「ばんしょうめん２ちょうめ」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

半導体成長面の表面部に、非晶質または多結晶のAlNからなる窒化層2aを有するサファイア基板2である。例文帳に追加

The sapphire substrate 2 has a nitride layer 2a composed of amorphous or polycrystalline AlN on its semiconductor growing surface. - 特許庁

窒化物半導体結晶２は、ＳｉＣ基板１の非極性面又は半極性面上に、結晶成長させる。例文帳に追加

A nitride semiconductor crystal 2 is grown on a non- or semi-polar surface of an SiC substrate 1. - 特許庁

芯材２の表裏両面にケナフ板３を貼着し、ケナフ板３の表面に化粧シート４を貼着して成ることを特徴とする。例文帳に追加

This door body is constituted by sticking kenaf boards 3 to both of front and rear surfaces of a core member 2, respectively, and sticking a decorative sheet 4 to a surface of the kenaf board 3. - 特許庁

これは、半導体結晶２の成長に伴って半導体結晶２の結晶成長面２ａが結晶成長基板１の結晶成長面１ａ付近から上方に移動する間にも、半導体結晶２はＥＬＯマスク３の傾斜面付近でこの傾斜面に沿って横方向にも成長できるためである。例文帳に追加

This is because the semiconductor crystal 2 also can grow laterally along the tilted surface of the ELO mask 3 near the surface, while, as the semiconductor crystal 2 increases, the crystal growth surface 2a of the semiconductor crystal 2 moves upward from the vicinity of the crystal growth surface 1a of the crystal growth substrate 1. - 特許庁

このため、製氷板２の裏面に除水用水が供給されて製氷板２の温度が上昇すると、氷１２の製氷板２側の面１２ａが溶け始める前に自重で氷１２が落下するようになる。例文帳に追加

Therefore, when ice removing water is supplied to the back face of the icemaking plate 2 and the temperature of the icemaking plate 2 rises, an ice 12 falls by its own weight before a surface 12a of the ice 12 on the icemaking plate 2 side starts to melt. - 特許庁

天板２を、長方形状の木製化粧板から形成し、脚部３を、天板２を床面ＦＬから所定高さＨ１で横設するように、天板２の下面の４隅に、各１本ずつ設ける。例文帳に追加

The top plate 2 is formed by a wooden rectangular decorative plate, and the leg parts 3 are provided each at four corners of the lower face of the top plate 2 so that the top plate 2 is horizontally provided at the predetermined height from the floor surface FL. - 特許庁

直方体ケース１は、底板１Ａ、正面板１Ｂ、背面板１Ｃ、天板１Ｄによって形成されており、底板１Ａの下面の前部に、投写方向の調整を行なうためのねじ付脚２が左右一対設けられている。例文帳に追加

A rectangular parallelepiped case 1 is constituted of a base plate 1A, a front plate 1B, a back plate and a top plate 1D, and a pair of left and right screw legs 2 for adjusting a projecting direction is arranged at the front part of the rear side of the base plate 1A. - 特許庁

結晶成長室２４内に供給されるカーボン含有ガスの量を増減させることにより、種結晶基板２上の結晶不成長領域（図示せず）が消滅して、種結晶基板２の表面全体にＡｌＮ結晶４が成長する。例文帳に追加

By increasing or decreasing the amount of the carbon-containing gas supplied into the crystal growth chamber 24, an area (not shown in figure) on the seed crystal substrate 2, where no crystal grows, is diminished, and the AIN crystal 4 is grown on the whole surface of the seed crystal substrate 2. - 特許庁

有機金属気相成長法によって基板２の表面にこれと格子定数及び熱膨張係数を有する結晶層３を成長させた半導体エピタキシャルウェハ１において、上記基板２の裏面側に、その基板２に引張り応力を付与すべく応力相殺層４を備える。例文帳に追加

The semiconductor epitaxial wafer 1 which is grown with a crystalline layer 3 having a lattice constant and coefficient of thermal expansion on the front surface of a substrate 2 by a vapor phase growth method of an organic metal is provided with a stress offsetting layer 4 for imparting a tensile stress to the substrate 2 on the rear surface side of the substrate 2. - 特許庁

