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らせん転位の英語
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英訳・英語 screw dislocation
「らせん転位」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 33件
LACBEDは、刀状転位を螺旋転位と区別できる。例文帳に追加
LACBED can distinguish edge and screw dislocations.発音を聞く - 科学技術論文動詞集
低１ｃらせん転位の３インチ炭化珪素ウェハ例文帳に追加
LOW 1c SCREW DISLOCATION 3 INCH SILICON CARBIDE WAFER - 特許庁
らせん転位の集合体２、積層欠陥３、及び刃状転位４が含まれ、らせん転位の集合体２が積層欠陥３若しくは刃状転位４によって、らせん転位の軸（転位線を伸長する）方向に分断された炭化珪素単結晶１とする。例文帳に追加
This silicon carbide single crystal 1 comprises an assembly 2 of screw dislocations, the stacking faults 3 and edge dislocations 4 and is obtained by dividing the assembly 2 of the screw dislocations into sections in the direction of the axis (extending the dislocation lines) of the screw dislocations with the stacking faults 3 or the edge dislocations 4. - 特許庁
貫通らせん転位の密度を減らした領域を特定する。例文帳に追加
To specify a region where the density of penetration spiral dislocation is reduced. - 特許庁
ＩＩＩ族窒化物結晶の表面の螺旋転位、混合転位および刃状転位の各種転位の種別ごとにその転位密度が正確に測定できるＩＩＩ族窒化物結晶の評価方法を提供する。例文帳に追加
To provide an evaluation method of a group III nitride crystal capable of accurately measuring the dislocation density for each of various dislocation types, i.e., screw dislocation, mixed dislocation and edge dislocation in the surface of the group III nitride crystal. - 特許庁
ここで、線材群７ｂの転位開始位置から、線材群７ａの転位開始位置までの周方向のずれ長さ（図中Ｃ）は、「転位長さ」Ｄよりも長い。例文帳に追加
Shift length (C in the drawing) in a circumferential direction from a transposition start position of the wire group 7b to that of the wire group 7a is longer than "transposition length" D. - 特許庁
刃状転位、らせん転位および混合転位のすべての転位密度が低減された窒化物系半導体層を歩留まり良く形成することによって、良好な素子特性を有する窒化物系半導体素子を容易に提供する。例文帳に追加
To easily provide a nitride-base semiconductor device having excellent device characteristics by forming, at good yield, nitride-base semiconductor layers in which all dislocation densities of edge-shaped dislocation, helical dislocation and mixed dislocation are decreased. - 特許庁
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「らせん転位」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 33件
貫通らせん転位密度の小さい炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method for producing silicon carbide single crystal which is reduced in penetration screw dislocation density. - 特許庁
マイクロパイプの発生がなく、らせん転位や刃上転位などの転位密度が極めて少なく、かつ、異方位結晶の混入のない高品質な炭化珪素単結晶の成長方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method for growing a silicon carbide single crystal of high quality which is free from the occurrence of micropipes, almost free from dislocation densities such as screw dislocations and edge dislocations, and free from mixing of different orientation crystals. - 特許庁
該製造方法においては、周囲よりも高密度で螺旋転位１９を発生させることができる螺旋転位発生可能領域１５を有する転位制御種結晶１を準備する（種結晶準備工程）。例文帳に追加
In the method, the dislocation controlling seed crystal 1 having an area 15 for allowing the spiral dislocations 19 to occur in a density higher than its periphery is prepared (seed crystal preparing process). - 特許庁
（３）成長面は、螺旋転位密度が低い高品質領域１２と、成長面の５０％以下の面積を持つ螺旋転位領域１４とを備えている。例文帳に追加
(3) The growing face includes a high quality region 12 having a low screw dislocation density and a screw dislocation region 14 having an area of not more than 50% of the growing face. - 特許庁
これにより、貫通らせん転位１ａが存在しない表面を有するＳｉＣ成長層４を得ることが可能となる。例文帳に追加
In this way, the SiC growth layer 4 having the surface including no threading screw dislocation 1a can be obtained. - 特許庁
基底面転位、螺旋転位などの特定の転位欠陥を低減させることができる炭化ケイ素単結晶基板の改質方法、及び炭化ケイ素単結晶基板の改質装置を提供する。例文帳に追加
To provide a method for modifying a silicon carbide single crystal substrate, by which the specific dislocation defect such as basal plane dislocation or spiral dislocation is reduced, and to provide an apparatus for modifying a silicon carbide single crystal substrate. - 特許庁
製造工程を簡略化すると共に、表層部にらせん転位が存在することを抑制することができるＳｉＣ基板の製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method for producing a SiC substrate, by which the production process can be simplified and the presence of a screw dislocation in a surface layer can be suppressed. - 特許庁
エピタキシャル層状構造に発生するらせん転位の密度を一層下げることができる発光ダイオードとその製造方法を提供することを目的とする。例文帳に追加
To provide a light emitting diode that can reduce the concentration of helical dislocation generated in an epitaxial layer structure, as well as a manufacturing method thereof. - 特許庁
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