きへいちょう１ちょうめの英語

長官が(1)に基づいてされた請求を認めるときは，長官は，特許登録簿の記入をそれに応じて変更させなければならない。例文帳に追加

If the Controller allows a request made under sub-rule (1), he shall cause the entries in the register to be altered accordingly.発音を聞く  - 特許庁

溶融亜鉛めっき鋼板の調質圧延において、第1調質圧延により、めっき鋼板の平均粗さRaを0.25μm以下とし、次いで第2調質圧延により、平均粗さRaを0.8μm〜2.0μm、うねりWcaを0.70μm以下に調整する。例文帳に追加

In the skinpass rolling of the galvanized steel sheet, the galvanized steel sheet is made to ≤0.25 μm average roughness Ra with the first skinpass rolling and successively, this steel sheet is adjusted to 0.8-2.0 μm average roughness Ra and ≤0.70 μm waveness Wca with the second skinpass rolling. - 特許庁

特に、埋め込み層２は、成長障壁層１の凹部Ｄ内にも成長するため、凹部内横方向成長によって、埋め込み層２内の結晶転位が低減する。例文帳に追加

Especially, the buried layer 2 is grown also inside a concave portion D of the growth barrier layer 1, and hence crystal dislocation inside the buried layer 2 is reduced by the lateral growth inside the concave portion. - 特許庁

そして、輝度分布量の少ない階調側より輝度分布量の多い階調側に向かって、順に頻度の和を算出して行き、その頻度の和が、上記平均輝度に達した階調を求める。例文帳に追加

Then, the luminance expansion processing part 1 sequentially calculates the sum of frequencies from a gradation side having a smaller luminance distribution amount toward a gradation side having a larger luminance distribution amount and finds a gradation in which the sum of frequencies reaches the average luminance. - 特許庁

ソース信号線に書き込む階調が０階調目から低階調目に変化する時は、最上位ビットのＤ５スイッチが１Ｈの最初から１／（２Ｈ）の期間オンする。例文帳に追加

When gradation to be written in the source signal line is changed from 0-th gradation to low gradation, the switch D5 of the uppermost bit is turned on in a 1/(2H) period from the top of 1H. - 特許庁

大正8年1月29日、西久保は大日本武徳会の副会長と武術専門学校長になり、名称変更を主張。例文帳に追加

On January 29, 1919, Nishikubo assumed the posts of vice-president of Dai Nippon Butoku Kai and the principal of Bujutsu Senmon Gakko, and insisted on changing the name.発音を聞く  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

無機粒子２を媒体に分散させたスラリーを用いて、該スラリー中へ成長用基板１を浸漬させるか、または該スラリーを成長用基板１上に塗布や噴霧した後、乾燥させることにより、成長用基板１の表面１Ａ上に無機粒子２を配置する。例文帳に追加

The method comprises disposing inorganic particles 2 on a surface 1A of a substrate 1 for growing by using a slurry obtained by dispersing the inorganic particles 2 in a medium, and by dipping the substrate 1 for growing into the slurry or by coating or spraying the slurry onto the substrate 1 for growing and drying it. - 特許庁

チョクラルスキー法により炭素をドープしてシリコン単結晶１を製造する方法において、結晶成長時に、結晶成長方向に対して垂直面内の結晶中心部１５が成長する平均速度と結晶周辺部１６が成長する平均速度との差を±０．１ｍｍ／ｍｉｎ以内となるようにして結晶１を成長する。例文帳に追加

The production method of a silicon single crystal 1 by Czochralski method by doping with carbon is disclosed, wherein the crystal 1 is grown by controlling the difference between an average growing rate of the crystal center portion 15 within a plane perpendicular to the crystal growth direction and an average growing rate of the crystal peripheral portion 16 to be within ±0.1 mm/min during growing the crystal. - 特許庁