「ばんしょうめん２ちょうめ」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

前記光波長変換素子２６を、非線形光学結晶からなる基板１と、基板１の表面に形成された光導波路２と、光導波路２の表面の少なくとも一部に形成されたグレーティング６とにより構成する。例文帳に追加

The optical wavelength conversion element 26 is constituted of a substrate 1 consisting of a nonlinear optical crystal, an optical waveguide path 2 formed on the surface of the substrate 1 and a grating 6 formed on at least a part of the surface of the optical waveguide path 2. - 特許庁

ナノワイヤ太陽電池の製造方法は、半導体基板２の表面の一部を非晶質膜３で被覆し、露出している半導体基板２の表面に、同一材料からなる結晶をエピタキシャル成長させてナノワイヤ状の半導体４，５を形成する。例文帳に追加

In the producing method of the nanowire solar cell, a part of the front surface of the semiconductor substrate 2 is covered with an amorphous film 3 and the nanowire semiconductors 4 and 5 are formed on the front surface of the exposed semiconductor substrate 2 with epitaxial growth of crystals formed of the identical material. - 特許庁

基板２の表面側に少なくとも２層以上の半導体層３を有する化合物半導体ウエハ１を分割するにあって、前記基板２に吸収が生じる波長のレーザー光９を用いて前記基板２の裏面側に溝１０を形成し、この溝１０に沿って前記ウエハ１を分割すること特徴とする。例文帳に追加

A compound semiconductor wafer 1, having at least two or more semiconductor layers 3 on the surface of a substrate 2, is divided by forming grooves 10 on the backside of the substrate 2, using a laser beam 9 of a wavelength that generates absorption in the substrate 2 and dividing the wafer 1 along with the grooves 10. - 特許庁

本発明の熱処理用セッターは、被熱処理材料を載置するための熱処理用セッターであって、結晶相としてβ−スポジュメン固溶体を含有するＬｉ_2Ｏ−Ａｌ_2Ｏ_3−ＳｉＯ_2系結晶化ガラス板からなり、被熱処理材料を載置する面の表面積が１４０００ｃｍ^2以上であることを特徴とする。例文帳に追加

The setter for heat treatment is for placing a material to be heat-treated and comprises a Li_2O-Al_2O_3-SiO_2 based crystalline glass plate containing a β-spodumene solid solution as a crystal phase and the surface area of the surface on which the material to be heat-treated is placed is ≥14,000 cm^2. - 特許庁

リッジ型光導波路は、強誘電体結晶基板の主表面10aに、被波長変換光及び波長変換光が伝播する方向に沿って平行な2本の溝16-1及び16-2を穿つことによって形成される。例文帳に追加

The ridge optical waveguide is formed by boring two grooves 16-1 and 16-2, which are parallel to propagating directions of the wavelength converted light and the wavelength converting light, on the main surface 10a of the ferroelectric crystal substrate. - 特許庁

管理装置８は、パチンコ遊技機１の盤面２における２本の障害釘４についての調整目標値を含む釘調整指示データを台毎表示ユニット７に与える。例文帳に追加

A management device 8 provide a display unit 7 for every machine with nail adjustment instruction data including adjustment target values of two failure nails 4 in a board surface 2 of the Pachinko game machine 1. - 特許庁

この管理装置８からは、台毎表示ユニット７に対してパチンコ遊技機１の盤面２における２本の障害釘４についての調整目標値を含む釘調整指示データが与えられる。例文帳に追加

The management device 8 provides each display unit 7 of a pachinko game machine 1 with pin adjustment instruction data including target values for the adjustment of two obstacle pins 4 on a game board surface 2 of the pachinko game machine 1. - 特許庁

換気装置（１）を調理機器（２）の上方に備えた対面式厨房装置において、調理機器の後部に煙誘導板（３）が昇降可能に設けられた。例文帳に追加

The counter type kitchen apparatus provided with a ventilator (1) above a cooking appliance (2) is provided with a smoke guide palate (3) at a rear part of the cooking appliance in such a way as to be elevated and lowered. - 特許庁

