文帳に追加

More preferably, the metal nitride film 3 contains AlN and/or SiN as principal components and can be deposited at a temperature of transparent substrate 2 of 40°C or less by a chemical vapor deposition (CVD) method. - 特許庁

メインのアンテナパターン２の給電部３ａ，３ｂに対応する位置に絶縁層を介して、線対称の線対称軸４を横切って線対称になるように横向きの特性調整用導電パターン８を設ける。例文帳に追加

A sideways conductive pattern for characteristic adjustment 8 is prepared so as to be line symmetrical crossing the line symmetrical axis 4 of the line symmetry inserting a insulating layer in a position corresponding to the feeding units 3a, 3b of the main antenna pattern 2. - 特許庁

栽培箱２の内部に敷き詰められた砂礫層Ｓの中に、球根状の大蒜Ａから取り出した大蒜片Ａ１を埋め込んだ後、大蒜片Ａ１が生長するのに必要な成分（有機肥料）が含まれる養液水Ｗを砂礫層Ｓの下層側へ供給する。例文帳に追加

The method for cultivating garlic comprises: burying a garlic piece (A1) taken from a bulbous garlic (A) into a gravel layer S spread all over the inside of a cultivation box 2; and thereafter supplying nutrient solution W containing components (organic fertilizer) necessary for growth of the garlic piece (A1) to the lower layer side of the gravel layer S. - 特許庁

シリコン基板に対し、１×１０^１３ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２以上５×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２以下のドーズ量でイオンを注入するイオン注入（ステップＳ１２ａ）した後、結晶回復熱処理を行うことなく、シリコン基板をエピタキシャル成長装置に搬送する（ステップＳ１３ａ）。例文帳に追加

A silicon substrate is conveyed to an epitaxial growth device (step S13a) without performing a crystal recovery heat treatment after ion implantation ( step S12a) for implanting ions in the silicon substrate by a dosage of 1×10^13 to 5×10^15 atoms/cm^2. - 特許庁

ＧａＮ系半導体とは異なる材料からなる結晶基板１の表面に凹凸（または段差）１ａを加工し、該凹凸の加工された表面に低温ＧａＮ系バッファ層を介することなく直接的にＧａＮ系結晶２を成長させ、ＧａＮ系結晶層３とする。例文帳に追加

Protrusions and recesses (or a level difference) 1a are formed on the surface of a crystal substrate 1 composed of a material different from a GaN-based semiconductor and a GaN-based crystal 2 is grown directly on the surface where protrusions and recesses are formed with no intermediary of a low temperature GaN-based buffer layer thus obtaining a GaN-based crystal layer 3. - 特許庁

この結晶欠陥領域の影響を防止するために気相成長法（ＶＰＥ）によって、１次種結晶２１の表面に所定厚さのＺｎＯ膜２を成膜し、結晶欠陥領域がＺｎＯ膜２の表面まで到達しないようにする。例文帳に追加

A ZnO film 2 of a prescribed thickness is deposited on the surface of the primary seed crystal 21 by a vapor phase growth process (VPE) for the purpose of preventing the influence of the crystal defect regions, by which the arrival of the crystal defect regions at the surface of the ZnO film 2 is prevented. - 特許庁

単結晶の絶縁性基板１上に、Ｓｉ濃度が４×１０^１９ｃｍ^−３以上である高濃度ＳｉドープＧａＮバッファ層２をエピタキシャル成長し、このＳｉドープＧａＮバッファ層２上に、エピタキシャル成長法により単結晶の結晶構造を有する窒化物半導体層３を形成する。例文帳に追加

A high density Si-doped GaN buffer layer 2 having an Si concentration of 4×10^19cm^-3 or higher is epitaxially grown on a single crystal insulating substrate 1, and the nitride semiconductor layer 3, having a crystal structure of a single crystal is formed by an epitaxially growing method. - 特許庁

基板上に予形成された窒化ガリウム（０００１）表面上に、ガリウム金属クラスタが成長阻害要因として生成されない比率以下で、窒素原子Ｎとガリウム原子Ｇａとの供給比を１：２以上としたガリウム原子供給過多状態において窒素原子Ｎとガリウム原子Ｇａとを供給することにより、分子線エピタキシャル法で窒化ガリウムを成長させる。例文帳に追加

Gallium nitride is grown by the molecular beam epitaxial method by supplying nitrogen atoms N and gallium atoms Ga under a gallium atom oversupply condition under which the supply ratio of nitrogen atoms N and gallium atoms Ga is set at 1:2 or above at a ratio at which gallium clusters are not formed as a factor to hinder their growth or below onto a gallium nitride (0001) surface preformed on a substrate. - 特許庁

