「こつまくこつずいえん」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

良好なラバー触感を発現しつつ、塗膜が削りカスとして残存しにくい鉛筆を提供する。例文帳に追加

To provide a pencil of which the coating film is hardly left as shavings, while revealing an excellent feel of rubber. - 特許庁

塗布法によって、Ｉｎ−Ｇａ、Ｉｎ−Ｚｎ、Ｚｎ−Ｇａ、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ、Ｚｎ−Ａｌの酸化物薄膜を、組成ずれを起こさず簡便に形成することの出来る塗布溶液を提供する。例文帳に追加

To provide an application solution which enables an oxide thin film of In-Ga, In-Zn, Zn-Ga, In-Ga-Zn, Zn-Al to be easily formed by an application method without causing any composition deviation. - 特許庁

ここで、レンズ１３０は、その屈折率が「２」程度のシリコン窒化膜（Ｓｉ_3Ｎ_4）からなる。例文帳に追加

The lens 130 is formed of a silicon nitride film (Si_3N_4) whose refractive index is about '2'. - 特許庁

打ち水のコツとしては、朝夕の涼しい時間帯に地面や家の壁などに、バケツなどにためた水を少量ずつ撒くのが良い。例文帳に追加

The knack of doing Uchimizu is to sprinkle, in the morning or evening when air temperature is low, water stored in a bucket little by little on the ground or the wall of a house.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

更に、Ａｌ_2Ｏ_3膜２０上に、例えば高密度プラズマ法によりシリコン酸化膜２３を形成する。例文帳に追加

Further, on the Al_2O_3 film 20, a silicon oxide film 23 is formed by the high density plasma method for instance. - 特許庁

ＳｉＮ膜２２上に、成膜温度３００℃前後のプラズマＣＶＤ法により、ＳｉＮ膜２４（第２の絶縁膜）を形成する。例文帳に追加

A SiN film 24 (a second insulating film) is formed on the SiN film 22 at a film forming temperature of about 300°C by a plasma CVD method. - 特許庁

ＳｉＮ保護絶縁膜３９は、高密度プラズマＣＶＤ装置によって成膜される。例文帳に追加

The SiN protection insulating film 39 is formed by a high-density plasma CVD device. - 特許庁

プラズマ処理がなされるＴｉＮ膜のような薄膜の膜質を改善することのできるプラズマ処理装置及び方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a plasma treatment apparatus for improving the quality of a thin film such as a TiN film formed by plasma treatment, and to provide a plasma treatment method. - 特許庁

まず、非鉄金属製ワークの表面に存在する酸化物膜を除去する（除去工程Ｓ１）。例文帳に追加

First, an oxide film existing on the surface of a nonferrous metallic workpiece is removed (removing process S1). - 特許庁

また、冷却水シールを固体高分子電解質膜の外縁より外に設けて、電解質膜が冷却水に直接触れない構造にした。例文帳に追加

Moreover, the cooling water seal is fitted further outside than an outer edge of the solid polymer electrolyte film, so that the electrolyte film is not to be in direct contact with the cooling water. - 特許庁

湿潤接着性エポキシ樹脂を用いた防水膜成形止水工法例文帳に追加

CONSTRUCTION METHOD FOR FORMING OF WATERPROOF FILM AND CUT-OFF, USING WET ADHESIVE EPOXY RESIN - 特許庁

被膜材を構成する金属元素がＡｌ、Ｓｉ、希土類のいずれか１つ以上からなる。例文帳に追加

One or more elements of Al, Si, and rare earth elements are used as metal elements for composing the covering material. - 特許庁

シリコン基板１上に高耐圧絶縁膜ＩＨ１を形成した後、高耐圧絶縁膜ＩＨ１の表面を削って膜厚を薄くし、高耐圧絶縁膜ＩＨ１と隣接するようにして中耐圧絶縁膜ＩＭ１を形成する。例文帳に追加

After a high-breakdown-voltage insulating film IH1 is formed on a silicon substrate 1, a surface of the high-breakdown-voltage insulating film IH1 is ground to decrease the thickness of the film, and an intermediate-breakdown-voltage insulating film IM1 is formed adjacent to the high-breakdown-voltage insulating film IH1. - 特許庁

