なるたきふじのきちょうの英語

同級生にのちに松竹京都撮影所の脚本家となり「梶原金八鳴滝組」の仲間となる藤井滋司、1年先輩に「日本映画の父」こと牧野省三の長男・マキノ雅弘がいた。例文帳に追加

His classmate, Shigeji FUJII later became a playwright of Shochiku Kyoto Studios and a fellow of the 'Kajiwara Kinpachi Narutaki Group,' and in the grade above his was Masahiro MAKINO who was the eldest son of Shozo MAKINO, the 'Father of Japanese film.'発音を聞く  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

半導体装置の製造方法は、原料ガス及びドーパントガスの供給量を変化させることにより、ＳｉＣからなる基板１と同じ導電型の不純物を基板１よりも高い濃度で含む高濃度不純物ドープ層２を形成する工程と、高濃度不純物ドープ層２の上に高濃度不純物ドープ層２と同じ導電型の不純物を含むＳｉＣからなるエピタキシャル成長層３を形成する工程とを含む。例文帳に追加

The method for manufacturing the semiconductor device includes a process of forming a high-density impurity-doped layer 2 containing impurities of the same conductivity type with a substrate 1 made of SiC to higher density than the substrate 1 and a process of forming an epitaxial growth layer 3 of SiC containing impurities of the same conductivity type with the high-density impurity-doped layer 2 on the high-density impurity-doped layer 2. - 特許庁

基板上に、原料ガスとして有機金属ガリウムを供給しながら、エピタキシャル成長温度とｎ型不純物のドーピングガスの供給量を制御することにより、有機金属ガリウムに起因する炭素がドーピングされて所望の抵抗率となる窒化ガリウム層をバッファ層としてエピタキシャル成長する。例文帳に追加

By controlling an epitaxial growth temperature and a supply amount of an n-type impurity doping gas with supplying organic metal gallium as a material gas on a substrate, carbon resulting from the organic metal gallium is subjected to doping and epitaxial growth by serving a nitride gallium layer that achieves an intended resistance as a buffer layer. - 特許庁

本発明の気相成長装置は、チャンバ１０３内に、支持台１０１上に載置されたウェハ１０２が収容され、ウェハ１０２上に成膜するためのガスを供給する第一の流路１２１及びウェハ１０２上に成膜される膜の不純物濃度を制御するためのガスを供給する第二の流路１３１が前記チャンバに接続された気相成長装置において、上述した第一の流路が２経路１ａ、１ｂ、第二の流路が２経路２ａ、２ｂに分割され、ウェハ１０２上の周辺部と中央部に、個々に供給されるように構成されていることを特徴とする。例文帳に追加

In the vapor phase deposition apparatus, the first channel is branched into two paths 1a and 1b, and the second channel is branched into two paths 2a and 2b so as to supply a gas individually to a peripheral portion and to a central portion on the wafer 102. - 特許庁

(4) 連邦特許裁判所は，1の当事者による攻撃若しくは防御(抗弁)の手段，又は法的訴えの補正，又は補正後の特許文言を使用して行われる被告の抗弁であって，(2)に定めた期限の到来後に提出されたものを却下することができ，また，次の事情においては，更なる調査を行うことなく，決定を下すことができる。来後に提出されたものを却下することができ，また，次の事情においては，更なる調査を行うことなく，決定を下すことができる。2. 関係当事者が十分な遅延理由を提出していない場合，及び3. 関係当事者が，期限不遵守の帰結についての指示を与えられていた場合提出される免責理由は，納得できるように証明されなければならない。例文帳に追加

(4) The Patent Court can reject means of attack or defense by one party or an amendment to a legal action or a defendant’s defense using an amended version of the patent that have been filed only after expiry of a time limit as stipulated herefor in subsection (2), and the Patent Court can render a decision without any further investigation if 1. considering the new submission would require postponement of the date for the hearing already scheduled and 2. said party has not provided sufficient grounds for the delay and 3. said party was instructed as to the consequences of not observing a time limit. The reasons given for the excuse will have to be credibly shown.発音を聞く  - 特許庁