「ばんしょうめん２ちょうめ」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

本発明の銅配線基板の製造方法は、ガラスまたは石英からなる基板１の表面２に、例えばＡｒガスのような不活性ガスのプラズマ４を照射することで、その表面２に改質を施して、その基板１の表面２自体における純Ｃｕに対する密着性を向上させ、その基板１の表面２の直上に、銅薄膜３をスパッタリングによって形成することを特徴としている。例文帳に追加

The copper wiring substrate manufacturing method is characterized in that a surface 2 of a glass or quartz substrate 1 is irradiated with plasmas 4 of an inert gas such as an Ar gas to reform the surface 2 to improve the adhesive property of the surface 2 itself of the substrate 1 to pure Cu and the copper thin film 3 is formed by sputtering directly on the surface 2 of the substrate 1. - 特許庁

多階調表示を可能とする液晶表示素子であって、一対の透明基板２，２間に液晶４を封入した表示セル１の片面側に位相差値の温度依存性を有する楕円偏光板５を配設し、他面側に青色系カラー偏光板６Ｂを配設する。例文帳に追加

In the liquid crystal display element capable of multi-level display, an elliptically polarizing plate 5 whose retardation value has temperature dependence is disposed on one surface side of a display cell 1 wherein a liquid crystal 4 is encapsulated between a pair of transparent substrates 2 and 2 and a blue color polarizing plate 6B is disposed on the other side. - 特許庁

例えば化学気相合成ダイヤのような、人造の超高硬度材料の小片１を、鋼製厚板２の表面にロウ付けし（Ａ図）、「ダイヤ等の小辺を頂面に接着された柱状のシャンク３」を切り出す（Ｂ図）。例文帳に追加

A small piece 1 of an artificial cemented carbide material, for example, a chemical vapor deposited synthetic diamond is brazed to the surface of a steel thick plate 2 (Fig. A), and " a columnar shank 3 of adhering the small edge of the diamond to the top surface " is cut out (Fig. B). - 特許庁

本発明の液晶パネル１０は、互いに対向して配置された透明電極基板２および対向電極基板１と、各基板１・２における対向面とは反対側の各面に設けられた偏光板３・４と、一対の基板１・２間に挟持され、電圧の印加により光学変調する液晶材料からなる液晶層１１とを備えている。例文帳に追加

A liquid crystal panel 10 comprises a transparent electrode substrate 2 and a counter electrode substrate 1 arranged mutually facing, polarizing plates 3 and 4 provided to each face of a reverse side to opposite faces in each substrate 1 and 2 and a liquid crystal layer 11, comprising a liquid crystal material optically modulated by the impression of voltage, by being sandwiched between a pair of the substrates 1 and 2. - 特許庁

２　前条第二項の検査役は、必要な調査を行い、当該調査の結果を記載し、又は記録した書面又は電磁的記録（法務省令で定めるものに限る。）を裁判所に提供して報告をしなければならない。例文帳に追加

(2) An inspector set forth in paragraph (2) of the preceding Article shall conduct the necessary investigation, and shall report to the court through the submission of documents or electromagnetic records (limited to such record specified by Ordinance of the Ministry of Justice) in which the results of the investigation are stated or recorded.  - 日本法令外国語訳データベースシステム

表面が［１１１］軸方向に配向した多結晶ＳｉＣ基板２を用い、その多結晶ＳｉＣ基板の上にIII 族窒化物単結晶１を成長させることにより、大口径で安価、かつ放熱特性のよい結晶基板が得られる。例文帳に追加

This crystal substrate having a large diameter, inexpensive and excellent in the heat-radiating property is obtained by using a polycrystalline SiC substrate 2 whose surface is oriented in the [111] axis direction and then growing a group III nitride single crystal 1 on the polycrystalline SiC substrate 2. - 特許庁

治具本体２の表面に基板３を保持し、治具本体２の裏面からヒーター４で加熱して基板３に結晶をエピタキシャル成長させる治具１において、治具本体２の裏面に多数の凹凸部５を形成したものである。例文帳に追加

