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ばんしょうめん2ちょうめの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 411



例文

 高等裁判所長官の任免は、天皇がこれを認証する。例文帳に追加

(2) The Emperor shall attest the appointment and removal of presidents of High Courts.  - 日本法令外国語訳データベースシステム

基板1の表面の全面には、エピタキシャル結晶成長層が配置されている。例文帳に追加

On the entire surface of a substrate 1, an epitaxial crystal growth layer 2 is arranged. - 特許庁

窒化物半導体結晶は、SiC基板1の非極性面上に、結晶成長させる。例文帳に追加

A nitride semiconductor crystal 2 is grown on a non-polar surface of an SiC substrate 1. - 特許庁

 裁判長は、証人が尋問に代わる書面の提出をすべき期間を定めることができる。例文帳に追加

(2) The presiding judge may specify a period in which a witness is to submit a document in lieu of examination.  - 日本法令外国語訳データベースシステム

例文

半導体結晶は所謂ドーム型の断面形状を有するELOマスク3がマスキングされた結晶成長基板1の結晶成長面1a上に成長したものであり、転位4はELOマスク3の上面略中央から半導体結晶の結晶成長面aまで伸びている。例文帳に追加

The semiconductor crystal 2 is a crystal grown on the crystal growth surface 1a of a crystal growth substrate 1 masked with an ELO mask 3 having so-called dome shaped cross section, and transition 4 extends from about the center of the top of the ELO mask 3 to a crystal growth surface 2a of the semiconductor crystal 2. - 特許庁


例文

半導体成長面の表面部に、非晶質または多結晶のAlNからなる窒化層2aを有するサファイア基板2である。例文帳に追加

The sapphire substrate 2 has a nitride layer 2a composed of amorphous or polycrystalline AlN on its semiconductor growing surface. - 特許庁

窒化物半導体結晶は、SiC基板1の非極性面又は半極性面上に、結晶成長させる。例文帳に追加

A nitride semiconductor crystal 2 is grown on a non- or semi-polar surface of an SiC substrate 1. - 特許庁

これは、半導体結晶の成長に伴って半導体結晶の結晶成長面aが結晶成長基板1の結晶成長面1a付近から上方に移動する間にも、半導体結晶はELOマスク3の傾斜面付近でこの傾斜面に沿って横方向にも成長できるためである。例文帳に追加

This is because the semiconductor crystal 2 also can grow laterally along the tilted surface of the ELO mask 3 near the surface, while, as the semiconductor crystal 2 increases, the crystal growth surface 2a of the semiconductor crystal 2 moves upward from the vicinity of the crystal growth surface 1a of the crystal growth substrate 1. - 特許庁

芯材の表裏両面にケナフ板3を貼着し、ケナフ板3の表面に化粧シート4を貼着して成ることを特徴とする。例文帳に追加

This door body is constituted by sticking kenaf boards 3 to both of front and rear surfaces of a core member 2, respectively, and sticking a decorative sheet 4 to a surface of the kenaf board 3. - 特許庁

例文

このため、製氷板の裏面に除水用水が供給されて製氷板の温度が上昇すると、氷1の製氷板側の面1aが溶け始める前に自重で氷1が落下するようになる。例文帳に追加

Therefore, when ice removing water is supplied to the back face of the icemaking plate 2 and the temperature of the icemaking plate 2 rises, an ice 12 falls by its own weight before a surface 12a of the ice 12 on the icemaking plate 2 side starts to melt. - 特許庁

例文

天板を、長方形状の木製化粧板から形成し、脚部3を、天板を床面FLから所定高さH1で横設するように、天板の下面の4隅に、各1本ずつ設ける。例文帳に追加

The top plate 2 is formed by a wooden rectangular decorative plate, and the leg parts 3 are provided each at four corners of the lower face of the top plate 2 so that the top plate 2 is horizontally provided at the predetermined height from the floor surface FL. - 特許庁

直方体ケース1は、底板1A、正面板1B、背面板1C、天板1Dによって形成されており、底板1Aの下面の前部に、投写方向の調整を行なうためのねじ付脚が左右一対設けられている。例文帳に追加

A rectangular parallelepiped case 1 is constituted of a base plate 1A, a front plate 1B, a back plate and a top plate 1D, and a pair of left and right screw legs 2 for adjusting a projecting direction is arranged at the front part of the rear side of the base plate 1A. - 特許庁

