イッチゲートの英語

さらに、これらのメモリブロックに共通に双方向でデータを転送するデータ転送線（ＢＴＸ０，ＢＴＸ１）と、メモリブロック間でデータ転送を行なうための転送スイッチゲート（ＴＸ０−ＴＸ３）を設ける。例文帳に追加

Data transfer lines (BTX0, BTX1) for transferring the data bidirectionally to these memory blocks in common and transfer switch gates (TX0-TX3) for transferring the data between the memory blocks are also equipped. - 特許庁

このとき、スイッチゲート２４Ａの抵抗値が温度によって変化することから、コントローラ１６で検出するヘッド端子電圧Ｖｘが、ヘッド温度に応じた時定数で変化する。例文帳に追加

At this time, as the value of resistance of the switch gate 24A is changed with temperature, the head terminal voltage Vx detected by a controller 16 is changed by a time constant in accordance with the head temperature. - 特許庁

Ｉ／Ｏスイッチは、与えられた語構成情報に従って内部のスイッチゲートを導通／非導通状態に設定して、プリアンプ／ライトドライバとＤＱバッファとの接続経路を電気的に設定する。例文帳に追加

The I/O switch sets an internal switch gate to a conduction/non-conduction state conforming to given word constitution information, and sets electrically the connection path of a pre-amplifier/write-driver and a DQ buffer. - 特許庁

整流されていない高周波電圧の数周期をスイッチゲートに印加することから成り、１つのＨＦ半波の電力はＳＣＲタイプのスイッチを始動するには不充分である。例文帳に追加

The method is composed of applying several periods of a high-frequency voltage not rectified to a switching gate where the power of one HF half-wave is not sufficient to start the SCR type switch. - 特許庁

離散的にトラップを含むゲート絶縁膜（２）及びメモリゲート電極（７）を有するメモリトランジスタ部（Ｔｒｍｃ）を有し、その両側に、スイッチゲート電極（６−１，６−２）を備えたスイッチトランジスタ部（Ｔｒｓｗ）を備える。例文帳に追加

In the semiconductor integrated circuit, a memory transistor (Trmc) having a gate-insulating film 2 discretely including a trap and a memory gate electrode 7 is provided, and switch transistors (Trsw) having switch gates 6-1 and 6-2 are provided at both the side of the memory transistor. - 特許庁

透過率を可変できる１入力１出力の光スイッチ（ゲート）１〜４はＴＲＥＥ構造ネットワークによって構成されたマトリクス光スイッチにおいて、スイッチ１，２（１段目）とスイッチ３，４（３段目）との間（中央段）に配設されている。例文帳に追加

Optical switches (gates) 3 to 6 of one input one output capable of varying transmittance are disposed between the switches 1, 2 (first stage) and switches 7, 8 (third stage) of matrix optical switches composed of a tree structure network. - 特許庁

駆動制御部１４には、駆動回路１８の出力側にスイッチ３２が設けられ、このスイッチ３２を閉じている状態で、充電選択信号ＳｍをＳＷＩＣ２４へ出力することにより、スイッチゲート２４Ａを介してコンデンサ３６を充電する。例文帳に追加

A switch 32 is provided on the output side of a driving circuit 18 in a driving controlling part 14, and under a condition that this switch 32 is closed, a capacitor 36 is charged with electricity through a switch gate 24A by outputting a charge selecting signal Sm to an SWIC 24. - 特許庁

第１半導体領域（３０）上にゲート絶縁膜（３１）及びゲート窒化膜（３２）を介してメモリゲート電極（３３）が形成され、その両側に第１及び第２スイッチゲート電極（３６，３７）及びソース・ドレイン電極とされる第１及び第２信号電極（３８，３９）が形成される。例文帳に追加

A memory gate electrode (33) is formed through a gate insulation film (31) and a gate nitride film (32) on a first semiconductor area (30), and first and second signal electrodes (38, 39) being first and second switch gate electrodes (36, 37) and a source and drain electrode are formed on both sides. - 特許庁