In a tool 1, a substrate 3 is held on the surface of a tool body 2, the substrate 3 is heated by a heater 4 from the rear surface of the tool body 2 for epitaxial growth of crystal, and uneven sections 5 are formed on the rear surface of the tool body 2. - 特許庁

正面板２及び背面板３の両端のすべてには、連結板４との交点部よりも外側に延長された突出部２５、３５を有している。例文帳に追加

The whole both ends of the front face plate 2 and the back face plate 3 are provided with projection parts 25 and 35 extended outside more than an intersection part with the connecting plates 4. - 特許庁

結晶原料を溶かし込んだ坩堝２内の溶液に種子基板１１を浸漬し、その基板１１上に結晶を成長させる液相成長方法であって、基板１１の浸漬前には溶液面に蓋部材３を浮在させおき、基板１１の浸漬時に蓋部材３を溶液中に沈降させる。例文帳に追加

The liquid phase-growing method comprises immersing a seeding substrate 11 into a solution dissolving a crystalline raw material in a crucible vessel 2 and growing a crystal on the substrate 11, wherein a lid member 3 is floated on the solution surface before immersing the substrate 11, whereas the lid member 3 is precipitated in the solution when immersing the substrate 11. - 特許庁

まず波長が３５５ｎｍである紫外光レーザを、ＴＦＴアレイ基板の表面側から照射することにより、カットおよびコンタクトさせる箇所の層間絶縁膜１５を除去する（図１(a)-2 、図１(b)-2 ）。例文帳に追加

In this manufacturing method, first, interlayer insulating films 15 of place where are to be cut or contact is to be performed are removed (Figure 1 (a)-2, Figure 1 (b)-2) by irradiating laser irradiation places for cutting with a ultraviolet laser beam whose wavelength is 355 nm from the surface side of a TFT (thin film transistor) array substrate. - 特許庁

サファイア基板１上にＧａＮ膜２を成長した後、サファイア基板１の裏面よりエキシマＫｒＦレーザを照射してサファイア基板１とＧａＮ膜２とを分離する。例文帳に追加

After a GaN film 2 is grown on a sapphire substrate 1, it is separated from the GaN film 2 by irradiation of excimer KrF laser from the back of the sapphire substrate 1. - 特許庁

波長変換用基板１は、強誘電性単結晶からなるＺ板からなり、周期分極反転構造２が形成されており、基本光１５の入射面１ｃ、波長変換光の出射面１ｄ、＋Ｚ面１ａおよび−Ｚ面１ｂを備えている。例文帳に追加

A substrate 1 for wavelength conversion consists of the Z plate consisting of the ferroelectric single crystal, the periodic polarization reversal structure 2 is formed therein, and includes an incident surface 1c of basic light 15, an emitting surface 1d of wavelength conversion light, a +Z surface 1a and a -Z surface 1b. - 特許庁

シリコン基板１表面にゲート絶縁膜２を形成する工程と、ゲート絶縁膜２表面に水酸基３を吸着させた後に化学気相成長法でゲート絶縁膜２上に多結晶半導体膜である多結晶シリコン膜４を成膜する工程とを含む。例文帳に追加

The manufacturing method of a semiconductor device comprises a process where a gate insulating film 2 is formed on the surface of a silicon substrate 1 and a process that after hydroxyl groups 3 are adsorbed on the surface of the film 2, a polycrystalline silicon film 4, which is a polycrystalline semiconductor film is formed on the film 2 by a chemical phase growth method. - 特許庁

載置されたガラス基板２に対して、光学系５４により表側の面からレーザ光としてＮｄ：ＹＡＧレーザの第２高調波がガラス基板２の面に対して斜めに照射される。例文帳に追加

The surface of the glass substrate by an optical system 54 is irradiated with the second harmonics of Nd:YAG laser as laser beam slantingly from the front side of the glass substrate 2 disposed on the stage 55a. - 特許庁

したがって、液晶表示装置３０の熱に伴う遊技盤２の後方の温度上昇を抑制することができ、特に遊技盤２後面に生じる変形量（膨張又は収縮量）を小さく抑えることができる。例文帳に追加

