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こつまくこつずいえんの英語
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「こつまくこつずいえん」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 1293件
ヒューズを覆ってＳｉＯＮ膜、ＳｉＮ膜、ＳｉＯ_2膜をこの順序で形成した後、エッチングストッパ膜であるＳｉＮ膜までエッチングすることにより、ヒューズ上に均一で所望の膜厚のＳｉＯＮ膜を形成する。例文帳に追加
Then, etching is conducted up to the etching stopper film, SiN film so that an SiON film with an desirable even thickness is formed on the fuse. - 特許庁
まず、アルミニウム系ワークの表面に存在するＡｌ_2Ｏ_3（酸化物）膜を除去する（除去工程Ｓ１）。例文帳に追加
First, an Al2O3 (oxide) film existing on the surface of an aluminum-based workpiece is removed (removing process S1). - 特許庁
ＯＮＯ 積層膜の第２の絶縁膜（トップ絶縁膜）６ は、シリコン酸化膜または電荷蓄積層よりも酸素組成の多いシリコン酸窒化膜、または、Ａｌ_２ Ｏ_３膜、ＺｒＳｉＯ 膜、ＨｆＳｉＯ 膜、ＨｆＳｉＯＮ膜、ＺｒＳｉＯＮ膜またはそれらの積層膜のいずれかからなる。例文帳に追加
A second insulation layer (top insulation layer) 6 of the ONO laminate film is composed of a silicon oxide film, a silicon oxide nitride film having oxygen compositions more than a charge storage layer, Al_2O_3 film, ZrSiO film, HfSiO film, HfSiON film, ZrSiON film, or laminate film thereof. - 特許庁
良好なラバー触感を発現しつつ、塗膜が削りカスとして残存しにくい鉛筆を提供する。例文帳に追加
To provide a pencil of which the coating film is hardly left as shavings, while revealing an excellent feel of rubber. - 特許庁
塗布法によって、Ｉｎ−Ｇａ、Ｉｎ−Ｚｎ、Ｚｎ−Ｇａ、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ、Ｚｎ−Ａｌの酸化物薄膜を、組成ずれを起こさず簡便に形成することの出来る塗布溶液を提供する。例文帳に追加
To provide an application solution which enables an oxide thin film of In-Ga, In-Zn, Zn-Ga, In-Ga-Zn, Zn-Al to be easily formed by an application method without causing any composition deviation. - 特許庁
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「こつまくこつずいえん」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 1293件
ここで、レンズ１３０は、その屈折率が「２」程度のシリコン窒化膜（Ｓｉ_3Ｎ_4）からなる。例文帳に追加
The lens 130 is formed of a silicon nitride film (Si_3N_4) whose refractive index is about '2'. - 特許庁
打ち水のコツとしては、朝夕の涼しい時間帯に地面や家の壁などに、バケツなどにためた水を少量ずつ撒くのが良い。例文帳に追加
The knack of doing Uchimizu is to sprinkle, in the morning or evening when air temperature is low, water stored in a bucket little by little on the ground or the wall of a house.発音を聞く - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
更に、Ａｌ_2Ｏ_3膜２０上に、例えば高密度プラズマ法によりシリコン酸化膜２３を形成する。例文帳に追加
Further, on the Al_2O_3 film 20, a silicon oxide film 23 is formed by the high density plasma method for instance. - 特許庁
ＳｉＮ膜２２上に、成膜温度３００℃前後のプラズマＣＶＤ法により、ＳｉＮ膜２４（第２の絶縁膜）を形成する。例文帳に追加
A SiN film 24 (a second insulating film) is formed on the SiN film 22 at a film forming temperature of about 300°C by a plasma CVD method. - 特許庁
ＳｉＮ保護絶縁膜３９は、高密度プラズマＣＶＤ装置によって成膜される。例文帳に追加
The SiN protection insulating film 39 is formed by a high-density plasma CVD device. - 特許庁
プラズマ処理がなされるＴｉＮ膜のような薄膜の膜質を改善することのできるプラズマ処理装置及び方法を提供すること。例文帳に追加
To provide a plasma treatment apparatus for improving the quality of a thin film such as a TiN film formed by plasma treatment, and to provide a plasma treatment method. - 特許庁
まず、非鉄金属製ワークの表面に存在する酸化物膜を除去する（除去工程Ｓ１）。例文帳に追加
First, an oxide film existing on the surface of a nonferrous metallic workpiece is removed (removing process S1). - 特許庁
また、冷却水シールを固体高分子電解質膜の外縁より外に設けて、電解質膜が冷却水に直接触れない構造にした。例文帳に追加
Moreover, the cooling water seal is fitted further outside than an outer edge of the solid polymer electrolyte film, so that the electrolyte film is not to be in direct contact with the cooling water. - 特許庁
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