スパッタリング技術の英語

二酸化チタンからなるスパッタリングターゲットを、直流電圧スパッタリングに適している、即ち比電気抵抗が５Ωｃｍ未満である（が、しかし、好ましくは１Ωｃｍ未満である）ように製造し、その際スパッタリングターゲットは、特に安価である、簡単で処理技術的に容易に操作することができる方法によって、大きな断片数で製造されることができなければならない。例文帳に追加

To manufacture a sputtering target consisting of titanium dioxide, which is suitable for direct current voltage sputtering, that is, has an electrical resistivity of less than 5 Ωcm, (preferably, less than 1 Ωcm), and which can be manufactured by a particularly inexpensive method to be simply operated with an easy handling technique, so as to be produced with a large number of fragmentations. - 特許庁

最上部から底部まで組成勾配を有する単一のチタン−タンタル薄膜は、ＰＶＤ、ＣＶＤ、均一な組成のスパッタリングターゲットを用いたスパッタ堆積及び複数のスパッタリングターゲットを用いたスパッタ堆積を含む各種の技術を用いて形成してよい。例文帳に追加

The single titanium-tantalum thin film, having a compositional gradient from the top to the bottom, can be formed by various techniques including PVD, CVD, sputter deposition using a sputtering target having a uniform composition, and sputter deposition using a plurality of sputtering targets. - 特許庁

回路基板１に穿設したスルーホール８の内面に従来技術と同様に導電体１０を印刷法、メッキ法、スパッタリング等の製膜技術により形成する。例文帳に追加

A conductor 10 is formed on the inner surface of a through hole 8 bored in a circuit board 1 by such a film forming technique as a printing, plating, and sputtering methods similarly to a conventional technique. - 特許庁

酸素や炭素、窒素などの不純物成分の含有量が低く、その結晶形態が制御されたＭｎ合金スパッタリングターゲットの製造技術を提供する。例文帳に追加

To provide a technology for manufacturing a Mn alloy sputtering target which contains each little amount of impurity components such as oxygen, carbon and nitrogen, and has the crystal form controlled. - 特許庁

Ｎｉ、Ｌａ、およびＳｉを含むＡｌ−Ｎｉ−Ｌａ−Ｓｉ系Ａｌ合金スパッタリングターゲットを用いて成膜したときに発生するスプラッシュを低減し得る技術を提供する。例文帳に追加

To provide a technology that can reduce splashes produced when an Al-Ni-La-Si system Al-based alloy sputtering target containing Ni, La and Si is used to deposit a film. - 特許庁

耐熱性の低い基体に対しても、金属酸化物、窒化物、炭窒化物等のような高融点材料からなる成膜を形成することができる、バイポーラパルススパッタリング成膜技術を提供する。例文帳に追加

To provide a bipolar pulse sputtering film deposition technique where a film composed of a high melting point material such as metal oxide, nitride and carbonitride can be deposited even to a substrate having low heat resistance. - 特許庁

Ｎｉ及びＬａを含むＡｌ−Ｎｉ−Ｌａ系Ａｌ基合金スパッタリングターゲットを用いて成膜したときに発生するスプラッシュを低減し得る技術を提供する。例文帳に追加

To provide a technique where splashes generated upon film deposition using an Al-Ni-La system Al-based alloy sputtering target comprising Ni and La can be reduced. - 特許庁

Ｎｉ、Ｌａ、およびＣｕを含むＡｌ−Ｎｉ−Ｌａ−Ｃｕ系Ａｌ基合金スパッタリングターゲットを用いて成膜したときに発生するスプラッシュを低減し得る技術を提供する。例文帳に追加

To provide a technique capable of decreasing a generation of splashing upon depositing by using an Al-Ni-La-Cu-based Al alloy sputtering target containing Ni, La, and Cu. - 特許庁