Thus, the temperature rise at the rear part of the game board 2 accompanying the heat of the liquid crystal display device 30 is suppressed, and a deformation amount (expansion or contraction amount) caused on the rear surface of the game board especially is suppressed to be small. - 特許庁

振動板２が平面であるスピーカーであって、前記振動板２のエッジ３が、断面半円状のものを一対、前記振動板２を挟んで対向させたものとし、前記エッジ３のうち外側のエッジ３ｂの四個所に対称的に切り欠き孔７を設けたことを特徴とする。例文帳に追加

The speaker is characterized in that the diaphragm 2 is formed flat, a pair of edge parts 3a, 3b of an edge 3 of the diaphragm 2 whose cross section is semi-circular are opposed to each other by sandwiching the diaphragm 2, and a notch hole 7 is provided symmetrically to four positions of the outer edge part 3b of the edge 3. - 特許庁

１）裏露光、２）主露光、３）現像、４）乾燥の後に、５）波長２００〜３００ｎｍの紫外線を３．６Ｊ／ｃｍ^２以上照射する表面処理を行うことを特徴とするフレキソ印刷版の製版方法。例文帳に追加

The plate making method for the flexographic printing plate is characterized in performing (5) surface processing for carrying out irradiation with ultraviolet rays of 200 to 300 nm in wavelength by 3.6 J/cm^2 after (1) back exposure, (2) main exposure, (3) development, and (4) drying. - 特許庁

又、少なくとも成膜面がチタン金属又は酸化チタンで構成され、成膜面に粗面をなしている基板３と、水熱合成法により基板３の粗面上に積層形成されたＰＺＴ圧電結晶膜２と、ＰＺＴ圧電結晶膜２の表面に取り付けられた電極４とを有することを特徴とする超音波トランスデューサ２である。例文帳に追加

The ultrasonic transducer 1 consists of the substrate 3 of which at least the film formation surface is composed of titanium metal or titanium oxide and the film formation surface has been roughened, the PZT piezoelectric crystal film 2 formed by deposition by hydrothermal synthesis on the roughened surface of the substrate 3, and an electrode 4 attached to the surface of the PZT piezoelectric crystal film 2. - 特許庁

版３として版面上に光触媒層２が設けられた版を用い、不要なインキ１のある光触媒層に光照射した後に、又は光照射と同時に超音波を伝播させた洗浄液で洗浄する。例文帳に追加

Using a plate 3 in which a photocatalyst layer 2 is provided on the surface of the plate, after light is emitted to the photocatalyst layer having unnecessary ink 1 or concurrently with the light emission, cleaning is performed with a cleaning liquid to which supersonic wave is propagated. - 特許庁

Ａｌ電極層４および下地電極層５を、エピタキシャル成長した配向膜によって与え、Ａｌ電極層４の結晶の（１１１）面と下地電極層５の結晶の（００１）面あるいは（１００）面と圧電基板２の結晶の（００１）面とを互いに平行に配向させる。例文帳に追加

An epitaxially grown orientation film is provided to the aluminum electrode layer 4 and the background electrode layer 5, the (111) plane of the crystal of the aluminum electrode layer 4 and the (001) or (100) plane of the crystal of the background electrode layer 5 are oriented in parallel with the (001) plane of the crystal of the piezoelectric substrate 2. - 特許庁

ＧａＮ自立基板２１をフラックス結晶成長装置に搬入し、高温高圧下、ナトリウム／ガリウムフラックス中で表面２１ｓに結晶成長させて、膜厚２ｍｍの窒化ガリウム層３を形成した（１．Ｅ）。例文帳に追加

The GaN self-supporting 21 is conveyed to a flux crystal growth apparatus and a crystal is grown on the surface 21s in a sodium/gallium flux under high temperature and high pressure conditions to form a nitride gallium layer 3 having a layer thickness of 2 mm (1.E). - 特許庁

図示の照明装置においては、導光板２は面方向に膨張できるように摺動可能に支持されており、該導光板２の側方に配置された光源３も同方向に移動可能に支持されている。例文帳に追加