ボート１（液相成長用治具）は、半導体基板２の主表面に成長溶液５を接触させ半導体基板２の主表面にエピタキシャル層を形成する液相エピタキシャル成長に用いられ、基体１ａが主にグラファイトにてなる液相成長用治具である。例文帳に追加

A boat 1 (the holder for liquid phase growth) is used for in a liquid phase epitaxial growth process comprising bringing a growth liquid 5 into contact with the main surface of a semiconductor substrate 2 and forming an epitaxial layer on the main surface of the semiconductor substrate 2, and the base body 1a of the boat 1 is made of graphite. - 特許庁

結晶面に対して傾斜させた表面を有するＧａＡｓからなる基板１の当該表面上に、マスクパターン２を形成し、マスクパターン２で挟まれた基板１の表面上にエピタキシャル層３を成長させる。例文帳に追加

Mask patterns 2 are formed on a surface of a substrate 1 which is composed of GaAs and has the surface slanted to a crystal face, and an epitaxial layer 3 is grown on the surface of the substrate 1 sandwiched by the mask patterns 2. - 特許庁

略水平状態に配されたシリコン単結晶基板２を板面方向に回転させつつ、該シリコン単結晶基板２の主表面に対して略平行に原料ガスを供給することによって気相成長させる。例文帳に追加

The silicon single crystal substrate 2 arranged in an almost horizontal state is rotated in a plate plane direction, and simultaneously the material gas is supplied almost parallel to the main surface of the silicon single crystal substrate 2 to carry out the vapor phase growth. - 特許庁

次に、窒化ガリウム基板２の表面とアライメントマーク４を覆うようにｎ型の第１の窒化ガリウム層６を結晶成長させる。例文帳に追加

Then, an n-type first nitride gallium layer 6 is so crystal-grown as to cover the surface of the nitride gallium substrate 2 and the alignment mark 4. - 特許庁

種結晶１としての六方晶系単結晶基板の表面１ａとして、Ｃ面に対して10〜80°傾斜した面を選択し(ａ)、この表面１ａ上に、昇華法によりAlN単結晶２を成長面２ａとして成長させる(ｂ)。例文帳に追加

The method of manufacture includes: (a) selecting a plane inclined by 10 to 80 degrees to a C plane as a surface 1a of a hexagonal single crystal substrate which is a seed crystal 1; and (b) growing an AlN single crystal 2 as a growth plane 2a on the surface 1a by a sublimation method. - 特許庁

半導体素子が、部分的に内部に後退した凹部８が表面に形成された結晶成長面を有する基板１と、上記結晶成長面上に成長された、窒化物半導体からなる単層または複数層の半導体層２とを備えてなり、上記結晶成長面において、上記結晶成長面の原子配列構造と上記半導体層２の原子配列構造が同じである。例文帳に追加

The semiconductor element comprises a substrate 1 having a crystal grown face in which partial setback recesses 8 are formed, and a single or a plurality of nitride semiconductor layers 2 grown on the crystal grown face wherein the atomic arrangement structure is identical to that of the semiconductor layer 2 on the crystal grown face. - 特許庁

ＧａＮ系単結晶基板１の成長主面はｍ面となっており、ＧａＮ系単結晶基板１上に形成されたＧａＮ系半導体層２の成長主面もｍ面となる。例文帳に追加

A growth main surface of the GaN-based single crystal substrate 1 is an (m) plane and a growth main surface of the GaN-based semiconductor layer 2 formed on the GaN-based single crystal substrate 1 is also an (m) plane. - 特許庁

すなわち、半導体結晶成長用基板本体１１の側面１２および半導体結晶成長用基板本体１１の表面１３の最外周から２ｍｍまでの部分に保護膜１４を形成する。例文帳に追加

That is, the protective film 14 is formed on the side face 12 of the substrate body 11 for growing a semiconductor crystal and in a portion from the outermost circumference to 2 mm inside on the surface 13 of the substrate body 11 for growing a semiconductor crystal. - 特許庁

結晶基板１の表面にＬＥＰＳ法を実施し得る凹凸を加工し、該凹部または凸部からＧａＮ系結晶層２を成長させる。例文帳に追加

Irregularities, where the LEPS method can be carried out, are machined on the surface of a crystal substrate 1, and a GaN-based crystal layer 2 is grown from the recess or projection. - 特許庁

