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みおくろーぬすせいの英語
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「みおくろーぬすせい」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 435件
埋込み層が多くても一種類となる構造で、同一基板上に特性の揃ったＮＰＮ及びＰＮＰトランジスタを形成する。例文帳に追加
To form NPN and PNP transistors having characteristics with no variance on the same substrate in a structure of one kind even with many buried layers. - 特許庁
良性の家族性新生児痙攣ならびにローランド癲癇（ＢＦＮＣ）および若年性ミオクローヌス癲癇の分子的基礎を提供する。例文帳に追加
To provide a molecular basis of benign familial neonatal convulsion and rolandic epilepsy (BFNC) and juvenile myoclonus epilepsy. - 特許庁
メモリカードは、記憶領域を構成するｎ個（ｎは２以上の整数）の不揮発性メモリモジュール（２２１〜２２４）と、ｎ個のメモリモジュールに対するデータの書き込み、読み出しを制御するコントローラとを含む。例文帳に追加
The memory card includes: n pieces (n is an integer of ≥2) of nonvolatile memory modules (221-224) which constitute a storage area; and a controller which controls read or write of data to the n pieces of memory modules. - 特許庁
品物の送り主２は、通知書５０に印字されたＱＲコード５２を送り主端末２０で読み取って送信ＵＲＬにアクセスし、音声や動画によるメッセージをインターネットＮ上のサーバ１００にアップロードする。例文帳に追加
An article sender 2 uses a sender terminal 20 to read a QR code (R) 52 printed on a written notice 50, accesses a transmission URL and uploads a message by voice or a moving picture to a server 100 on the Internet N. - 特許庁
あるプローブ♯ｎの電界を取得する場合、偏光調整部３０３は、そのプローブ♯ｎの制御情報を記憶部３０５から読み出して、そのプローブ♯ｎに入射される光の偏光状態が最適になるように調整する。例文帳に追加
When acquiring an electric field of some probe #n, a polarization adjustment part 303 reads out the control information of the probe #n from the storage part 305, and adjusts so that the polarization state of light entering the probe #n becomes optimum. - 特許庁
ＩＣカード１０７は、特定ユーザのＰＩＮ情報を記憶するＰＩＮ情報記憶部と、特定ユーザの基準生体情報を記憶する基準生体情報記憶部と、秘密情報を記憶する秘密情報記憶部と、ＰＩＮ情報記憶部に記憶されているＰＩＮ情報とアクセス管理装置１０５から送られたＰＩＮ情報を比較する処理部とを有する。例文帳に追加
The IC card 107 has a PIN information storage part which stores PIN information about a specific user, a reference biometric information storage part which stores reference biometric information of the specific user, a secret information storage part which stores the secret information and a processing part which compares the PIN information stored in the PIN information storage part with the PIN information transmitted from the access management device 105. - 特許庁
制御部１０５は、記憶部１０１に０番目から（Ｎ−１）番目までのＮ個の受信データを書込み、これに続くＮ番目から（Ｎ＋Ｍ−２）番目までの（Ｍ−１）個の受信データを記憶部１０２に書き込む。例文帳に追加
A control section 105 writes N pieces of 0th to (N-1)th received data in a storage section 101 and writes following (M-1) pieces of N-th to (N+M-2)th received data in a storage section 102. - 特許庁
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「みおくろーぬすせい」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 435件
ＶＮとＮｂＮ（厳密には化学量論的な組成をとらず、Ｖ_４Ｎ_３などと記述されるＢｅｒｔｈｏｌｌｉｄｅ型化合物）の内の１種または２種の整合析出物を含むＦｅ−Ｍｎ−Ｓｉ系、Ｆｅ−Ｍｎ−Ｓｉ−Ｃｒ系またはＦｅ−Ｍｎ−Ｓｉ−Ｃｒ−Ｎｉ系の鉄基形状記憶合金。例文帳に追加
The alloy is composed of an Fe-Mn-Si, Fe-Mn-Si-Cr or Fe-Mn-Si-Cr-Ni type iron-based shape memory alloy containing coherent precipitates of either or both of VN and NbN (more precisely, berthollide compounds having no stoichiometric composition and represented by V_4N_3 etc.). - 特許庁
記憶部２２は、空間光変調素子１０の位相歪みを補正するために空間光変調素子１０のＮ個（Ｎは２以上の整数）の温度値に対応して作成されたＮ個の補正用パターンを記憶している。例文帳に追加
The storage section 22 stores N number (N is an integer of 2 or more) of correction patterns created corresponding to N number of temperature values of the spatial light modulation element 10 for correcting phase distortion of the spatial light modulation element 10. - 特許庁
ファイルシステム部１０３は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２に記憶されるデータの読み書きを制御する。例文帳に追加
The file system part 103 controls the reading/writing of data stored in a NAND flash memory 12. - 特許庁
自動旋盤の制御装置１は数値制御部ＮＣ_1を含み、入力装置１１、読み込み部１２、加工プログラム記憶部１４を有する。例文帳に追加
The control device of the automatic lathe includes a numerical control part NC1 and has an input device 11, a read part 12 and a machining program storing part 14. - 特許庁
左右の側縫い部Ｓ１、Ｓ２を有する鳩目穴かがり縫い目Ｍを形成するためのパターンデータを記憶するＲＡＭ３と、パターンデータに基づいて作成された縫い目データに基づいて鳩目穴かがり縫い目Ｍを形成するＣＰＵ１を備えてボタン穴かがりミシン１００を構成する。例文帳に追加
A RAM 3 to store pattern data for forming an eyelet holing seam M with an eyelet part T and right and left side sewing parts S1, S2 and a CPU 1 to form the eyelet holing seam M based on seam data prepared based on the pattern data are equipped to form this button holing sewing machine 100. - 特許庁
記憶制御システム６００が構築される筐体１０内に、２以上のＮＡＳヘッドから構成されるスケールアウト型ＮＡＳヘッドグループ１１１と、スケールアウト型ＮＡＳヘッドグループ１１１を構成するＮＡＳヘッドである各ＮＡＳヘッドメンバ１１０Ｌよりも高性能のＮＡＳヘッドであるスケールアップ型ＮＡＳヘッド１１０Ｈとの両方が備えられる。例文帳に追加
This storage control system 600 is provided with a scale-out type NAS head group 111 constituted of two or more NAS heads and a scale-up type NAS head 110H being an NAS head whose performance is higher than that of each NAS head member 110L being an NAS head configuring the scale-out type NHAS head group 111 in a case body 10. - 特許庁
薄膜磁性体記憶装置には、Ｎ個のメモリバンクＭＢ１〜ＭＢＮと、Ｍ個ずつ（Ｍ＞Ｎ）のデータ読出回路ＲＤＶ１〜ＲＤＶＭおよびデータ書込回路ＷＤＶ１〜ＷＤＶＭとを含み。例文帳に追加
The thin-film magnetic material storage device includes N memory banks MB1 to MBN, M (M>N) data read circuits RDV1 to RDVM and M data write circuits WDV1 to WDVM. - 特許庁
数値制御装置のＣＰＵは、ＮＣプログラムから工具交換指令を読み込み、工具Ｔの使用順番Ｌを記憶する（Ｓ１１、Ｓ１２）。例文帳に追加
A CPU of a numerical control device reads out a tool changeover instruction from an NC program and memorizes a usage order L of the tool T (S11, S12). - 特許庁
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