In the lighting device shown in the figure, a light guide plate 2 is supported in free sliding so that it can be expanded in a plane direction, and also, a light source 3 arranged on a side of the light guide plate 2 is movably supported in the same direction. - 特許庁

二硼化物ＸＢ_２ （ここで、Ｘは、ＺｒまたはＴｉ）の単結晶基板１であって、面方位が（０００１）面２であり、かつ基板の厚さを０．１ｍｍ以下としたことを特徴とする。例文帳に追加

The single crystal substrate 1 of diboride XB_2 (wherein, X is Zr or Ti) has plane orientation in the (0001) plane 2, and the thickness of the substrate is ≤0.1 mm. - 特許庁

凹凸表面が形成されたＩＩＩ族窒化物結晶層１ａを少なくとも有する下地基板１を準備し、下地基板１の凹凸表面上に液相法によりＩＩＩ族窒化物結晶２を成長させる工程を含むＩＩＩ族窒化物結晶基板の製造方法。例文帳に追加

The method for producing the group III nitride crystal substrate involves a step to grow a group III nitride crystal 2 by a liquid phase method on the recessed and projected surface of a ground substrate 1 having at least a group III nitride crystal layer 1a on which the recessed and projected surface is formed. - 特許庁

支持基板１上の中央領域ＲＣおよび周縁領域ＲＰにフォトレジスト膜２が形成されており、その中央領域ＲＣにおけるフォトレジスト膜２の表面に表面張力上昇処理が施されている。例文帳に追加

A photoresist film 2 is formed in a central region RC and a peripheral region RP on the supporting substrate 1 while surface tension raising treatment is applied on the surface of the photo-resist film 2 in the central region RC. - 特許庁

ＥＬフィルム１は、図示しない電源コードによって電力を供給され、操作ノブ２の上面Ｔ１と、操作ノブ２の左右側方に位置する風向き調節板５の上面Ｔ２、Ｔ３とを、広く照射する。例文帳に追加

The EL film 1 is power-supplied by a power supply cord (not shown), and extensively lights an upper surface T1 of the operation knob 2 and upper surfaces T2, T3 of the wind direction adjusting plate 5 located on the right and left sides of the operation knob 2. - 特許庁

基板２上に複数の段差部４が形成され、それぞれの前記段差部４の頂上面の全面にレンズ６が一体的に形成されていることを特徴とする微小光学素子である。例文帳に追加

The present invention relates to a micro-optical element characterized in forming a plurality of steps 4 on a substrate 2 and integrally forming a lens 6 over all the top face of each of the steps 4. - 特許庁

本発明の歩行誘導体は、路面又は床面に露出し、視覚障害者の歩行を誘導する表示板を備えているものにおいて、前記表示板の裏面にその周縁よりも窪んだ接着剤溜まりを有することを特徴としている。例文帳に追加

This pedestrian leading body 1 is exposed to the road surface or the floor surface, it is equipped with an indicating board 2 for leading walking of the visually impaired, and the rear side 2a of the indicating board 2 has a depressed adhesive collector 2c lower than the circumferential edge 2b thereof. - 特許庁

液晶表示装置１は、透明電極を有する一対のガラス基板の間にねじれ配向させたネマチック液晶層と、反射と透過の両方の機能を有する半透過層を具備した液晶パネル２と、その液晶パネル２の一対のガラス基板の表面に光学フィルム３、４を貼付し、さらに液晶パネル２の背面にはバックライト５が配置された構成からなる。例文帳に追加

The liquid crystal display device 1 comprises a liquid crystal panel 2 equipped with a twisted nematic liquid crystal layer disposed between a pair of glass substrates with transparent electrodes and a semitransmissive layer with both reflection and transmission functions, optical films 3, 4 stuck to surfaces of the pair of glass substrates of the liquid crystal panel 2 and further a backlight 5 arranged on the rear side of the liquid crystal panel 2. - 特許庁

この超音波照射部１６０の超音波照射走査により、両帯状レジスト液膜Ｒ(1)，Ｒ(2)の境界Ｅ付近では、レジスト液が低粘度化ないし流動化して、液膜表面が基板面と平行な方向（水平方向）に均され、凸凹が除去される。例文帳に追加

