エピタキシャル再成長の英語

その次に固相エピタキシャル再成長ステップが、アモルファス化領域の所望の厚さを持つ薄膜上になされる。例文帳に追加

Next, a solid phase epitaxy regrowth step is carried out on a thin film having a desired thickness in the amorphous region. - 特許庁

目的とするｎ型のノンアロイコンタクト層７を有する電子デバイス構造のためのエピタキシャル層の成長を終了した後、断熱圧縮された窒素ガスを反応炉内に多量、且つバースト状に送り込むプロセスを行い、その後に再び目的とするｎ型のノンアロイコンタクト層７を有する電子デバイス構造のためのエピタキシャル層の成長を行う。例文帳に追加

After the growth of an epitaxial layer is terminated for electronic device structure having an objective n-type non-alloy contact layer 7, the growth of the objective epitaxial layer for electronic device structure having the n-type non-alloy contact layer 7 is again performed after a process is performed in which a large amount of heat-insulated and compressed nitrogen gas is sent into the reaction furnace in a burst-like state. - 特許庁

反応炉内に分解付着物が生成しないような構造とすることにより基板上への異物の付着を抑制し、分解付着物の再蒸発によるエピタキシャル薄膜の劣化を抑制でき、かつ反応炉内の分解付着物を取り除くためのメンテナンス回数を削減可能な構造の化合物半導体エピタキシャル成長装置を提供する。例文帳に追加

To provide a compound semiconductor epitaxial growth device having a structure capable of suppressing deterioration of an epitaxial thin film by re-evaporation of decomposition extraneous matter by suppressing adhesion of foreign matter onto a substrate by allowing the structure to prevent generation of the decomposition extraneous matter in a reactor, and reducing the number of times of maintenance for removing the decomposition extraneous matter in the reactor. - 特許庁

エピタキシャル成長後、再度温度を上昇させる熱処理により、ｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層２との組成界面付近のｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層３に含まれる炭素のピーク濃度が下がるため、組成界面付近でｐ型変換層が発生せず、サイリスタ不良が発生しないエピタキシャルウエハが得られる。例文帳に追加

Because the peak concentration of carbon contained in the n-type GaAlAs clad layer 3 near the composition interface with the p-type GaAlAs active layer 2 is reduced by the heat treatment for raising the temperature again after the epitaxial growth, a p-type conversion layer does not occur near the composition interface, and the epitaxial wafer can be obtained wherein the thyristor failure does not occur. - 特許庁

発光効率が極めて高く、一度のエピタキシャル成長により低コストで製造することができ、基板を再利用することができる発光ダイオードの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a light-emitting diode which has high light emission efficiency, can be inexpensively manufactured by single epitaxial growth and is capable of reusing a substrate. - 特許庁

選択エピタキシャル成長を用いて基板上に半導体膜を選択的に形成する際に、半導体膜の形状制御が可能で、かつ、再現性・安定性の高い成膜手法を提供する。例文帳に追加

To provide a film-making method having high reproducibility and high stability and capable of controlling the shape of a semiconductor film when the semiconductor film is selectively formed on a substrate using a selective epitaxial growth. - 特許庁

基板に再構成表面や水素終端表面を形成する処理が不要で、かつ、基板上に形成したバッファ層が（１００）配向でエピタキシャル成長してなる電子デバイス用基体及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a substrate for an electronic device and a method of manufacturing the same which eliminate the need of processing for forming the reconstitution surface or the hydrogen terminal surface, and a buffer layer formed on the substrate is formed by epitaxial growth in (100) orientation. - 特許庁

アパーチャ層材料も窒化物を含み、アパーチャ層はエッチングされてアパーチャが形成され、このアパーチャはエピタキシャル再成長によって、導電性材料で充填される。例文帳に追加

The material of the aperture layer also includes a nitride, and the aperture layer is etched to create an aperture which is then filled with a conducting material by epitaxial regrowth. - 特許庁