Ａｌ配線３２に絶縁膜（ＳｉＯＦ膜）３４を施す際には、まず、Ａｌ配線と絶縁膜とに対して密着性の高い密着膜（ＳｉＯ_x 膜）３３を、Ａｌ配線を覆うように形成し、その後、この密着膜を覆うようにして絶縁膜を形成する。例文帳に追加

In forming the insulating film (SiOF film) 34 to an Al wiring 32, firstly, an adhesive film (SiOX film) 33 having high adhesiveness to the Al wiring and the insulating film is formed so as to cover the Al wiring, and then the insulating film is formed so as to cover the adhesive film. - 特許庁

製塩に用いられる陽イオン交換膜について、従来使用されている膜と比較し、電気抵抗を増加させずに、濃縮性能を向上させる。例文帳に追加

To provide a cation exchange membrane used for producing edible salt, improving concentrating performance without increasing electric resistance as compared with those of conventionally used membranes. - 特許庁

製塩に用いられる陰イオン交換膜について、従来使用されている膜と比較し、電気抵抗を増加させずに、濃縮性能を向上させる。例文帳に追加

To provide an anion exchange membrane used for producing edible salt, improving concentrating performance without increasing electric resistance as compared with those of conventionally used membranes. - 特許庁

製塩に用いられる陰イオン交換膜について、従来使用されている膜と比較し、電気抵抗を増加させずに、濃縮性能を向上させる。例文帳に追加

To enhance condensation performance without increasing electric resistance as compared with a conventionally used membrane regarding an anionic exchange membrane used for manufacturing a salt. - 特許庁

漏洩制御膜は、Ｍｇ膜、Ｔａ膜、Ａｌ膜、Ｚｒ膜、Ｈｆ膜、ポリシリコン膜、導電性炭素群膜及びＮｂ膜からなる一群から選択された一つで形成される。例文帳に追加

The leakage control layer is formed of one selected from a group of Mg layer, Ta layer, Al layer, Zr layer, Hf layer, polysilicon layer, conductive carbon group layer and Nb layer. - 特許庁

この封止メタライズ膜の表面部には、Ａｌを主成分とするメタライズ膜上に、Ｓｎ、Ｔｉのうち、少なくとも一つを主成分とするメタライズ膜、またはこれらを組み合わせたメタライズ膜が形成されている。例文帳に追加

A metallization film mainly composed of at least one of Sn and Ti or a metallization film of combining these, is formed on a metallization film mainly composed of Al in a surface part of this sealed metallization film. - 特許庁

非水電解質二次電池用多孔質膜の製造方法、非水電解質二次電池用電極の製造方法、非水電解質二次電池用多孔質膜および非水電解質二次電池用電極並びに非水電解液二次電池例文帳に追加

MANUFACTURING METHOD OF POROUS MEMBRANE FOR NONAQUEOUS ELECTROLYTE SECONDARY BATTERY, MANUFACTURING METHOD OF ELECTRODE FOR NONAQUEOUS ELECTROLYTE SECONDARY BATTERY, POROUS MEMBRANE FOR NONAQUEOUS ELECTROLYTE SECONDARY BATTERY, ELECTRODE FOR NONAQUEOUS ELECTROLYTE SECONDARY BATTERY AND NONAQUEOUS ELECTROLYTIC-SOLUTION SECONDARY BATTERY - 特許庁

シリコン基板の上に、ＬａＡｌＯ_ｘ膜およびＰｒＡｌＯ_ｘ膜のいずれか一方の絶縁膜を形成する工程と、この絶縁膜の上にゲート電極を形成する工程と、この絶縁膜をｐＨ９〜１０の薬液を用いてウェットエッチングする工程とを有する。例文帳に追加

The method of manufacturing the semiconductor device includes a step of forming an insulating film, either an LaAlO_x film or PrAlO_x film, on a silicon substrate, a step of forming a gate electrode on the insulating film, and a step of wet-etching the insulating film by using a liquid chemical of 9-10 in pH. - 特許庁