結晶成長室4内に供給されるカーボン含有ガスの量を増減させることにより、種結晶基板上の結晶不成長領域(図示せず)が消滅して、種結晶基板の表面全体にAlN結晶4が成長する。例文帳に追加

By increasing or decreasing the amount of the carbon-containing gas supplied into the crystal growth chamber 24, an area (not shown in figure) on the seed crystal substrate 2, where no crystal grows, is diminished, and the AIN crystal 4 is grown on the whole surface of the seed crystal substrate 2. - 特許庁

有機金属気相成長法によって基板の表面にこれと格子定数及び熱膨張係数を有する結晶層3を成長させた半導体エピタキシャルウェハ1において、上記基板の裏面側に、その基板に引張り応力を付与すべく応力相殺層4を備える。例文帳に追加

The semiconductor epitaxial wafer 1 which is grown with a crystalline layer 3 having a lattice constant and coefficient of thermal expansion on the front surface of a substrate 2 by a vapor phase growth method of an organic metal is provided with a stress offsetting layer 4 for imparting a tensile stress to the substrate 2 on the rear surface side of the substrate 2. - 特許庁

ボート1(液相成長用治具)は、半導体基板の主表面に成長溶液5を接触させ半導体基板の主表面にエピタキシャル層を形成する液相エピタキシャル成長に用いられ、基体1aが主にグラファイトにてなる液相成長用治具である。例文帳に追加

A boat 1 (the holder for liquid phase growth) is used for in a liquid phase epitaxial growth process comprising bringing a growth liquid 5 into contact with the main surface of a semiconductor substrate 2 and forming an epitaxial layer on the main surface of the semiconductor substrate 2, and the base body 1a of the boat 1 is made of graphite. - 特許庁

略水平状態に配されたシリコン単結晶基板を板面方向に回転させつつ、該シリコン単結晶基板の主表面に対して略平行に原料ガスを供給することによって気相成長させる。例文帳に追加

The silicon single crystal substrate 2 arranged in an almost horizontal state is rotated in a plate plane direction, and simultaneously the material gas is supplied almost parallel to the main surface of the silicon single crystal substrate 2 to carry out the vapor phase growth. - 特許庁

結晶面に対して傾斜させた表面を有するGaAsからなる基板1の当該表面上に、マスクパターンを形成し、マスクパターンで挟まれた基板1の表面上にエピタキシャル層3を成長させる。例文帳に追加

Mask patterns 2 are formed on a surface of a substrate 1 which is composed of GaAs and has the surface slanted to a crystal face, and an epitaxial layer 3 is grown on the surface of the substrate 1 sandwiched by the mask patterns 2. - 特許庁

次に、窒化ガリウム基板の表面とアライメントマーク4を覆うようにn型の第1の窒化ガリウム層6を結晶成長させる。例文帳に追加

Then, an n-type first nitride gallium layer 6 is so crystal-grown as to cover the surface of the nitride gallium substrate 2 and the alignment mark 4. - 特許庁

半導体素子が、部分的に内部に後退した凹部8が表面に形成された結晶成長面を有する基板1と、上記結晶成長面上に成長された、窒化物半導体からなる単層または複数層の半導体層とを備えてなり、上記結晶成長面において、上記結晶成長面の原子配列構造と上記半導体層の原子配列構造が同じである。例文帳に追加

The semiconductor element comprises a substrate 1 having a crystal grown face in which partial setback recesses 8 are formed, and a single or a plurality of nitride semiconductor layers 2 grown on the crystal grown face wherein the atomic arrangement structure is identical to that of the semiconductor layer 2 on the crystal grown face. - 特許庁

種結晶1としての六方晶系単結晶基板の表面1aとして、C面に対して10〜80°傾斜した面を選択し(a)、この表面1a上に、昇華法によりAlN単結晶を成長面aとして成長させる(b)。例文帳に追加

The method of manufacture includes: (a) selecting a plane inclined by 10 to 80 degrees to a C plane as a surface 1a of a hexagonal single crystal substrate which is a seed crystal 1; and (b) growing an AlN single crystal 2 as a growth plane 2a on the surface 1a by a sublimation method. - 特許庁

