ゲートドレインの英語

パワー回路３１１８は、位相を制御するＭＯＳと、ＭＯＳのゲート−ドレイン間に設けられたサージ吸収回路とを含む。例文帳に追加

The power circuit 3118 includes a MOS which controls the phase, and a surge absorbing circuit which is provided between the gate and the drain of the MOS. - 特許庁

ゲート−ドレイン間に金属的性質を示すカーボンナノチューブからなる電界緩和用電極８を設ける。例文帳に追加

The electrode 8 for reducing an electric field which consists of carbon nanotubes having metallic properties is formed between the gate and the drain. - 特許庁

上部および下部の絶縁プラグがゲート・スペーサとして機能し、ゲート−ソースおよびゲート−ドレイン静電容量を低減させる。例文帳に追加

Upper and lower insulating plugs function as gate spacers and make the gate-source capacitance and the gate-drain capacitance reduced. - 特許庁

開口部を備えたゲートパターンとドレインの間の重複領域は、ゲート−ドレイン間の容量（Ｃｇｄ）を変化させないように保持できる。例文帳に追加

The overlapped area between the gate pattern having the opening and the drain is kept so as not to change the capacitance (Cgd) between the gate and drain. - 特許庁

ＦＥＴ25のゲート−ドレイン間には、ツェナーダイオード43が接続され、ゲートには同期整流ドライバ34が接続されている。例文帳に追加

A Zener diode 43 is connected to a gate-to-drain in an FET 25, and a synchronous rectifier driver 34 is connected to a gate. - 特許庁

抵抗Ｒと、ゲートドレイン短絡のトランジスタＱ０の直列接続により、抵抗Ｒに流れる電流ＩＡを決定する。例文帳に追加

A current IA flowing through a resistor R is determined by a series connection of the resistor R and a gate-drain short circuit transistor Q0. - 特許庁

さらに本発明の半導体装置はpゲート１３下側のドリフト領域の濃度を低くし、ゲート/ドレイン間の空乏層を拡がり易くする。例文帳に追加

Furthermore, in this semiconductor device, a depletion layer between the gate and drain is made to extend more easily by reducing the concentration in the drift region just below the p-gate 13. - 特許庁

ゲート−ドレイン間寄生容量を低減できる半導体装置の面積を低減し、工程数を削減する。例文帳に追加

To reduce the area and the number of processes of a semiconductor device capable of reducing the gate-drain parasitic capacitance. - 特許庁