固体電解質膜に水を湿潤させる工程（Ｓ１００）と、前記固体高分子電解質膜に水を湿潤させた状態で、当該固体高分子電解質膜をヒートプレスする工程（Ｓ１０２）と、により作製した固体高分子電解質膜を用いて燃料電池を作製する（Ｓ１０４）。例文帳に追加

A fuel cell is manufactured with the solid polymer electrolyte membrane prepared in a process (S100) wetting the solid polymer electrolyte membrane with water, and a process (S102) heat-pressing the solid polymer electrolyte membrane which is wetted with water. - 特許庁

固体電解質膜に水を湿潤させる工程（Ｓ１００）と、前記固体高分子電解質膜に水を湿潤させた状態で、当該固体高分子電解質膜をヒートプレスする工程（Ｓ１０２）と、により作製した固体高分子電解質膜を用いて燃料電池を作製する（Ｓ１０４）。例文帳に追加

The fuel cell is manufactured (S104) by using the polymer electrolyte membrane manufactured by: a step (S100) for wetting a solid electrolyte film with water; and a step (S102) for heat-pressing the polymer electrolyte membrane with the polymer electrolyte membrane in a wetted state in water. - 特許庁

さらに、成膜するアモルファス酸化物半導体としてはＩｎＧａＺｎＯ、ＩｎＷＯ、ＩｎＷＺｎＯまたはＩｎＷＳｎＯが好ましい。例文帳に追加

Furthermore, InGaZnO, InWO, InWZnO or InWSnO is preferable as the amorphous oxide semiconductor to be deposited. - 特許庁

着色薄膜形成液をノズルでランプバルブの表面全体に吹き付けることによって、着色薄膜形成液を節約すると共に廃液を減少し、塗布される着色薄膜形成液の膜厚制御を可能とする。例文帳に追加

To save colored thin-film forming liquid while reducing waste liquid, and to control the film thickness of the colored thin-film forming liquid applied, by spraying the colored thin-film forming liquid onto the entire surface of a lamp bulb from a nozzle. - 特許庁

本発明は、プラズマ原子層堆積法（プラズマＡＬＤ法）の下地の絶縁膜の絶縁性能を低下させず、プラズマＡＬＤ法での膜形成により高精度の抵抗素子の形成を可能にする。例文帳に追加

To make it possible to form a high accurate resistance element through film formation by a plasma atomic layer deposition method (plasma ALD method) without reducing any insulating performance of an insulating film as a grounding in the plasma ALD method. - 特許庁

浸漬膜活性汚泥処理による水処理において、浸漬膜の目詰まり、また後段でＲＯ膜による処理を行う場合はＲＯ膜の目詰まりが急激に生じず、現像廃液含有原水の水処理、または水回収を安定して行うことができる水処理方法を提供する。例文帳に追加

To provide a water treating method by which clogging of a dipped membrane or clogging of a reverse osmosis membrane when performing treatment by the reverse osmosis membrane at a latter stage does not rapidly occur and water treatment or water recovery of waste developing solution-containing raw water can be stably performed in water treatment by a dipped membrane activated sludge treatment. - 特許庁

即ち、先ず従来と同様に多結晶シリコン膜４をパターン形成し、層間絶縁膜４上に多結晶シリコン膜と接触するようにＡｌ膜を形成した後、熱処理することにより、層間絶縁膜９内の多結晶シリコン膜９をＡｌで置換する。例文帳に追加

Namely, a polycrystalline silicon film 4 is first patterned similar to a conventional device, an Al film is formed on a layer insulating film 9 in contact with the polycrystalline silicon film, and heat treatment is then conducted to substitute a polycrystalline silicon film 4 in the layer insulating film 9 with Al. - 特許庁

ＣＶＤ法により、各種基板の表面に、高品質、高純度のＺｎＡｌＯ膜、ＺｎＭｇＯ膜、ＭｇＡｌＯ膜、ＺｎＯ膜、ＭｇＯ膜等の透明導電膜を成膜するためのＣＶＤ原料、及びそれを用いた気化供給方法並びに成膜方法を提供する。例文帳に追加