GaN系単結晶基板1の成長主面はm面となっており、GaN系単結晶基板1上に形成されたGaN系半導体層の成長主面もm面となる。例文帳に追加

A growth main surface of the GaN-based single crystal substrate 1 is an (m) plane and a growth main surface of the GaN-based semiconductor layer 2 formed on the GaN-based single crystal substrate 1 is also an (m) plane. - 特許庁

すなわち、半導体結晶成長用基板本体11の側面1および半導体結晶成長用基板本体11の表面13の最外周からmmまでの部分に保護膜14を形成する。例文帳に追加

That is, the protective film 14 is formed on the side face 12 of the substrate body 11 for growing a semiconductor crystal and in a portion from the outermost circumference to 2 mm inside on the surface 13 of the substrate body 11 for growing a semiconductor crystal. - 特許庁

半導体基板Wの主表面上に単結晶薄膜を気相成長させる気相成長装置100は、半導体基板Wを座ぐりc内で下方から水平に支持する盤状のサセプタを備えている。例文帳に追加

A vapor phase growing apparatus 100 for performing vapor growing of the single crystalline thin film on the main surface of the semiconductor substrate W is provided with a plate-like susceptor 2 for horizontally supporting the semiconductor substrate W from downward in a counerbore 2c. - 特許庁

結晶基板1の表面にLEPS法を実施し得る凹凸を加工し、該凹部または凸部からGaN系結晶層を成長させる。例文帳に追加

Irregularities, where the LEPS method can be carried out, are machined on the surface of a crystal substrate 1, and a GaN-based crystal layer 2 is grown from the recess or projection. - 特許庁

自己クローニング法により成長基板7上に形成されたフォトニック結晶積層体9に対して、その成長基板7側と反対側の面に、成長基板7とは別の支持基板が接合される。例文帳に追加

A photonic crystal laminate 9 is formed on a growth substrate 7 by a self-cloning method, to which another support substrate 2 than the growth substrate 7 is joined to the opposite face of the crystal laminate to the growth substrate 7. - 特許庁

一面に耐高温性多孔質部材(1)を張設して燃焼面としたケーシング()内に焼結金属板(3)を配置して燃焼面を含む混合室(4)と、燃焼面を有しないガス導入室(5)とにケーシング()内を区画する。例文帳に追加

A sintered metallic plate 3 is arranged in a casing 2, whose one surface is provided with a porous member 1, extended on the surface and having a resistance to a high temperature to obtain a combustion surface, to define the inside of the casing 2 into a mixing chamber 4 including the combustion surface and a gas introducing chamber 5 having no combustion surface. - 特許庁

半導体基板1と、単結晶からなる整合層1と絶縁層とを積層してなり上記基板1表面上に部分的に形成された緩衝層と、該緩衝層及び上記基板1表面に形成された単結晶成長層3とを備える。例文帳に追加

A semiconductor element is equipped with a semiconductor substrate 1, buffer layers 2, which are each formed by laminating a single crystal matching layer 21 and an insulating layer 22, dispersedly formed on the substrate 1, and a single crystal growth layer 3 formed on the buffer layers 2 and the substrate 1. - 特許庁

シリコンエピタキシャルウェーハWは、主表面11にCOPを有するシリコン単結晶基板1と、該シリコン単結晶基板1の主表面11に気相成長されたシリコンエピタキシャル層とを備えている。例文帳に追加

The silicon epitaxial wafer W has a silicon single crystal substrate 1 having the COP in the main surface 11 and a silicon epitaxial layer 2 grown in a vapor phase on the main surface 11 of the silicon single crystal substrate 1. - 特許庁

調光制御装置1は、照明器具の調光レベルを制御する調光回路が実装された調光回路基板50と、調光回路基板50を内部に収納して前面を露出させた状態で後部が造営面に埋め込み配置される器具本体100とを備える。例文帳に追加

The light control device 1 is provided with a light control circuit board 50 on which a light control circuit for controlling the light control level of the lighting fixture 2 is mounted and a lighting fixture body 100 which houses the light control circuit board 50 inside and of which the rear part is embedded and arranged in a construction surface with the front side exposed. - 特許庁