A resist liquid becomes low viscous or fluid in the vicinity of the boundary E between the both zonal resist liquid films R(1), R(2) by the ultrasonic wave irradiation scanning of the ultrasonic wave irradiating part 160 so as to even the surface of the liquid film in the direction parallel to a substrate surface, which results in removing the unevenness. - 特許庁

この超音波照射部１６０の超音波照射走査により、両帯状レジスト液膜Ｒ(1)，Ｒ(2)の境界Ｅ付近では、レジスト液が低粘度化ないし流動化して、に液膜表面が基板面と平行な方向（水平方向）に均され、凸凹が除去される。例文帳に追加

Since the resist liquid is reduced in viscosity or fluidized in the vicinity of boundary between both the band-shaped resist liquid films R(1) and R(2) by the ultrasonic irradiation-scanning of the ultrasonic irradiation part 160, the surfaces of the two liquid films are made uniformly smooth in a direction (horizontal direction) parallel to the substrate surface to remove unevenness. - 特許庁

成膜面２８が下側を向くように基板１１を支持するためのサセプタ２を備える横型の気相成長装置の基板支持方法であって、基板１１の外周の縁に、段差部２１を形成する。例文帳に追加

In the method for supporting the substrate of a horizontal vapor phase growing device comprising a susceptor 2 which is for supporting the substrate 11 so that the deposition surface 28 faces the lower side, a step part 21 is formed at the edge of the outer periphery of the substrate 11. - 特許庁

溶液成長方法等によって単独の薄膜として形成された厚さ１００μｍ以下のＧａＮ系結晶薄膜（特にＧａＮ結晶薄膜）１を、基板２上に接合し、該薄膜の一方の面１ｂをＧａＮ系結晶を成長させるための出発面として有する結晶成長用基材を得、その上にＧａＮ系結晶を成長させる。例文帳に追加

A GaN crystal thin film (especially GaN crystal thin film) 1 of thickness 100 μm or less which is formed as an independent thin film by a solution growth method, or the like, is jointed onto a substrate 2, to provide a crystal growth base material comprising one surface 1b of the thin film as a start surface for growing GaN crystal, on which the GaN crystal is grown. - 特許庁

この基板２は、ベース基板１０と、ベース基板１０の少なくとも結晶育成面に形成され、液相エピタキシャル成長により成長される磁性ガーネット単結晶膜１２と同じ組成のバッファ層１１と、を有する。例文帳に追加

The substrate 2 has a base substrate 10 and a buffer layer 11 which is formed at least on the crystal growth surface of the base substrate 10 and has the same composition as that of the magnetic garnet single crystal film 12 to be formed by the liquid phase epitaxial growth. - 特許庁

ＧａＮ系結晶が成長可能な結晶基板１の該基板面に、マスク領域ｄと非マスク領域ｅとが形成されるパターンにてマスク層２を形成し、ＥＬＯ技術に対応し得るＧａＮ系結晶成長用基板とする。例文帳に追加

The substrate for growing a GaN-based crystal usable in the ELO technology is obtained by forming a mask layer 2 with a pattern which is constituted of mask areas (d) and non-mask areas (e) on the surface of a crystal substrate 1 on which the GaNbased crystal can grow. - 特許庁

水晶基板１の片側の表面には、長方形の凸部２が形成されているが、この凸部２は、さらに細かな長方形の凸部４の集合体として形成されている。例文帳に追加

A rectangular protruding part 2 is formed on one side surface of a quartz substrate 1, wherein the protruding part 2 further is formed as an assembly of finer rectangular protruding parts 4. - 特許庁

したがって、第２高調波をより多く取り出すために、水晶板を多数積層しても、右水晶板１および左水晶板２の一組の周期で偏光面の修正が行われるので、第２高調波の干渉を低減でき、波長変換効率の低下が抑えられた波長変換素子１０を得ることができる。例文帳に追加