半導体基板Ｗの主表面上に単結晶薄膜を気相成長させる気相成長装置１００は、半導体基板Ｗを座ぐり２ｃ内で下方から水平に支持する盤状のサセプタ２を備えている。例文帳に追加

A vapor phase growing apparatus 100 for performing vapor growing of the single crystalline thin film on the main surface of the semiconductor substrate W is provided with a plate-like susceptor 2 for horizontally supporting the semiconductor substrate W from downward in a counerbore 2c. - 特許庁

自己クローニング法により成長基板７上に形成されたフォトニック結晶積層体９に対して、その成長基板７側と反対側の面に、成長基板７とは別の支持基板２が接合される。例文帳に追加

A photonic crystal laminate 9 is formed on a growth substrate 7 by a self-cloning method, to which another support substrate 2 than the growth substrate 7 is joined to the opposite face of the crystal laminate to the growth substrate 7. - 特許庁

一面に耐高温性多孔質部材(１)を張設して燃焼面としたケーシング(２)内に焼結金属板(３)を配置して燃焼面を含む混合室(４)と、燃焼面を有しないガス導入室(５)とにケーシング(２)内を区画する。例文帳に追加

A sintered metallic plate 3 is arranged in a casing 2, whose one surface is provided with a porous member 1, extended on the surface and having a resistance to a high temperature to obtain a combustion surface, to define the inside of the casing 2 into a mixing chamber 4 including the combustion surface and a gas introducing chamber 5 having no combustion surface. - 特許庁

半導体基板１と、単結晶からなる整合層２１と絶縁層２２とを積層してなり上記基板１表面上に部分的に形成された緩衝層２と、該緩衝層２及び上記基板１表面に形成された単結晶成長層３とを備える。例文帳に追加

A semiconductor element is equipped with a semiconductor substrate 1, buffer layers 2, which are each formed by laminating a single crystal matching layer 21 and an insulating layer 22, dispersedly formed on the substrate 1, and a single crystal growth layer 3 formed on the buffer layers 2 and the substrate 1. - 特許庁

シリコンエピタキシャルウェーハＷは、主表面１１にＣＯＰを有するシリコン単結晶基板１と、該シリコン単結晶基板１の主表面１１に気相成長されたシリコンエピタキシャル層２とを備えている。例文帳に追加

The silicon epitaxial wafer W has a silicon single crystal substrate 1 having the COP in the main surface 11 and a silicon epitaxial layer 2 grown in a vapor phase on the main surface 11 of the silicon single crystal substrate 1. - 特許庁

載置されたガラス基板２に対して、光学系により表側の面からレーザ光としてＮｄ：ＹＡＧレーザの第２高調波がガラス基板２の面に対して斜めに照射される。例文帳に追加

A second harmonic wave of a Nd:YAG laser as a laser beam is applied to the placed glass substrate 2 from the front-side surface obliquely with respect to the surface of the glass substrate 2 by an optical system. - 特許庁

シリコン結晶基板２上に化合物結晶層４を形成した半導体基板１であって、前記シリコン結晶基板２の表面上にＳｉＧｅ結晶層３が形成され、該ＳｉＧｅ結晶層３の表面側が多孔質化しており、該多孔質ＳｉＧｅ結晶層の表面に化合物結晶層４が形成されてなるものであることを特徴とする半導体基板１及びその製造方法。例文帳に追加

In the semiconductor wafer 1, with which a compound crystal layer 4 is formed on the silicon crystal wafer 2, and the manufacturing method therefor, an SiGe crystal layer 3 is formed on the surface of the silicon crystal wafer 2, the surface side of the SiGe crystal layer 3 is made porous, and the compound crystal layer 4 is formed on the surface of the porous SiGe crystal layer. - 特許庁

調光制御装置１は、照明器具２の調光レベルを制御する調光回路が実装された調光回路基板５０と、調光回路基板５０を内部に収納して前面を露出させた状態で後部が造営面に埋め込み配置される器具本体１００とを備える。例文帳に追加

