ばんしょうめん２ちょうめの英語

芯材２の表裏両面にケナフ板３を貼着し、ケナフ板３の表面に化粧シート４を貼着して成ることを特徴とする。例文帳に追加

This door body is constituted by sticking kenaf boards 3 to both of front and rear surfaces of a core member 2, respectively, and sticking a decorative sheet 4 to a surface of the kenaf board 3. - 特許庁

これは、半導体結晶２の成長に伴って半導体結晶２の結晶成長面２ａが結晶成長基板１の結晶成長面１ａ付近から上方に移動する間にも、半導体結晶２はＥＬＯマスク３の傾斜面付近でこの傾斜面に沿って横方向にも成長できるためである。例文帳に追加

This is because the semiconductor crystal 2 also can grow laterally along the tilted surface of the ELO mask 3 near the surface, while, as the semiconductor crystal 2 increases, the crystal growth surface 2a of the semiconductor crystal 2 moves upward from the vicinity of the crystal growth surface 1a of the crystal growth substrate 1. - 特許庁

このため、製氷板２の裏面に除水用水が供給されて製氷板２の温度が上昇すると、氷１２の製氷板２側の面１２ａが溶け始める前に自重で氷１２が落下するようになる。例文帳に追加

Therefore, when ice removing water is supplied to the back face of the icemaking plate 2 and the temperature of the icemaking plate 2 rises, an ice 12 falls by its own weight before a surface 12a of the ice 12 on the icemaking plate 2 side starts to melt. - 特許庁

天板２を、長方形状の木製化粧板から形成し、脚部３を、天板２を床面ＦＬから所定高さＨ１で横設するように、天板２の下面の４隅に、各１本ずつ設ける。例文帳に追加

The top plate 2 is formed by a wooden rectangular decorative plate, and the leg parts 3 are provided each at four corners of the lower face of the top plate 2 so that the top plate 2 is horizontally provided at the predetermined height from the floor surface FL. - 特許庁

直方体ケース１は、底板１Ａ、正面板１Ｂ、背面板１Ｃ、天板１Ｄによって形成されており、底板１Ａの下面の前部に、投写方向の調整を行なうためのねじ付脚２が左右一対設けられている。例文帳に追加

A rectangular parallelepiped case 1 is constituted of a base plate 1A, a front plate 1B, a back plate and a top plate 1D, and a pair of left and right screw legs 2 for adjusting a projecting direction is arranged at the front part of the rear side of the base plate 1A. - 特許庁

結晶成長室２４内に供給されるカーボン含有ガスの量を増減させることにより、種結晶基板２上の結晶不成長領域（図示せず）が消滅して、種結晶基板２の表面全体にＡｌＮ結晶４が成長する。例文帳に追加

By increasing or decreasing the amount of the carbon-containing gas supplied into the crystal growth chamber 24, an area (not shown in figure) on the seed crystal substrate 2, where no crystal grows, is diminished, and the AIN crystal 4 is grown on the whole surface of the seed crystal substrate 2. - 特許庁

有機金属気相成長法によって基板２の表面にこれと格子定数及び熱膨張係数を有する結晶層３を成長させた半導体エピタキシャルウェハ１において、上記基板２の裏面側に、その基板２に引張り応力を付与すべく応力相殺層４を備える。例文帳に追加

The semiconductor epitaxial wafer 1 which is grown with a crystalline layer 3 having a lattice constant and coefficient of thermal expansion on the front surface of a substrate 2 by a vapor phase growth method of an organic metal is provided with a stress offsetting layer 4 for imparting a tensile stress to the substrate 2 on the rear surface side of the substrate 2. - 特許庁

ボート１（液相成長用治具）は、半導体基板２の主表面に成長溶液５を接触させ半導体基板２の主表面にエピタキシャル層を形成する液相エピタキシャル成長に用いられ、基体１ａが主にグラファイトにてなる液相成長用治具である。例文帳に追加

A boat 1 (the holder for liquid phase growth) is used for in a liquid phase epitaxial growth process comprising bringing a growth liquid 5 into contact with the main surface of a semiconductor substrate 2 and forming an epitaxial layer on the main surface of the semiconductor substrate 2, and the base body 1a of the boat 1 is made of graphite. - 特許庁