管理装置８は、パチンコ遊技機１の盤面２における２本の障害釘４についての調整目標値を含む釘調整指示データを台毎表示ユニット７に与える。例文帳に追加

A management device 8 provides a game stand display unit 7 with pin adjustment instruction data including target values for adjustment on two obstacle pins 4 on a game board surface 2 of a pachinko game machine 1. - 特許庁

少なくとも成膜面がチタン金属又は酸化チタンで構成され、成膜面に粗面加工が施された基板３上に、水熱合成法によりＰＺＴ圧電結晶膜２を積層形成することを特徴とするＰＺＴ圧電結晶膜の製法である。例文帳に追加

In the manufacturing method, a PZT piezoelectric crystal film 2 is formed by deposition by hydrothermal synthesis on a substrate 3 of which at least the film formation surface is composed of titanium metal or titanium oxide and the film forming surface has been roughened. - 特許庁

単結晶シリコンから成る基板１の上面に、開口部２ａを有したマスク２を被着させる工程と、該マスク２をその軟化点以上の温度で加熱しつつ、前記マスク２の開口部２ａ内に露出する基板表面に化合物半導体をエピタキシャル成長させて単結晶薄膜３を形成する工程と、によって単結晶薄膜３を形成する。例文帳に追加

The single crystal thin film 3 is formed by a process wherein the mask 2 having the opening space 2a is adhered to the substrate 1 of single crystal silicon, and a process wherein the single crystal thin film 3 is formed by making a compound semiconductor epitaxial grow on the surface of the substrate exposed in the opening space 2a of the mask 2, while heating the mask 2 at a temperature of softening point or higher. - 特許庁

この半導体層は、β−Ｇａ_2Ｏ_3単結晶からなるβ−Ｇａ_2Ｏ_3基板１と、β−Ｇａ_2Ｏ_3基板１の表面に窒化処理を施して形成されたＧａＮ層２と、ＧａＮ層２にＭＯＣＶＤ法によりエピタキシャル成長して形成されたＧａＮ成長層３とを備える。例文帳に追加

The semiconductor layer is provided with a β-Ga_2O_3 substrate 1 consisting of β-Ga_2O_3 single crystal, the GaN layer 2 formed by applying nitriding on the surface of the β-Ga_2O_3 substrate 1, and GaN growth layer 3 formed by the MOCVD method on the GaN layer 2 through epitaxial growth. - 特許庁

網状金属基材の表面に、モリブデンがMoO_3として0.2〜1.0g/m^2の範囲で含まれる酸化モリブデン皮膜層が形成されていることを特徴とする排ガス脱硝触媒用の金属基板。例文帳に追加

In this metal substrate for an exhaust gas denitration catalyst, a molybdenum oxide coating layer containing molybdenum in the range of 0.2-1.0 g/m^2 as MoO_3 is formed on a surface of a net-like metal base material. - 特許庁

加工機器４０、およびこの加工機器４０を覆う、正面部の形状が縦長の長方形である概ね直方体の機体カバー３を有する作機械本体２と、この工作機械本体２に付設された制御盤４とを備える。例文帳に追加

The machine tool comprises: a machining instrument 40, a machine tool body 2 having a machine cover 3 which covers the machining instrument 40 and has a frontal shape of a vertically long and approximately rectangular parallelepiped; and the control panel 4 arranged on the machine tool body 2. - 特許庁

正面部の形状が縦長の長方形である概ね直方体の機体カバー３を有する工作機械本体２と、この工作機械本体２に設けられた操作盤５とを備える。例文帳に追加

The machine tool comprises: a machine tool body 2 having a machine cover 3 which has a frontal shape of a vertically long and approximately rectangular parallelepiped; and the operation panel 5 provided on the machine tool body 2. - 特許庁

その後、表面改質層２を形成したサファイア基板１を、２０ｓｌｍのアンモニア、３０ｓｌｍの水素及び５０ｓｌｍの窒素を含む雰囲気にある気相成長装置内へ搬入し、ＧａＮ層（窒化物半導体層）３の成長温度（１１００℃）にまで昇温し、表面改質層２の表面にＧａＮ層３を成長させる。例文帳に追加