シリコン結晶基板上に化合物結晶層4を形成した半導体基板1であって、前記シリコン結晶基板の表面上にSiGe結晶層3が形成され、該SiGe結晶層3の表面側が多孔質化しており、該多孔質SiGe結晶層の表面に化合物結晶層4が形成されてなるものであることを特徴とする半導体基板1及びその製造方法。例文帳に追加

In the semiconductor wafer 1, with which a compound crystal layer 4 is formed on the silicon crystal wafer 2, and the manufacturing method therefor, an SiGe crystal layer 3 is formed on the surface of the silicon crystal wafer 2, the surface side of the SiGe crystal layer 3 is made porous, and the compound crystal layer 4 is formed on the surface of the porous SiGe crystal layer. - 特許庁

M面(10−10)を露出させたSiC基板1上に窒化物半導体結晶を成長させ、SiC基板1のm軸方向と、窒化物半導体結晶のm軸方向とがオフ角を生じるように形成される。例文帳に追加

The nitride semiconductor crystal 2 is so grown on the SiC substrate 1 exposing an M surface (10-10) that the m-axis direction of the SiC substrate 1 makes an off-angle with respect to the m-axis direction of the nitride semiconductor crystal 2. - 特許庁

載置されたガラス基板に対して、光学系により表側の面からレーザ光としてNd:YAGレーザの第高調波がガラス基板の面に対して斜めに照射される。例文帳に追加

A second harmonic wave of a Nd:YAG laser as a laser beam is applied to the placed glass substrate 2 from the front-side surface obliquely with respect to the surface of the glass substrate 2 by an optical system. - 特許庁

また液晶表示装置は、裏面側偏光板3の更に裏面側に、保護板4と表面側偏光板との間の線膨張係数の相違に基づく反りを抑制する反り防止部材5を配設してある。例文帳に追加

The liquid crystal display is provided with a warp-preventing member 5 for restraining warpage, due to the difference in the linear expansion coefficient between the protection plate 4 and the front-side polarizing plate 2 on the further rear side of the rear-side polarizing plate 3. - 特許庁

化合物半導体基板1としてGaAs基板を用いる場合、段差構造の頂上部3をGaAs(001)面、側面傾斜部5を(001)面以外のファセット面とすることにより、頂上部3にのみ、直径30〜50nm、高さ5〜15nmの量子ドット6を少数個形成する。例文帳に追加

When a GaAs substrate is used as the compound semiconductor substrate 1, a small number of quantum dots 6 having diameters of 30-50 nm and heights of 5-15 nm are formed only on tops 3 of the step structures 2 by forming the tops 3 as GaAs (001) faces and inclined side faces 5 of the structures 2 as facet faces other than (001) faces. - 特許庁

面状照明装置は線状光源1と導光板19と透過率調整体ユニット4とを含む。例文帳に追加

The surface lighting device 2 includes a linear light source 12, a light guide plate 19 and a transmittance tuning unit 24. - 特許庁

小片からなる金属板の少なくとも片面にホットメルト接着剤層3を形成したことを特徴とする。例文帳に追加

A hot-melt adhesive layer 3 is formed at least on one surface of a metal plate 2 that is composed of small pieces. - 特許庁

GaN系結晶が成長可能な結晶基板1の該基板面に、GaN系結晶が実質的に成長し得ない化合物材料(特に、シリコン窒化物)からなるマスク層を反応性スパッタリングによって成膜し、必要なパターンとしてGaN系結晶成長用基板を得る。例文帳に追加

The substrate for growing a GaN-based crystal is obtained by depositing a mask layer 2 comprising a compound material (especially, a nitride of silicon) on which the GaN-based crystal does not grow substantially by reactive sputtering and then fabricating a necessary pattern. - 特許庁

水量調節体7は、調節板8が支持体内を滑合して昇降するように、閉塞面8Aを遮蔽板3側に向けた状態で支持体内に配設してある。例文帳に追加

The water-volume adjusting body 7 is arranged in the support body 2 in such a condition as to make the blocking surface 8A face to the side of the shielding plate 3 so as to let the adjusting plate 8 slide and go up and down in the support body 2. - 特許庁

角度調整付プレキャストコンクリートブロックを化粧前面プレキャストコンクリート板1と異なる、後面プレキャストコンクリート板を鉄板固体ボルト3又連結鉄板4で組立て、角度調整板5と角度調整目盛穴6を調整して角度を固定する。例文帳に追加