Therefore, even when many crystal plates are stacked to extract more second harmonic, the polarization plane is corrected in cycles of a pair of the right crystal plate 1 and left crystal plate 2, so that interference of the second harmonic is reduced to obtain the wavelength converting element 10 having decreased wavelength conversion efficiency. - 特許庁

シリコン単結晶基板２の主表面上に原料ガスを供給することにより該主表面上にシリコン薄膜を気相成長させてシリコンウェーハを製造するシリコンウェーハの製造方法である。例文帳に追加

In a method for manufacturing a silicon wafer, a material gas is supplied to a main surface of a silicon single crystal substrate 2 to carry out a vapor phase growth of a silicon thin film on the main surface. - 特許庁

窒化物系化合物半導体の結晶成長に用いる基板であって、Ｓｉ（１１１）基板を例とする結晶形成用基板１の、結晶成長が起こる側とは反対側の面に、炭素膜を例とする赤外線吸収層２を有することを特徴とする窒化物系化合物半導体の結晶成長に用いる基板を構成する。例文帳に追加

The substrate used for crystal growth of the nitride-based compound semiconductor is characterized by having an infrared absorption layer 2, e.g. a carbon film on a surface of a substrate 1 for crystal formation, e.g. an Si(111) substrate on the opposite side to a side where crystal growth is made. - 特許庁

ケース２における熱交換器４の空気流入面４０に対向する内壁面２０に、空気流入面４０側に向かって突出して空調空気の流れ向きを変える障壁板５を多数設ける。例文帳に追加

A number of barrier plates 5 projecting toward the air inflow face 40 side to change the direction of flow of conditioning air are mounted on an inner wall surface 20 facing the air inflow face 40 of the heat exchanger 4 in a case 2. - 特許庁

このような電気化学的粗面化処理装置において、超音波発振素子５で周波数が２０ｋＨｚ〜５０ｋＨｚの超音波を照射しつつ、電気量が、５０ｃ／ｄｍ^2以上３００ｃ／ｄｍ^2以下の範囲に調整してアルミニウム板４を粗面化する。例文帳に追加

In such an electrochemical surface roughening device, the power amount is adjusted to be in the range of 50-300 c/dm2 while emitting ultrasonic waves of 20-50 kHz frequency by the ultrasonic oscillating element 5 to surface-roughen the aluminum plate 4. - 特許庁

小基板１に形成されるパッド電極２の重畳側面１３からリード板４の裏面に半田フィレット１４が形成されるように、半田レジスト１０をパターニングする。例文帳に追加

Solder resist 10 is so patterned that a solder fillet 14 is formed from an overlapping side surface of a pad electrode 2 formed on a small board 1 to the back of a lead plate 4. - 特許庁

基板１の主面１ａ上にＺｒ_１−ｘＴｉ_ｘＢ_２（ただし、０＜ｘ≦１）から成る層である硼化ジルコニウム・チタン層２をエピタキシャル成長して新たな表面２ａを（０００１）面とした単結晶基板である。例文帳に追加

This single crystal substrate is configured by forming a new surface 2a as a (0001) face by carrying out the epitaxial growth of a zirconium boride titanium layer 2 constituted of Zr_1-xTi_xB_2(0<x≤1) on the main surface 1a of a substrate 1. - 特許庁

伸縮弾性を有する基板２の片面側又は両面側に基板を伸長させた状態で、電極層３及び圧電体結晶薄膜１が形成されている伸縮可能な圧電素子Ａである。例文帳に追加

In the state where the substrate is expanded to the one side of a substrate 2 with elasticity or both-surface side, the element is a piezoelectric element A which can be expanded and contracted and in which an electrode layer 3 and a piezoelectric crystal thin film 1 are formed. - 特許庁

ネット２が緊張状態となるので、土塊移動が生じる際に直ちにネット２を介して斜面上方のアンカー１に荷重が伝達され、土塊が微少変形を起こす早い時点で地盤拘束作用を発揮する。例文帳に追加

Since the net 2 is put into a tensioned state, a load is immediately transferred to the anchor 1 above the slope via the net 2 on the occurrence of the displacement of a clod, and a ground restraining action is exerted at the early point of the microdeformation of the clod. - 特許庁