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らせん転位の英語
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英訳・英語 screw dislocation
「らせん転位」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 33件
LACBEDは、刀状転位を螺旋転位と区別できる。例文帳に追加
LACBED can distinguish edge and screw dislocations.発音を聞く - 科学技術論文動詞集
低1cらせん転位の3インチ炭化珪素ウェハ例文帳に追加
LOW 1c SCREW DISLOCATION 3 INCH SILICON CARBIDE WAFER - 特許庁
らせん転位の集合体2、積層欠陥3、及び刃状転位4が含まれ、らせん転位の集合体2が積層欠陥3若しくは刃状転位4によって、らせん転位の軸(転位線を伸長する)方向に分断された炭化珪素単結晶1とする。例文帳に追加
This silicon carbide single crystal 1 comprises an assembly 2 of screw dislocations, the stacking faults 3 and edge dislocations 4 and is obtained by dividing the assembly 2 of the screw dislocations into sections in the direction of the axis (extending the dislocation lines) of the screw dislocations with the stacking faults 3 or the edge dislocations 4. - 特許庁
III族窒化物結晶の表面の螺旋転位、混合転位および刃状転位の各種転位の種別ごとにその転位密度が正確に測定できるIII族窒化物結晶の評価方法を提供する。例文帳に追加
To provide an evaluation method of a group III nitride crystal capable of accurately measuring the dislocation density for each of various dislocation types, i.e., screw dislocation, mixed dislocation and edge dislocation in the surface of the group III nitride crystal. - 特許庁
貫通らせん転位の密度を減らした領域を特定する。例文帳に追加
To specify a region where the density of penetration spiral dislocation is reduced. - 特許庁
刃状転位、らせん転位および混合転位のすべての転位密度が低減された窒化物系半導体層を歩留まり良く形成することによって、良好な素子特性を有する窒化物系半導体素子を容易に提供する。例文帳に追加
To easily provide a nitride-base semiconductor device having excellent device characteristics by forming, at good yield, nitride-base semiconductor layers in which all dislocation densities of edge-shaped dislocation, helical dislocation and mixed dislocation are decreased. - 特許庁
該製造方法においては、周囲よりも高密度で螺旋転位19を発生させることができる螺旋転位発生可能領域15を有する転位制御種結晶1を準備する(種結晶準備工程)。例文帳に追加
In the method, the dislocation controlling seed crystal 1 having an area 15 for allowing the spiral dislocations 19 to occur in a density higher than its periphery is prepared (seed crystal preparing process). - 特許庁
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「らせん転位」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 33件
マイクロパイプの発生がなく、らせん転位や刃上転位などの転位密度が極めて少なく、かつ、異方位結晶の混入のない高品質な炭化珪素単結晶の成長方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method for growing a silicon carbide single crystal of high quality which is free from the occurrence of micropipes, almost free from dislocation densities such as screw dislocations and edge dislocations, and free from mixing of different orientation crystals. - 特許庁
貫通らせん転位密度の小さい炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method for producing silicon carbide single crystal which is reduced in penetration screw dislocation density. - 特許庁
ここで、線材群7bの転位開始位置から、線材群7aの転位開始位置までの周方向のずれ長さ(図中C)は、「転位長さ」Dよりも長い。例文帳に追加
Shift length (C in the drawing) in a circumferential direction from a transposition start position of the wire group 7b to that of the wire group 7a is longer than "transposition length" D. - 特許庁
基底面転位、螺旋転位などの特定の転位欠陥を低減させることができる炭化ケイ素単結晶基板の改質方法、及び炭化ケイ素単結晶基板の改質装置を提供する。例文帳に追加
To provide a method for modifying a silicon carbide single crystal substrate, by which the specific dislocation defect such as basal plane dislocation or spiral dislocation is reduced, and to provide an apparatus for modifying a silicon carbide single crystal substrate. - 特許庁
(3)成長面は、螺旋転位密度が低い高品質領域12と、成長面の50%以下の面積を持つ螺旋転位領域14とを備えている。例文帳に追加
(3) The growing face includes a high quality region 12 having a low screw dislocation density and a screw dislocation region 14 having an area of not more than 50% of the growing face. - 特許庁
これにより、貫通らせん転位1aが存在しない表面を有するSiC成長層4を得ることが可能となる。例文帳に追加
In this way, the SiC growth layer 4 having the surface including no threading screw dislocation 1a can be obtained. - 特許庁
マイクロパイプ欠陥,螺旋転位,及び刃状転位をほとんど含まず,大口径高品質の炭化珪素単結晶、炭化珪素基板及びその製造方法を提供すること。例文帳に追加
To provide a silicon carbide single crystal with a large diameter and high quality, including little micropipe defects, screw dislocation and edge dislocation, a silicon carbide substrate and a method for manufacturing the substrate. - 特許庁
ロータ6の回転位置を検出するための検出対象として、磁極突起7を利用しているので、ロータ6の回転位置を検出するものでありながら、専用の被検出体を必要としない。例文帳に追加
The magnetic pole protrusions 7 are used as the objects to be detected for detection of the rotational position of the rotor 6, thus the dedicated object to be detected is not required, even for the detection of the rotational position of the rotor 6. - 特許庁
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