The light control device 1 is provided with a light control circuit board 50 on which a light control circuit for controlling the light control level of the lighting fixture 2 is mounted and a lighting fixture body 100 which houses the light control circuit board 50 inside and of which the rear part is embedded and arranged in a construction surface with the front side exposed. - 特許庁

また液晶表示装置は、裏面側偏光板３の更に裏面側に、保護板４と表面側偏光板２との間の線膨張係数の相違に基づく反りを抑制する反り防止部材５を配設してある。例文帳に追加

The liquid crystal display is provided with a warp-preventing member 5 for restraining warpage, due to the difference in the linear expansion coefficient between the protection plate 4 and the front-side polarizing plate 2 on the further rear side of the rear-side polarizing plate 3. - 特許庁

Ｍ面（１０−１０）を露出させたＳｉＣ基板１上に窒化物半導体結晶２を成長させ、ＳｉＣ基板１のｍ軸方向と、窒化物半導体結晶２のｍ軸方向とがオフ角を生じるように形成される。例文帳に追加

The nitride semiconductor crystal 2 is so grown on the SiC substrate 1 exposing an M surface (10-10) that the m-axis direction of the SiC substrate 1 makes an off-angle with respect to the m-axis direction of the nitride semiconductor crystal 2. - 特許庁

化合物半導体基板１としてＧａＡｓ基板を用いる場合、段差構造の頂上部３をＧａＡｓ（００１）面、側面傾斜部５を（００１）面以外のファセット面とすることにより、頂上部３にのみ、直径３０〜５０ｎｍ、高さ５〜１５ｎｍの量子ドット６を少数個形成する。例文帳に追加

When a GaAs substrate is used as the compound semiconductor substrate 1, a small number of quantum dots 6 having diameters of 30-50 nm and heights of 5-15 nm are formed only on tops 3 of the step structures 2 by forming the tops 3 as GaAs (001) faces and inclined side faces 5 of the structures 2 as facet faces other than (001) faces. - 特許庁

面状照明装置２は線状光源１２と導光板１９と透過率調整体ユニット２４とを含む。例文帳に追加

The surface lighting device 2 includes a linear light source 12, a light guide plate 19 and a transmittance tuning unit 24. - 特許庁

小片からなる金属板２の少なくとも片面にホットメルト接着剤層３を形成したことを特徴とする。例文帳に追加

A hot-melt adhesive layer 3 is formed at least on one surface of a metal plate 2 that is composed of small pieces. - 特許庁

ＧａＮ系結晶が成長可能な結晶基板１の該基板面に、ＧａＮ系結晶が実質的に成長し得ない化合物材料（特に、シリコン窒化物）からなるマスク層２を反応性スパッタリングによって成膜し、必要なパターンとしてＧａＮ系結晶成長用基板を得る。例文帳に追加

The substrate for growing a GaN-based crystal is obtained by depositing a mask layer 2 comprising a compound material (especially, a nitride of silicon) on which the GaN-based crystal does not grow substantially by reactive sputtering and then fabricating a necessary pattern. - 特許庁

水量調節体７は、調節板８が支持体２内を滑合して昇降するように、閉塞面８Ａを遮蔽板３側に向けた状態で支持体２内に配設してある。例文帳に追加

The water-volume adjusting body 7 is arranged in the support body 2 in such a condition as to make the blocking surface 8A face to the side of the shielding plate 3 so as to let the adjusting plate 8 slide and go up and down in the support body 2. - 特許庁

角度調整付プレキャストコンクリートブロックを化粧前面プレキャストコンクリート板１と異なる、後面プレキャストコンクリート板２を鉄板固体ボルト３又連結鉄板４で組立て、角度調整板５と角度調整目盛穴６を調整して角度を固定する。例文帳に追加

In a precast concrete block with angle adjustment, a finished front precast concrete plate 1 and a rear precast concrete plate 2 different from the plate 1 are assembled from an iron plate fixing bolt 3 and a coupling iron plate 4, and an angle adjusting plate 5 and an angle adjusting scale hole 6 are adjusted to fix an angle. - 特許庁

調理器用トッププレート１は、酸化チタンを含む透明結晶化ガラス基板２と、透明結晶化ガラス基板２の裏面に形成されており、可視波長域における少なくとも一部の波長域の光を反射させる反射膜４とを備えている。例文帳に追加