To provide a CVD raw material for depositing a transparent conductive film having high quality and high purity such as a ZnAlO film, a ZnMgO film, a MgAlO film, a ZnO film, and a MgO film on a surface of various substrates by the CVD method, and to provide a vaporization feed method, and a film deposition method using the CVD raw material. - 特許庁

まず、フォトレジスト膜２５ｃをマスクとしてストッパ絶縁膜２１ｃ／低誘電率絶縁膜２２ｃ／キャップ絶縁膜２３ｃからなる積層絶縁膜２４ｃ中のストッパ絶縁膜２１ｃを含めた状態までドライエッチングすることによって、積層絶縁膜２４ｃに配線溝３２を形成する。例文帳に追加

In the method of manufacturing the semiconductor device, first, with a photo resist film 25c as a mask; a multilayer insulation film 24c consisting of a stopper insulation film 21c, the low dielectric constant insulation film 22c, and a cap insulation film 23c is dry etched including the stopper insulation film 21c to form a wiring groove 32 in the multilayer insulation film 24c. - 特許庁

続いて、硬化ポジ型フォトレジスト５の上にＡｌ膜６を形成し（図１（ｃ））、Ａｌ膜６をパターニングする（図１（ｄ）、（ｅ））。例文帳に追加

Successively, an aluminum film 6 is formed on the hardening positive type photoresist 5 (Fig.c) to pattern the aluminum film 6 (Fig.d, Fig.e). - 特許庁

硬化性の被照射物に活性エネルギー線を照射して艶消し皮膜を形成する方法であって、艶消し剤を使用せず、また後工程も必要とせず、安定に且つ容易に艶消し皮膜を形成する方法の提供。例文帳に追加

To provide a method for stably and easily forming a matte film without using a matting agent and without requiring an after-processing in the method for forming the matte film in which a curable article to be irradiated is irradiated with active energy rays. - 特許庁

ここで、トップゲート絶縁膜１０にコンタクトホール３２をドライエッチングにより形成すると、ＩＴＯ膜３１ｂの上面が露出されるが、その下の金属膜３１ａの上面は露出されず、金属膜３１ａの上面にドライエッチングに起因する変質層が形成されることはない。例文帳に追加

Here, if the contact hole 32 is formed in the top gate insulating film 10 by dry etching, the top surface of the ITO film 31b is exposed, however, the top surface of the metal film 31a below it is not exposed and it is unlikely that an altered layer resulting from dry etching is formed on the metal film 31a. - 特許庁

まず、第１のクリーニング工程で、処理室内の温度を３００℃とすることで、ＳｉＮ膜／石英エッチングレート選択比を上げ、成膜工程において石英製部材に付着したＳｉＮ膜を主に除去する。例文帳に追加

Firstly, in a first cleaning step, a SiN film/quartz etching-rate-selection ratio is increased by setting a temperature in the treatment chamber to 300°C to mainly remove the SiN film attached to the quartz memeber in the film forming process. - 特許庁

サファイア基板とＧａＮ厚膜との間で発生するストレスを和らげる中間層のＧａＮ中間層をサファイア基板上にまず成長させ、その上に続いてＧａＮ厚膜を成長させることによって無クラックＧａＮ厚膜が得られ、これより基板を分離してＧａＮウェーハを得る。例文帳に追加

A GaN intermediate layer relaxing stress generated between a sapphire substrate and a GaN thick film is first grown on the sapphire substrate, and successively, the GaN thick film is grown thereon to obtain a crack- free GaN thick film, and the substrate is separated therefrom, by which a GaN wafer is obtained. - 特許庁

次に、層間絶縁膜１１をドライエッチングし（図１Ｂ）、コンタクトホール１２を形成する。例文帳に追加

Then, the interlayer insulation film 11 is dry-etched (Figure 1B) to form a contact hole 12. - 特許庁

