主給電素子の英語

導体板５上に、この板面と略平行に主アンテナ線状素子１および無給電アンテナ線状素子２が配置されている。例文帳に追加

A main antenna linear element 1 and a parasitic antenna linear element 2 are arranged in almost parallel with the plate surface of a conductor plate 5. - 特許庁

このとき、給電端子３６は第１の有機ＥＬ素子３１Ｌの主走査方向の手前側にて配置され、給電端子３７は第２の有機ＥＬ素子３１Ｒの主走査方向の奥側に配置されている。例文帳に追加

In this case, the feeding terminal 36 is provided on a near side in a main scanning direction of the first organic EL device 31L, and the feed terminal 37 is provided on a far side in the main scanning direction of the second organic EL device 31R. - 特許庁

そして、上記主放射素子１１及び複数の副放射素子１２ａ〜１２ｃは、同位相の電流が流れるように給電線路１５により並列給電する。例文帳に追加

A feeding line 15 feeds the main radiating element 11 and the plurality of sub-radiating elements 12a to 12c in parallel such that the same phase current flows to them. - 特許庁

スイッチ１５０ａは、給電線路１３０とインダクタンス素子１６０ａとを接続状態とすることにより、給電素子１３１及び給電線路１３０の有効な電気長を変化させ、アンテナ装置１００を主に１．７ＧＨｚ帯の周波数帯域と整合させる。例文帳に追加

A switch 150a brings a feeder line 130 and an inductance element 160a into a connected state to change an effective electric length of a feeding element 131 and the feeder line 130 and match an antenna device 100 mainly to a 1.7 GHz frequency band. - 特許庁

スイッチ１５０ｂは、給電線路１３０とインダクタンス素子１６０ｂとを接続状態とすることにより、給電素子１３２及び給電線路１３０の有効な電気長を変化させ、アンテナ装置１００を主に８００ＭＨｚ帯の周波数帯域と整合させる。例文帳に追加

A switch 150b brings the feeder line 130 and an inductance element 160b into a connected state to change an effective electric length of a feeding element 132 and the feeder line 130 and match the antenna device 100 mainly to a 800 MHz frequency band. - 特許庁

アンテナ素子１，２は、無給電素子であり、ｚ軸方向に沿って基板１０の一主面１０Ａに相互に略平行に配置され、可変容量素子であるバラクタダイオードが装荷される。例文帳に追加

Antenna elements 1 and 2 are non-feeding elements, arranged in almost in parallel mutually on a main surface 10A of the substrate 10 along z axis direction, and varactor diode which is a variable capacitance element is charged. - 特許庁

また、主容量素子（11）のみにより、又は所定個数の補助容量素子（C9〜C16）を第１の蓄電部（10）の容量素子に直列に接続して供給電力を出力するスイッチ部（30）を設ける。例文帳に追加

A switch part (30) is provided which outputs feed power by using only the main capacitive element (11) or by connecting a predetermined number of auxiliary capacitive elements (C9 to C16) to the capacitive element of the first power storage part (10) in series. - 特許庁

無給電素子２３は、放射素子２１の正六角形によって規定される平面（フィルム１の主表面２）のうちの、放射素子２１の内側に位置する領域Ａ１に形成される。例文帳に追加

The parasitic element 23 is formed in a region A1 located at inside of the radiating element 21 within the flat plane (principal front surface 2 of a film 1) predetermined with the regular hexagon of the radiating element 21. - 特許庁