ばんしょうめん１ちょうめの英語

常圧気相成長および減圧気相成長が可能な気相成長装置１０の反応容器１内に配置したシリコン単結晶基板３の主表面上にシリコンエピタキシャル層を減圧気相成長する。例文帳に追加

The substrate 3 is arranged in a reaction vessel 1 of vapor growth equipment 10 capable of ordinary pressure vapor growth and low pressure vapor growth. - 特許庁

エピタキシャル成長層３を転写用基板４に接着し、単結晶基板１の裏面からレーザ光，水銀灯の輝線などの光を照射して、エピタキシャル成長層３と単結晶基板１とを互いに分離する。例文帳に追加

The epitaxial growth layer 3 is adhered to a substrate 4 for transfer, and light such as laser light, emission lines of a mercury lamp, or the like is irradiated from the backside of the single crystal substrate 1 to separate the epitaxial growth layer 3 from the single crystal substrate 1. - 特許庁

直方体ケース１は、底板１Ａ、正面板１Ｂ、背面板１Ｃ、天板１Ｄによって形成されており、底板１Ａの下面の前部に、投写方向の調整を行なうためのねじ付脚２が左右一対設けられている。例文帳に追加

A rectangular parallelepiped case 1 is constituted of a base plate 1A, a front plate 1B, a back plate and a top plate 1D, and a pair of left and right screw legs 2 for adjusting a projecting direction is arranged at the front part of the rear side of the base plate 1A. - 特許庁

透光性を有する棚板１の後縁の略全長に亙って棚板１の後端面から棚板１の内部に照明光を入射させる照明装置２を装着する。例文帳に追加

The lighting device 2 is mounted to admit the illumination light into the rack board 1 from the rear end face of the rack board 1 almost over the entire length of the rear rim of the light transmitting rack board 1. - 特許庁

ボート１（液相成長用治具）は、半導体基板２の主表面に成長溶液５を接触させ半導体基板２の主表面にエピタキシャル層を形成する液相エピタキシャル成長に用いられ、基体１ａが主にグラファイトにてなる液相成長用治具である。例文帳に追加

A boat 1 (the holder for liquid phase growth) is used for in a liquid phase epitaxial growth process comprising bringing a growth liquid 5 into contact with the main surface of a semiconductor substrate 2 and forming an epitaxial layer on the main surface of the semiconductor substrate 2, and the base body 1a of the boat 1 is made of graphite. - 特許庁

チップボード１の表面から水３を含ませた後、表面を乾燥させて表面に凹凸部４を生ぜしめ、しかる後、表面に着色塗装することを特徴とする表面凹凸模様を有する化粧板の製造方法。例文帳に追加

In the method for manufacturing the decorative plate having an uneven surface pattern, after the chipboard 1 is impregnated with water 3 from the surface, an uneven part 4 is made on the surface by drying the surface and then the surface is subjected to color application. - 特許庁

結晶面に対して傾斜させた表面を有するＧａＡｓからなる基板１の当該表面上に、マスクパターン２を形成し、マスクパターン２で挟まれた基板１の表面上にエピタキシャル層３を成長させる。例文帳に追加

Mask patterns 2 are formed on a surface of a substrate 1 which is composed of GaAs and has the surface slanted to a crystal face, and an epitaxial layer 3 is grown on the surface of the substrate 1 sandwiched by the mask patterns 2. - 特許庁

シリコンエピタキシャルウェーハＷは、主表面１１にＣＯＰを有するシリコン単結晶基板１と、該シリコン単結晶基板１の主表面１１に気相成長されたシリコンエピタキシャル層２とを備えている。例文帳に追加

The silicon epitaxial wafer W has a silicon single crystal substrate 1 having the COP in the main surface 11 and a silicon epitaxial layer 2 grown in a vapor phase on the main surface 11 of the silicon single crystal substrate 1. - 特許庁