次に、２層目のｐ−ＳｉＮｘをＴａをエッチングストップ層として削りこみ、ヒータ保護膜それぞれに必要な膜厚を実現する。例文帳に追加

Next, the p-SiNx layer as the second layer is shaved using the Ta as an etching stopping layer, then, the heater protection membrane can obtain the required membrane thickness in respective membranes. - 特許庁

第１および第２窒化物半導体ガイド層１３、１５が、ＩｎＮ、Ｉｎ_ｘＧａ_ｙＡｌ_（１−ｘ−ｙ）Ｎおよび組成の異なるＩｎ_ｘＧａ_ｙＡｌ_（１−ｘ−ｙ）Ｎ積層膜のいずれか１つである。例文帳に追加

The first and the second nitride semiconductor guide layers 13, 15 are each composed of any one of InN, In_xGa_yAl_(1-x-y) N, and In_xGa_yAl_(1-x-y) N laminated film of different compositions. - 特許庁

その後、Ａｌ_２Ｏ_３膜を覆う高密度プラズマ絶縁膜を、Ｏ_２ガス及びＳｉＨ_４ガスを用いて形成する。例文帳に追加

Thereafter, a high density plasma insulating film covering the Al_2O_3 film is formed by using O_2 gas and SiH_4 gas. - 特許庁

この水崩壊性Ａｌ膜を備えた成膜室用構成部材を用いて長時間成膜処理した後、成膜材料が厚く付着した構成部材から成膜材料を回収する。例文帳に追加

The constitution member for the deposition chamber provided with the water collapsible Al film is used and is subjected to a deposition treatment for a long time and thereafter the deposition material is recovered from the constitution member thickly stuck with the deposition material. - 特許庁

バリヤーメタルを間に設けず、直接Ａｌ配線と透明導電膜が直接接合しているので、製造工程を簡略化することができる。例文帳に追加

The Al wiring and the transparent conductor film are in direct contact with each other without a barrier metal in between. - 特許庁

シリコン基板の上に、ＹＡｌＯ_ｘ膜、ＧｄＡｌＯ_ｘ膜およびＤｙＡｌＯ_ｘ膜よりなる群から選ばれるいずれか１の絶縁膜を形成する工程と、この絶縁膜の上にゲート電極を形成する工程と、この絶縁膜をｐＨ８〜９の薬液を用いてウェットエッチングする工程とを有する。例文帳に追加

The method of manufacturing the semiconductor device includes a step of forming an insulating film selected from among a group composed of an YAlO_x film, GdAlO_x film and DyAlO_x film on a silicon substrate, a step of forming a gate electrode on the insulating film, and a step of wet-etching the insulating film by using a liquid chemical of 8-9 in pH. - 特許庁

Ｇａ_ｘＩｎ_ｙＺｎ_ｚ酸化物及び新たな物質を含む酸化物半導体及び薄膜トランジスタのチャンネルとしてＧａ_ｘＩｎ_ｙＺｎ_ｚ酸化物及び新たな物質を付加して、その特性を向上させた酸化物半導体を含む薄膜トランジスタとその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an oxide semiconductor containing Ga_xIn_yZn_z oxide and a new material, and to provide a thin film transistor whose property is improved by adding the Ga_xIn_yZn_z oxide and the new material as the channels of the thin film transistor, and its manufacturing method. - 特許庁

個々の島状銀電極１１５１の間はＩｎＺｎＯ膜１１５２によって導通している。例文帳に追加

Electrical conduction between the island-shaped silver electrodes 1151 is established by the InZnO film 1152. - 特許庁

従来の超微細構造で複雑な第１〜第ｎ被覆膜等を必要とせずに、水素透過膜、及び、電解質膜の緻密かつ均一な薄膜化を図ることが可能となり、さらに、多孔質支持体を金属粉末のみから低コストで構成できる新たな燃料電池部材を提供する。例文帳に追加

To provide a new fuel cell member that reduces thicknesses of a hydrogen permeable membrane and electrolyte membrane accurately and uniformly without requiring the first to n-th complicated coating membranes or the like in a conventional ultrafine structure, and also can structure a porous support formed of only metal powder at low cost. - 特許庁