本発明は、Ｓｔｘ１２、Ｖａｍｐ８、Ｂｃａｐ３１、Ｔｍ９ｓｆ４、Ｂｓｔ２、Ｉｌｖｂｌ、Ｒｄｈ１１、Ａｔｐ６ｖ０ｄ１、Ｔｓｐａｎ３１およびＭｙｏｆからなる群より選択される少なくとも１種の因子を含有してなる、γセクレターゼ活性調節因子を提供する。例文帳に追加

The γ secretase activity-regulating factor is provided by containing at least one of a factor selected from the group consisting of Stx12, Vamp 8, Bcap 31, Tm9sf4, Bst 2, Ilvbl, Rdh 11, Atp6v0d1, Tspan 31 and Myof. - 特許庁

ＩｎＰ基板１上にＮ含有ＩｎＧａＡｓ系層３をＭＢＥ法で成長させ、その後、６００℃以上８００℃未満の熱処理を施し、上記の熱処理により、Ｎ含有ＩｎＧａＡｓ系層３の平均水素濃度を２×１０^１７個／ｃｍ^３以下とする。例文帳に追加

On an InP substrate 1, an N-containing InGaAs-based layer 3 is grown by an MBE method and then heat treatment is carried out between 600 to 800°C to set the average hydrogen concentration of the N-containing InGaAs-based layer 3 to be 2×10^17 number/cm^3 or lower by the heat treatment. - 特許庁

更に、前記基板２の表面と前記絶縁層３の裏面との間に、Ａｌの単結晶から成る第１整合層１２を設け、前記隙間４および前記絶縁層３を覆う様に形成され、かつ前記成長層５の下に位置し、ＧａＡｌＮの単結晶から成る第２整合層１３を設けた。例文帳に追加

Further, a first matching layer 12 composed of single crystal of Al is arranged between a surface of the substrate 2 and backs of the insulating layers 3, and a second matching layer 13 is arranged which is formed so as to cover the gaps 4 and the insulating layers 3, positioned below the growth layer 5 and composed of single crystal of GaAlN. - 特許庁

コンタクトブロック１，２の対向面１ａ，２ａを起点として、互いの対向面に向かってそれぞれ複数本のＣＮＴ３ａ，３ｂを成長させてゆき、ＣＮＴ３ａ，３ｂを交差するように接触させて両者を電気的に接合してＣＮＴ束３を形成する。例文帳に追加

With counter surfaces 1a and 2a of contact blocks 1 and 2 as starting points, a plurality of CNT3a and 3b are made to grow toward the counter surface, respectively, so that the CNT 3a and 3b contact to cross each other, jointing both of them electrically, to form a CNT bundle 3. - 特許庁

Ａｌ電極層４および下地電極層５を、エピタキシャル成長した配向膜によって与え、Ａｌ電極層４の結晶の（１１１）面と下地電極層５の結晶の（００１）面あるいは（１００）面と圧電基板２の結晶の（００１）面とを互いに平行に配向させる。例文帳に追加

An epitaxially grown orientation film is provided to the aluminum electrode layer 4 and the background electrode layer 5, the (111) plane of the crystal of the aluminum electrode layer 4 and the (001) or (100) plane of the crystal of the background electrode layer 5 are oriented in parallel with the (001) plane of the crystal of the piezoelectric substrate 2. - 特許庁

第3期は律令制度が弛緩している時期にあたるため、第2期より大規模な造作が行われていることに多くの研究者が驚かされたが、現在では、当時の政庁運営で中心的役割を担っていた在庁官人層の拡大に対応するものと理解されている。例文帳に追加

Because the third period is when the ritsuryo system was lax, many researchers were surprised at that larger construction than the second-period buildings had been made, but currently, it is considered to correspond to expansion by local governmental officials who had a central role in operating the government.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

（ａ）で示すように、絶縁性基板であるサファイア基板１上に、ｎ型電極引出しのためのバッファ層となるｎ型ＧａＮ層２を成長させ、さらに絶縁膜であるＳｉＯ_２薄膜４を蒸着して開口部５を形成する。例文帳に追加

An n-type GaN layer 2 is grown as the buffer layer for extracting an n-type electrode on a sapphire substrate 1 which is an insulating substrate, and SiO_2 thin films 4 which are insulating films are vapor-deposited to form opening portions 5 as shown in (a). - 特許庁

コラム3-2-3図②は経営者の経験年数別の利益の傾向を示しているが、経営者の経験年数が上がるにつれて、減益傾向となっており、中小企業が成長を持続していくためには、事業承継による企業の若返りが重要である。例文帳に追加

Column Fig. 3-2-3(2) shows the profit trends by the number of years of the president’s work experience. It indicates lower profits as the number of years rises. A renewal by business succession is needed for SMEs to realize continuous growth.  - 経済産業省

学生の職業観の醸成や働くことに対する理解を深めてもらうとともに、成長企業（中堅・中小・ベンチャー企業）の魅力発信・人材確保を目的に、全国に11 の地域プロジェクトチーム（管理法人・経済団体・企業・大学）を組成し、人文・社会科学系の大学1、2 年生を主なターゲットに、大学内での魅力的な成長企業の経営者等によるリレー講座、大学外での成長企業等の取材や就業体験を通じた魅力発信レポートの作成を行った。例文帳に追加