In a precast concrete block with angle adjustment, a finished front precast concrete plate 1 and a rear precast concrete plate 2 different from the plate 1 are assembled from an iron plate fixing bolt 3 and a coupling iron plate 4, and an angle adjusting plate 5 and an angle adjusting scale hole 6 are adjusted to fix an angle. - 特許庁

調理器用トッププレート1は、酸化チタンを含む透明結晶化ガラス基板と、透明結晶化ガラス基板の裏面に形成されており、可視波長域における少なくとも一部の波長域の光を反射させる反射膜4とを備えている。例文帳に追加

The top plate for cooker 1 includes the transparent crystallized glass substrate 2 containing titanium oxide, and the reflective film 4 formed on the back surface of the transparent crystallized glass substrate 2 to reflect at least a certain wavelength range of light in the visible wavelength range. - 特許庁

アンテナエレメント3、給電用エレメント4、及び垂直エレメント5は、有限地板に対して左右対称となるよう配置されており、前記導体の全長が使用周波数の約1/2波長となるよう形成されている。例文帳に追加

The antenna element 3, the feeding element 4 and the vertical element 5 are arranged symmetrically to the finite ground plate 2, and the entire length of the long conductor is selected to be about 1/2 wavelength with respect to the operating frequency of the antenna system. - 特許庁

透光性を有する棚板1の後縁の略全長に亙って棚板1の後端面から棚板1の内部に照明光を入射させる照明装置を装着する。例文帳に追加

The lighting device 2 is mounted to admit the illumination light into the rack board 1 from the rear end face of the rack board 1 almost over the entire length of the rear rim of the light transmitting rack board 1. - 特許庁

絶縁性表面を有する基板1上に非晶質珪素膜を形成し、珪素の結晶化を助長する触媒物質を添加する。例文帳に追加

An amorphous silicon film 2 is formed on a substrate 1 having an insulating surface, and a catalyst material promoting crystallization of silicon is added. - 特許庁

アルミナ膜3を除去し、その後、ベース基板1の表面にGaN層を結晶成長させる。例文帳に追加

The alumina film 3 is removed and thereafter a GaN layer 2 is formed by crystal growth on the surface of the base substrate 1. - 特許庁

座ぐりの底面aが、気相成長の加熱の際における基板Wの撓み形状よりも窪まされている。例文帳に追加

The bottom 22a of the seat 2 is recessed more than the deflection figure of the substrate W in heating of vapor phase growth. - 特許庁

非極性面III族窒化物からなる下地膜を基板1上に気相成長法により形成する。例文帳に追加

An underlayer 2 comprising a nonpolar group-III nitride is formed on a substrate 1 by a vapor phase growth method. - 特許庁

基板10の上面に、少なくとも枚の微小タイル状素子1,が接着剤11を介して重ねて貼り合わせられていることを特徴とする。例文帳に追加

At least two sheets of microtile-like elements 1, 2 are laminated in layers on the upper surface of a substrate 10 via an adhesive material 11. - 特許庁

基盤1の下面側に異なる波長の励起用光を発射する複数の光源体21a,21bを配置して点を照射する。例文帳に追加

A plurality of light source bodies 21a, 21b emitting exciting lights having different wavelengths are arranged on the undersurface side of the substrate to irradiate the point 2 with the exciting lights. - 特許庁

表面実装部品100を実装するプリント配線基板の上に熱膨張緩衝シート3を一体に積層する。例文帳に追加

A thermal-expansion buffer sheet 3 is laminated integrally on the printed-wiring board 2 on which the surface mounting component 100 is mounted. - 特許庁

例文

載置板の一の頂点から、載置板の原稿載置面とは逆の面から光を照射する光源5(5_X1、5_X、・・・5_X8、及び5_Y1、5_Y、5_Y3、5_Y4)を設ける。例文帳に追加

The image forming apparatus is provided with light sources 5 (5_X1, 5_X2, ..., 5_X8 and 5_Y1, 5_Y2, 5_Y3, 5_Y4) which emit light rays from a surface opposite to an original placed surface of an original platen 2 from one apex of the original platen 2. - 特許庁

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※この記事は「日本法令外国語訳データベースシステム」の2010年9月現在の情報を転載しております。
  
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