Thereafter, the sapphire substrate 1 with the surface modified layer 2 formed thereon is carried into a gas phase growing device in an atmosphere containing ammonium of 20 slm, hydrogen of 30 slm and nitrogen of 50 slm, then, temperature is raised to the growing temperature (1100°C) of the GaN layer (nitride semiconductor layer) 3 to grow the GaN layer 3 on the surface of the surface modified layer 2. - 特許庁

透明なガラス基板４１に、厚み方向の位相差値が８０nm以上である光学補償フィルム４２が積層されてなり、その光学補償フィルム４２の空気と接する側の面４７の波長５５０nmにおける反射率が２％以下である光学補償板４０が提供される。例文帳に追加

The optical compensation plate 40 is made by laminating an optical compensation film 42 having a retardation value in the thickness direction of 80 nm or more on a transparent glass substrate 41, wherein the reflectance at wavelength 550 nm of a surface 47 of the side in contact with air of the optical compensation film 42 is 2% or less. - 特許庁

基板１と前記材料層２との界面で前記材料層を前記基板から剥離させるため、基板１上に材料層２が形成されたワーク３に対し、基板１を通して、パルスレーザ光をワーク３に対する照射領域を刻々と変えながら、前記ワーク３において隣接する各照射領域が重畳するように照射する。例文帳に追加

In order to exfoliate the material layer from the substrate in the interface of the substrate 1 and the material layer 2, to a work 3 in which the material layer 2 is formed on the substrate 1, through the substrate 1, a pulse laser light is irradiated so that adjacent each irradiation region is overlapped in the work 3, while changing the irradiation region to the work 3 every second. - 特許庁

基板１と前記材料層２との界面で前記材料層を前記基板から剥離させるため、基板１上に材料層２が形成されたワーク３に対し、基板１を通して、パルスレーザ光をワーク３に対する照射領域を刻々と変えながら、前記ワーク３において隣接する各照射領域が重畳するように照射する。例文帳に追加

In order to peel a material layer 2 from a substrate 1 on the interface thereof, a work 3 where the material layer 2 is formed on the substrate 1 is irradiated with pulse laser light through the substrate 1 while changing the irradiation region for the work 3 from moment to moment so that the adjoining irradiation regions in the work 3 overlap. - 特許庁

母材基板としてのシリコン基板１の表面に多孔質層２を形成し、炭素を含むガスのプラズマ雰囲気中でシリコン基板１に電圧を印加して多孔質層２の表面にシリコンカーバイドの種結晶３を形成し、その種結晶３を起点にシリコンカーバイドの結晶層をエピタキシャル成長させる。例文帳に追加

The method for manufacturing the semiconductor substrate comprises forming a porous layer 2 on the surface of a silicon substrate 1 being a base substrate, then forming a silicon carbide seed crystal 3 on the surface of the porous layer 2 by impressing a voltage to the silicon substrate 1 in a plasma atmosphere of a gas containing carbon, and epitaxially growing a crystal layer of silicon carbide by using the seed crystal 3 as a starting point. - 特許庁

ガラス粉末とセラミックスフィラーとを含むガラスセラミックス組成物の成形体を焼結してなる基板本体２と、基板本体２の表面または内層に形成され、前記ガラスセラミックス組成物の焼結温度より低い焼結温度を有する金属ペーストを焼結してなる焼成層６と、を有することを特徴とするセラミックス基板１。例文帳に追加

A ceramic substrate 1 comprises: a substrate body 2 which is obtained by sintering a compact of a glass-ceramic composite that includes glass powder and a ceramic filler; and a sintered layer 6 which is formed on a surface or an inner layer of the substrate body 2 and is obtained by sintering metallic paste having a sintering temperature lower than that of the glass-ceramic composite. - 特許庁

液晶ユニット（２）の裏側に配置されるフレームは、表面板に液晶ユニット（２）とほぼ同一の大きさの開口部を有し薄い箱状に形成され該開口部に光透過型の光拡散板が張設されるように構成されている。例文帳に追加

A frame arranged on the back side of a liquid crystal unit 2 has an opening having almost the same size as the liquid crystal unit 2 on the face plate, is formed in a thin box-like shape, and is structured to extend a light transmitting type light diffusion plate in the opening. - 特許庁