The top plate for cooker 1 includes the transparent crystallized glass substrate 2 containing titanium oxide, and the reflective film 4 formed on the back surface of the transparent crystallized glass substrate 2 to reflect at least a certain wavelength range of light in the visible wavelength range. - 特許庁

載置板２の一の頂点から、載置板２の原稿載置面とは逆の面から光を照射する光源５（５_Ｘ１、５_Ｘ２、・・・５_Ｘ８、及び５_Ｙ１、５_Ｙ２、５_Ｙ３、５_Ｙ４）を設ける。例文帳に追加

The image forming apparatus is provided with light sources 5 (5_X1, 5_X2, ..., 5_X8 and 5_Y1, 5_Y2, 5_Y3, 5_Y4) which emit light rays from a surface opposite to an original placed surface of an original platen 2 from one apex of the original platen 2. - 特許庁

反射板２の形状はＬ字形状、反射シート４は導光体３の背面より突出して延長しており、反射板２と導光体３の側端面３ａとの間にすきまが生じない。例文帳に追加

The reflecting plate 2 has a L-shape and the reflecting sheet 4 projects and extends from the back of the light conductor 3, without producing an aperture between the reflecting plate 2 and the side end face 3a of the light conductor 3. - 特許庁

アンテナエレメント３、給電用エレメント４、及び垂直エレメント５は、有限地板２に対して左右対称となるよう配置されており、前記導体の全長が使用周波数の約1/2波長となるよう形成されている。例文帳に追加

The antenna element 3, the feeding element 4 and the vertical element 5 are arranged symmetrically to the finite ground plate 2, and the entire length of the long conductor is selected to be about 1/2 wavelength with respect to the operating frequency of the antenna system. - 特許庁

化粧板形成用の基板(1)と、前記基板(1)の表面に積層一体化された熱硬化性樹脂含浸紙(2)と、前記熱硬化性樹脂含浸紙(2)に積層一体化され、フッ素樹脂からなる塗材を表面にコーティングした合成樹脂フィルム(3)とから構成されていることを特徴とする。例文帳に追加

The decorative plate is composed of a substrate (1) for forming the decorative plate, thermosetting resin-impregnated paper (2), and a synthetic resin film (3) which is laminated on the thermosetting resin-impregnated paper (2) to be integrated and coated with a coating material comprising a fluororesin. - 特許庁

透光性を有する棚板１の後縁の略全長に亙って棚板１の後端面から棚板１の内部に照明光を入射させる照明装置２を装着する。例文帳に追加

The lighting device 2 is mounted to admit the illumination light into the rack board 1 from the rear end face of the rack board 1 almost over the entire length of the rear rim of the light transmitting rack board 1. - 特許庁

絶縁性表面を有する基板１上に非晶質珪素膜２を形成し、珪素の結晶化を助長する触媒物質を添加する。例文帳に追加

An amorphous silicon film 2 is formed on a substrate 1 having an insulating surface, and a catalyst material promoting crystallization of silicon is added. - 特許庁

アルミナ膜３を除去し、その後、ベース基板１の表面にＧａＮ層２を結晶成長させる。例文帳に追加

The alumina film 3 is removed and thereafter a GaN layer 2 is formed by crystal growth on the surface of the base substrate 1. - 特許庁

座ぐり２の底面２２ａが、気相成長の加熱の際における基板Ｗの撓み形状よりも窪まされている。例文帳に追加

The bottom 22a of the seat 2 is recessed more than the deflection figure of the substrate W in heating of vapor phase growth. - 特許庁

非極性面ＩＩＩ族窒化物からなる下地膜２を基板１上に気相成長法により形成する。例文帳に追加

An underlayer 2 comprising a nonpolar group-III nitride is formed on a substrate 1 by a vapor phase growth method. - 特許庁

基板１０の上面に、少なくとも２枚の微小タイル状素子１，２が接着剤１１を介して重ねて貼り合わせられていることを特徴とする。例文帳に追加

At least two sheets of microtile-like elements 1, 2 are laminated in layers on the upper surface of a substrate 10 via an adhesive material 11. - 特許庁