In order to improve students’ occupational awareness and strengthen their understanding of what it means to work, 11 regional project teams (consisting of representatives of management corporations, business organizations, enterprises, and universities) were set up around Japan to publicize the attractions of working at growth enterprises (small, medium, mid-tier, and venture enterprises) and the employment opportunities offered by them. Targeting mainly first- and second-year university students in the humanities and social sciences, these teams organized on-campus “relay” lectures taught in turn by the proprietors of attractive growth enterprises. Off campus, meanwhile, they produced reports highlighting the attractions of SMEs based on interviews conducted at growth enterprises and students’ experiences of their internships at these and other enterprises.  - 経済産業省

かかる光集積素子１００は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体多層膜を成長させる際に、ＥＡ型変調器２を構成する上部クラッド層１６の厚さを、ＤＦＢ半導体レーザ１を構成する上部クラッド層４６よりも薄く成膜し、メサエッチングすることにより形成される。例文帳に追加

Such an integrated element 100 is formed by thinning an upper clad layer 16 constituting the modulator 2 to thinner than an upper clad layer 46 constituting the semiconductor laser 1 when a group III-V compound semiconductor multilayer film is grown and mesa etching the film. - 特許庁

かかる光集積素子１００は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体多層膜を成長させる際に、ＥＡ型変調器２を構成する上部クラッド層１６の厚さを、ＤＦＢ半導体レーザ１を構成する上部クラッド層４６よりも厚く成膜し、メサエッチングすることにより形成される。例文帳に追加

Such an integrated element 100 is formed by thickening an upper clad layer 16 for constituting the modulator 2 to thicker than an upper clad layer 46 for constituting the semiconductor laser 1 and mesa etching the film when a group III-V compound semiconductor multilayer film is grown. - 特許庁

誘導結合型プラズマＣＶＤ装置を用いて、そのバイアス電力Ｐ_ＢＩＡＳを制御することによって膜応力を調整して、複数のIII−Ｖ化合物半導体層を含む半導体積層上に、厚さ２マイクロメートル以上のシリコン酸化膜を成長する。例文帳に追加

A silicon oxide film of a thickness more than 2 μm is grown on a semiconductor layer including a plurality of III-V compound semiconductor layers by adjusting film stress by using an induction coupled plasma CVD device and controlling bias power P_BIAS. - 特許庁

濃度２０％以上のＨＣｌガスを用いて、１０００℃以上１２００℃以下でパージ処理し、表面粗さＲ_ｍｓを０．１８ｎｍ以上としたシリコン基板１上に、ＳｉＧｅ層２をエピタキシャル成長させることを特徴とする半導体基板の製造方法を用いる。例文帳に追加

The method of producing a semiconductor substrate characterised in that an SiGe layer 2 is grown epitaxially on the silicon substrate 1 subjected to purging at a temperature of 1,000-1,200°C using HCl gas having a concentration of 20% or above to have a surface roughness R_ms of 0.18 nm or above, is used. - 特許庁

その後、（ｂ）で示すように前記開口部５内で露出したｎ型ＧａＮ層２を種結晶としてＧａＮ：Ｚｎナノコラム６を成長させた後、有機金属ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳを含む水溶液をスピンコートし、ベークすることで、（ｃ）で示すようにｐ型層７を形成する。例文帳に追加

Then, GaN:Zn nanocolumns 6 are grown using the n-type GaN layer 2 exposed in the opening portions 5 as seed crystal as shown in (b), and then a solution containing organic metal PEDOT:PSS is spin-coated and baked to form a p-type layer 7 as shown in (c). - 特許庁

第百六条　行政庁は、第百五条の三第二項の規定により報告を徴し、又は第百五条第二項若しくは前条第一項の規定により検査をした場合において、組合若しくは中央会の業務若しくは会計が法令若しくは法令に基づいてする行政庁の処分若しくは定款、規約、共済規程若しくは火災共済規程に違反し、又は組合若しくは中央会の運営が著しく不当であると認めるときは、その組合又は中央会に対し、期間を定めて必要な措置を採るべき旨を命ずることができる。例文帳に追加

Article 106 (1) In the case when an administrative agency has collected reports pursuant to the provisions of Article 105-3, paragraph (2) or has carried out an inspection pursuant to the provisions of Article 105, paragraph (2) or paragraph (1) of the preceding Article, if it finds that the operations or accounting of the cooperative or the FSBA violates a law or an ordinance, a disposition given by an administrative agency based on a law or an ordinance, the articles of association, the constitution, mutual aid rules or fire mutual aid rules, or that the administration of the cooperative or the FSBA is extremely unjust, it may order the cooperative or the FSBA to take necessary measures within a certain period.  - 日本法令外国語訳データベースシステム