液晶ユニット（２）の裏側に配置されるフレームは、表面板に液晶ユニット（２）とほぼ同一の大きさの開口部を有し薄い箱状に形成され該開口部に光透過型の光拡散板が張設されるように構成されている。例文帳に追加

A frame arranged on the back side of a liquid crystal unit 2 has an opening part having the almost the same size as the liquid crystal unit 2 on the face plate, and is formed in a thin box-shape, and a light transmitting type light diffusion plate is installed in the opening part. - 特許庁

反応容器２内に配置したシリコン単結晶基板Ｗの表面上に、ボロンをドーパントとして含有するシリコン薄膜を気相成長させてシリコンウェーハを製造する。例文帳に追加

The silicon wafer is formed by forming a silicon thin film containing boron as a dopant on a vapor-phase basis on a surface of a silicon single-crystal substrate W arranged in a reaction container 2. - 特許庁

ロードロック室を介して搬送され反応容器２内のサセプタ１上に載置されたシリコン単結晶基板Ｗの表面上にシリコン薄膜を気相成長させてシリコンウェーハを製造する方法である。例文帳に追加

In the method, a silicon wafer is manufactured by performing vapor deposition for a silicon thin film on the surface of a silicon single crystalline substrate W which is carried via a load lock chamber and mounted on a susceptor 1 inside a reaction vessel 2. - 特許庁

基板１００上に位置して、面積が４００μｍ^２以上であるシード領域１７０と、シード領域１７０から成長した結晶化領域１９０とを含む多結晶シリコン層を提供する。例文帳に追加

The polycrystalline silicon layer contains a seed region 170 that is positioned on a substrate 100 and has an area of 400 μm^2 or higher, and a crystallization region 190 grown from the seed region 170. - 特許庁

入射する光を画像情報に応じて変調する液晶ライトバルブ４１０Ｒ，４１０Ｇ，４１０Ｂにおいて、液晶パネル４１１Ｒ，４１１Ｇ，４１１Ｂの光出射面側に少なくとも２枚の偏光板４１３Ｒ，４１４Ｒ，４１３Ｇ，４１４Ｇ，４１３Ｂ，４１４Ｂを設ける。例文帳に追加

At liquid crystal light valves 410R, 410G, 410B which modulate the incident light according to the image information, at least 2 polarization plates 413R, 414R, 413G, 414G, 413B, 414B are provided at the light emitting surface side of the liquid crystal panel 411R, 411G, and 411B. - 特許庁

アルミ部材を素に構成した障子戸１の裏面に、樹脂又はガラスの遮蔽板２が貼着してあり、障子戸外枠３の周囲に、弾性部材を用いた圧接体４ａ又は４ｂ又は４ｃを備えることを特徴とする。例文帳に追加

A shade plate 2 of resin or glass is stuck on a back surface of a shoji door 1 made of aluminum material as a base, and a press contact body 4a or 4b or 4c using elastic members is provided at a periphery of a shoji door outer frame 3. - 特許庁

ＧａＮ系半導体とは異なる材料からなる結晶基板１の表面に凹凸（または段差）１ａを加工し、該凹凸の加工された表面に低温ＧａＮ系バッファ層を介することなく直接的にＧａＮ系結晶２を成長させ、ＧａＮ系結晶層３とする。例文帳に追加

Protrusions and recesses (or a level difference) 1a are formed on the surface of a crystal substrate 1 composed of a material different from a GaN-based semiconductor and a GaN-based crystal 2 is grown directly on the surface where protrusions and recesses are formed with no intermediary of a low temperature GaN-based buffer layer thus obtaining a GaN-based crystal layer 3. - 特許庁

化粧パネル４は、隣接する窓２の額縁３間に嵌め込まれ、これら額縁３間の小壁面部１０に貼設される化粧板４０と、これら額縁３の下枠３１同士および上枠３２同士の延長線上の小壁面部１０に固定され、化粧板４０を上下から保持する見切材４１とからなるものである。例文帳に追加

