ちえみなとの英語

高耐圧半導体スイッチング素子において、スイッチング動作に必要な第１エミッタ領域１０４とは別に、電流検出回路に電気的に接続され且つセンス抵抗１２３を通じて第１エミッタ領域１０４と電気的に接続された第２エミッタ領域１１０が形成されている。例文帳に追加

Aside from a first emitter region 104 needed for a switching operation, there is formed a second emitter region 110 that is electrically connected to a current detection circuit and yet electrically connected to the first emitter region 104 through a sense resistor 123 in a high-withstand voltage semiconductor switching element. - 特許庁

ベース領域３の表面のうちエミッタ領域５から離間した位置に、エミッタ領域５に対して対称なパターンで互いに離間して形成された少なくとも一対のコレクタ領域６Ａ，６Ｂを備える。例文帳に追加

At the position on the surface of the base region 3 which is away from the emitter region 5, at least a pair of collector regions 6A and 6B formed, away from each other, with the pattern symmetrical about the emitter region 5 are provided. - 特許庁

前記ビデオスクリーンと共に移動可能な第１エミッタポートは、前記ビデオスクリーンが視聴位置にある時に前記補助信号に応答して、前記視聴領域に前記無線情報信号を放射する。例文帳に追加

A first emitter port that is movable with the video screen, irradiates the wireless information signal throughout the viewing area in response to the auxiliary signal when the video screen is in the viewing position. - 特許庁

エミュレーションプログラムのうちエミュレーション動作中に実行頻度の高い部分との命令キャッシュ競合がおこるか否かの判定を行い、競合しないアドレスのみを変換済命令格納領域に設定する。例文帳に追加

It is determined whether an instruction cache competing with a part with high execution frequency during emulating operation of an emulation program occurs or not, and only a non-competing address is set to a converted instruction storage area. - 特許庁

レーザ光源は、マルチエミッターを有する半導体レーザアレイであり、ピッチ可変部は、レーザスポットの配列間隔として設定されるピッチ間隔が隣接するレーザスポット間隔の整数倍になるように制御する。例文帳に追加

The laser light source is a semiconductor laser array having multiple emitters and the pitch variation section performs control so that pitch intervals set as array intervals of the laser spots are integral multiples of adjacent laser spot intervals. - 特許庁

エミッタ層５１、エミッタ中間層５２、エミッタ中間層５３、エミッタ・コンタクト層５４の順にｎ型不純物濃度が高くなる構成とする。例文帳に追加

An emitter layer 51, an emitter intermediate layer 52, an emitter intermediate layer 53, and an emitter/contact layer 54 each has an n-type impurity density that increases sequentially in this order. - 特許庁

第１エミッタ領域１１１の少なくとも一部はｐ^＋ エミッタ領域１００であり，第２エミッタ領域１１１は，ｐ^＋ エミッタ領域１００に接している。例文帳に追加

At least a portion of the first emitter region 111 is formed as a p^+-emitter region 100, and the second emitter region 111 is brought into contact with the p^+-emitter region 100. - 特許庁

動作領域を備えたＮＰＮ型のバイポーラトランジスタにおいて、半導体基板（１）上に形成したエピタキシャル層（２）の表面に、コレクタコンタクト部（１０）、ベースコンタクト部（１１）、エミッタコンタクト部（１２）を設ける。例文帳に追加

In this NPN-type bipolar transistor equipped with an operation region, a collector contact part (10), a base contact part (11) and an emitter contact part (12) are disposed on the surface of an epitaxial layer (2) formed on a semiconductor substrate (1). - 特許庁