さんぴない４ちょうめの英語

表面に酸化膜が形成されたシリコン基板などの基板４上に触媒ＣＶＤ法により窒化シリコン層１０を成長させる場合に、少なくとも成長初期に成長雰囲気の全圧を１．３３×１０^-3Ｐａ以上４Ｐａ以下に設定し、あるいは、少なくとも成長初期に成長雰囲気における酸素および水分の分圧を６．６５×１０^-10 Ｐａ以上２×１０^-6Ｐａ以下に設定する。例文帳に追加

When a silicon nitride layer 10 is formed on a substrate 4 like a silicon substrate with an oxide film on its surface in a catalytic CVD method, the total pressure of growth atmosphere is set from 1.33×10^-3 Pa to 4 Pa in at least an early stage. - 特許庁

そして、エピタキシャル成長を行い、多孔質シリコン層３の表面にエピタキシャル膜４を形成する。例文帳に追加

An epitaxial film 4 is formed on the surface of porous silicon layer 3 through the epitaxial growth. - 特許庁

そして気水分離器１を保管用プール３の底面に位置決め用ピン４に案内して載置し、その位置決めピン４に延長された棒体５に案内して、蒸気乾燥器８のフランジ部９を枠体７に載置する。例文帳に追加

A steam separator 1 is guided to positioning pins 4 at the bottom of the pool 3 for storage to be placed and guided to rods 5 extended from the positioning pins 4, and the flange part 9 of the steam dryer 8 is placed on the frame 7. - 特許庁

１３０℃における貯蔵弾性率Ｇ’（１３０）が１．０×１０^4Ｐａ以上であり、１３０℃における透明トナーの溶融粘度η（１３０）が１．０×１０^4Ｐａ・ｓ以下であることを特徴とする。例文帳に追加

Transparent toner for electrophotography has a storage elastic modulus G' (130) of 1.0×10^4 Pa or more at 130°C, and melt viscosity η (130) of 1.0×10^4 Pa s or less at 130°C. - 特許庁

またボード１の側面にペン止め３を固定具４によりつけるため、側面に取り付けてあるペン止め３がノート・手帳の横にぴったりと沿う形になり、バックの中に入れても邪魔にならない。例文帳に追加

Since a pen stopper 3 is fixed to a side face of the board 1 by a fixing tool 4, the pen stopper 3 attached to the side face is tightly fitted to the side of the note and the notebook, and causes no obstacle even i it is placed in a bag. - 特許庁

ｎ型ＧａＡｓ基板１上に、バッファ層２、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３、活性層４、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層５、ｐ−ＧａＩｎＰステップバンチング発生層６、ｐ−ＧａＩｎＰ秩序構造形成層（自然超格子層）７をエピタキシャル成長させ、メサ構造を形成する。例文帳に追加

A buffer layer 2, an n-AlGaInP clad layer 3, an active layer 4, a p-AlGaInP clad layer 5, a p-GaInP step-punching generation layer 6, and a p-GaInP ordered-structure formation layer (a spontaneous superlattice layer) 7, are epitaxially grown on an n-type GaAs substrate 1, and a mesa structure is formed. - 特許庁

ベース３とピン４はそれぞれ異なる熱膨張率の材料を用い、常温で嵌め合いによる嵌合によって、搭載機器２を拘束している。例文帳に追加

The base 3 and the pin 4 are formed by using materials of different coefficients of thermal expansion, and restrict the mounting apparatus 2 by the fitting at normal temperature. - 特許庁

門扉１を門柱４に丁番５を介してボルト止めする門扉の取り付け構造において、丁番５の門柱側ボルト孔１３および門扉側ボルト孔１４を横長に形成する。例文帳に追加

In this gate door mounting structure, the gate door 1 is bolt- fastened to a gate post 4 through a hinge 5, and a gate post side bolt hole 13 and a gate door side bolt hole 14 of the hinge 5 are formed in laterally long shape. - 特許庁