The facing panel 4 is fitted between the frames 3 of the windows 2, and it comprises a facing plate 40 stuck on the small wall face section 10 between the frames 3 and corner members 41 fixed on the small wall surface section 10 on extension lines of sills 31 and heads 32 of the frames 3 and holding the facing plate 40 from up and down thereof. - 特許庁

この発明に係る孔あけ加工用当て板１は、アルミニウム製基板２の少なくとも片面に潤滑層３が形成されてなる孔あけ加工用当て板において、前記潤滑層３は、結晶性を有する水溶性樹脂及び結晶核剤を含有した混合組成物からなることを特徴とする。例文帳に追加

In the backing plate 1 for boring where a lubrication layer 3 is formed at least on one side of an aluminum substrate 2, the lubrication layer 3 is composed of a mixture composition containing a water soluble resin having crystallinity and a crystalline nucleus agent. - 特許庁

保温機能を有する捕虫器１は、昆虫が侵入し得る正面入口３１と側面入口３２を設けた箱体２の底板１２面上に、発熱体を収納したトレイ３を配設し、このトレイ３の上面上に粘着剤層１０を設けてなることを特徴とする。例文帳に追加

This insect trap 1 having heat insulation function is characterized by being obtained by providing a tray 3 storing an exothermic element, on the surface of the bottom plate 12 of a housing 2 having a front inlet 31 and a side inlet 32 for insects invading therethrough, and having an adhesive layer 10 on the upper surface of the tray 3. - 特許庁

｛１００｝結晶面シリコン基板において、基板表面に垂直な断面の形状が互いに逆傾斜の｛１１１｝結晶面２組から成る壁面を有するインク供給口が形成されていることを特徴とするインクを吐出する複数の吐出圧力発生素子を備えるインクジェット記録ヘッドとする。例文帳に追加

An inkjet recording head is equipped with the ink feed port having a wall composed of 2 sets of {111} crystal face whose shapes of the cross section perpendicular to the substrate surface are reverse slopes each other in the {100} crystal face silicon substrate is formed and a plurality of discharge pressure generating elements for discharging the ink. - 特許庁

マスク保持部５及び／又は基板保持部３の温度を調整しつつ、光源９から照射された光により、マスクパターンを基板２の表面に露光する。例文帳に追加

While adjusting the temperature of the mask holding part 5 and/or that of the substrate holding part 3, the mask pattern is transferred to the surface of the substrate 2 by exposure by light emitted from a light source 9. - 特許庁

ｐ形半導体層３と上記活性層とｎ形半導体層２とで発光部Ｂを構成し、発光部Ｂの厚み方向の一面から結晶成長用基板であるサファイア基板が除去されている。例文帳に追加

The light emitting part B is made of the p-type semiconductor layer 3, the active layer, and the n-type semiconductor layer 2, and a sapphire substrate which is a substrate for crystal growth is removed from a surface in the thickness direction of the light emitting part B. - 特許庁

意匠が第2条から第8条までに定める要件を遵守していない場合は，当該意匠登録は第26条から第28条までの規定により全面的又は部分的にノルウェー工業所有権庁によって取り消されるか又は裁判所によって無効と判決される。例文帳に追加

If a design fails to fulfil the requirements laid down in sections 2 to 8, the design registration shall be wholly or partly cancelled by the Norwegian Industrial Property Office or be invalidated by a court of law pursuant to the provisions of sections 26 to 28. - 特許庁

各積層体４の右水晶板１および右水晶板２で発生した第２高調波２００をダイクロイックミラー５で取り出すことができ、水晶の右旋光性によって偏光面の回転した第２高調波２００の干渉による影響が、他の積層体４で発生した第２高調波２００におよびレーザ光１００に及ばない。例文帳に追加

Second harmonics 200 generated by a right crystal plate 1 and a right crystal plate 2 of each laminate 4 can be taken out by dichroic mirrors 5 and interference of the second harmonic 200 whose polarized surface is rotated by dextrorotatory properties of the crystal does not affect the second harmonic 200 generated by the other laminate 4 and laser light 100. - 特許庁

半導体基板２の裏面を研磨し、たとえば波長が約１μｍ以下の短波長レーザの透過できる膜厚となった時に、その短波長レーザをｐｎ接合が形成されている部分に照射すると、そのｐｎ接合部にはＯＢＩＣが流れ始める。例文帳に追加

The back of a semiconductor substrate 2 is polished, for example, when the thickness for transmitting a short-wave length laser beam, having a wavelength of approximately becomes 1 μm, and then the short-wavelength laser beam is applied to a section, where a p-n junction has been formed, OBIC starts to flow at the p-n junction section. - 特許庁

したがって、遊技盤２に伝わった熱が、特に大径スリット３６Ａ、３６Ｂ、小径スリット３７Ａ、３７Ｂ、及び通気窓３８といった開口の断面から効果的に放出されるため、遊技盤２の膨張を抑制することができる。例文帳に追加

Then, expansion of the game board 2 can be inhibited because the heat transferred to the game board 2 is effectively radiated from the cross sectional surfaces of the openings, especially such as the large-diameter slits 36A and 36B, the small-diameter slits 37A and 37B and the ventilator 38. - 特許庁

図１（ａ）に示すように、半導体基板１の表面に段差パターン２を形成する工程と、段差パターン２の上に化学気相成長法を用いて膜厚ｄ１が１μｍを超えるＣＶＤ酸化膜１０を形成する工程を行う。例文帳に追加

In this manufacturing method, as shown by Figure 1(a), a process for forming a step-difference pattern 2 on a surface of a semiconductor substrate 1, and a process for forming a CVD oxide film 10 whose film thickness d1 exceeds 1 μm on the step-difference pattern 2 by using a chemical vapor growth method, are performed. - 特許庁

コア１と当該コア１を覆うクラッド２とを有する光導波路基板１２の表面に、測定に用いる波長で表面プラズモン共鳴を起こす金属薄膜３を形成し、当該金属薄膜３に接する被測定物質１０について表面プラズモン共鳴現象を起こすようにする。例文帳に追加

On a surface of an optical wave-guide substrate 12 comprising a core 1 and a clad 2 covering the core 1, a metal thin film 3 causing surface plasmon resonance to occur at a wavelength used for measurement is formed to cause a surface plasmon resonance phenomenon to occur as to a substance 10 to be measured touching the thin film 3. - 特許庁

２　裁判長は、相当と認めるときは、準備的口頭弁論を終了するに当たり、当事者に準備的口頭弁論における争点及び証拠の整理の結果を要約した書面を提出させることができる。例文帳に追加

(2) The presiding judge, when he/she finds it appropriate, upon closing preliminary oral arguments, may have the parties submit a document summarizing the issues and evidence as arranged through the preliminary oral arguments.  - 日本法令外国語訳データベースシステム

個々の発光素子１を分離するためのスクライブ溝ＳＴをレーザを用いて形成する工程の前に、結晶成長用基板２において発光層３の光が出射する出射面を覆う保護膜７を設ける。例文帳に追加

A protection film 7 is arranged on a substrate 2 for crystal growth for covering the light emission surface from which the light of a light emitting layer 3 is emitted before a process for forming the scribe groove ST for dividing each light emitting element 1 through the use of the laser. - 特許庁

図２に示すように、酸化チタン膜１２は、基板１１の一面１１ａ、即ち透明導電膜１５から垂直方向Ｌに向けて成長した針状結晶を成すアナターゼ型の酸化チタンからなる。例文帳に追加

As shown in Fig. 2, the titanium oxide film 12 is composed of an anatase titanium oxide that forms a needle-like crystal grown from one face 11a of the substrate 11, namely, from the transparent conductive film 15 toward the vertical direction L. - 特許庁

一対の透明基板２にそれぞれ透明電極３を積層形成し、一方の透明電極３の表面にカラーフィルタ４を印刷により積層形成し、このカラーフィルタ４が形成された透明基板２を焼成した後、このカラーフィルタ４の表面にＵＶ光を照射するようにしたことを特徴とする。例文帳に追加

In this manufacturing method, transparent electrodes 3 are laminated on each of a pair transparent substrates 2, the color filter 4 is laminatedly formed on the surface of one transparent electrodes 3 with printing, the transparent substrate 2, on which the color filter 4 is formed, is burned, and then the surface of the color filter 4 is irradiated with ultraviolet rays. - 特許庁