「スパッタリング技術」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

高温スパッタリング法を用いたコバルト等のシリサイド化あるいはサリサイド化技術の量産レベルでの確立を図る。例文帳に追加

To establish a technique which is capable of turning cobalt or the like to silicide or salicide at mass production level, through high-temperature sputtering method. - 特許庁

Ａｌ基合金スパッタリングターゲットを用いた場合に、高速成膜してもスプラッシュの発生を抑制し得る技術を提供すること。例文帳に追加

To provide a technology which can suppress the occurrence of splash even though a film is formed at high speed, when having used a sputtering target of an Al-base alloy. - 特許庁

二酸化チタンからなるスパッタリングターゲットを、直流電圧スパッタリングに適している、即ち比電気抵抗が５Ωｃｍ未満である（が、しかし、好ましくは１Ωｃｍ未満である）ように製造し、その際スパッタリングターゲットは、特に安価である、簡単で処理技術的に容易に操作することができる方法によって、大きな断片数で製造されることができなければならない。例文帳に追加

To manufacture a sputtering target consisting of titanium dioxide, which is suitable for direct current voltage sputtering, that is, has an electrical resistivity of less than 5 Ωcm, (preferably, less than 1 Ωcm), and which can be manufactured by a particularly inexpensive method to be simply operated with an easy handling technique, so as to be produced with a large number of fragmentations. - 特許庁

最上部から底部まで組成勾配を有する単一のチタン−タンタル薄膜は、ＰＶＤ、ＣＶＤ、均一な組成のスパッタリングターゲットを用いたスパッタ堆積及び複数のスパッタリングターゲットを用いたスパッタ堆積を含む各種の技術を用いて形成してよい。例文帳に追加

The single titanium-tantalum thin film, having a compositional gradient from the top to the bottom, can be formed by various techniques including PVD, CVD, sputter deposition using a sputtering target having a uniform composition, and sputter deposition using a plurality of sputtering targets. - 特許庁

回路基板１に穿設したスルーホール８の内面に従来技術と同様に導電体１０を印刷法、メッキ法、スパッタリング等の製膜技術により形成する。例文帳に追加

A conductor 10 is formed on the inner surface of a through hole 8 bored in a circuit board 1 by such a film forming technique as a printing, plating, and sputtering methods similarly to a conventional technique. - 特許庁

酸素や炭素、窒素などの不純物成分の含有量が低く、その結晶形態が制御されたＭｎ合金スパッタリングターゲットの製造技術を提供する。例文帳に追加

To provide a technology for manufacturing a Mn alloy sputtering target which contains each little amount of impurity components such as oxygen, carbon and nitrogen, and has the crystal form controlled. - 特許庁

Ｎｉ、Ｌａ、およびＳｉを含むＡｌ−Ｎｉ−Ｌａ−Ｓｉ系Ａｌ合金スパッタリングターゲットを用いて成膜したときに発生するスプラッシュを低減し得る技術を提供する。例文帳に追加

To provide a technology that can reduce splashes produced when an Al-Ni-La-Si system Al-based alloy sputtering target containing Ni, La and Si is used to deposit a film. - 特許庁

耐熱性の低い基体に対しても、金属酸化物、窒化物、炭窒化物等のような高融点材料からなる成膜を形成することができる、バイポーラパルススパッタリング成膜技術を提供する。例文帳に追加

To provide a bipolar pulse sputtering film deposition technique where a film composed of a high melting point material such as metal oxide, nitride and carbonitride can be deposited even to a substrate having low heat resistance. - 特許庁

Ｎｉ及びＬａを含むＡｌ−Ｎｉ−Ｌａ系Ａｌ基合金スパッタリングターゲットを用いて成膜したときに発生するスプラッシュを低減し得る技術を提供する。例文帳に追加

To provide a technique where splashes generated upon film deposition using an Al-Ni-La system Al-based alloy sputtering target comprising Ni and La can be reduced. - 特許庁

Ｎｉ、Ｌａ、およびＣｕを含むＡｌ−Ｎｉ−Ｌａ−Ｃｕ系Ａｌ基合金スパッタリングターゲットを用いて成膜したときに発生するスプラッシュを低減し得る技術を提供する。例文帳に追加

To provide a technique capable of decreasing a generation of splashing upon depositing by using an Al-Ni-La-Cu-based Al alloy sputtering target containing Ni, La, and Cu. - 特許庁

より低い温度で基板を加熱した場合でも金属材料を十分にホールに埋め込むことができる高温リフロースパッタリングの技術を提供する。例文帳に追加

To provide a technique for high-temperature reflow sputtering capable of thoroughly embedding metal material in a hole even when the substrate is heated at a lower temperature. - 特許庁

比較的平滑な被膜表面が得られるスパッタリング法による被膜のコーティング技術において、被膜の付着強度を一層高くして加工工具にも適用できるようにする。例文帳に追加

To enhance the bond strength of a film to be applied to a machining tool in film coating technology using a sputtering process to obtain a comparatively smooth film surface. - 特許庁

高周波放電法によってプラズマを発生する場合に、電極がスパッタリングされてプラズマ中に不純物が混入するという従来技術の問題点を解決して、高純度のプラズマを発生できる方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method to generate a high purity plasma by solving the problems of the prior-art wherein an electrode is sputtered and impurities are mixed into the plasma when the plasma is generated by a high frequency discharge method. - 特許庁

つまり、グリーンシートを用いた製法では困難であった誘電積層体の薄型化は、例えば、スパッタリング等の成膜技術を利用することによって実現される。例文帳に追加

Namely, the thinning of the dielectric laminate which has been difficult in a production method using a green sheet can be achieved, e.g., by utilizing a film deposition technique such as sputtering. - 特許庁

面内分布の均一性に優れた膜を成膜することができるようにし、優れた性能の電子デバイスを容易に製造することができるようにするスパッタリング技術の実現。例文帳に追加

To provide a sputtering technique carrying out film deposition having excellent uniformity of in-plane distribution and easily manufacturing an electronic device with excellent performances. - 特許庁

スパッタリング法により電荷注入層の表面に電極層を形成しても発光効率が低下しない有機ＥＬ素子を得る技術を提供する。例文帳に追加

To provide such a technology that can produce an oraganic EL device of which light-emitting efficiency is hardly reduced even if an electrode layer is formed on the surface of a charge injection layer by sputtering method. - 特許庁

より低い温度で基板を加熱した場合でも金属材料を十分にホールに埋め込むことができる高温リフロースパッタリングの技術を提供する。例文帳に追加

To provide a technique for high temperature reflow sputtering technique capable of sufficiently filling a metallic material into a hole even in the case a substrate is heated at a lower temperature. - 特許庁

基材の被膜形成面に、膜厚が漸増乃至は漸減する金属膜からなる被膜を、スパッタリングにより形成可能な技術を提供する。例文帳に追加

To provide a technology which is capable of forming a coating film made of a metallic film on a coating surface of a substrate by sputtering to have such a film thickness that gradually increases or gradually decreases from its one end side to the other end side. - 特許庁

バッキングプレートを外した使用済みスパッタリングターゲットのターゲット部に付着する接合材を実質上問題がなくなるまで除去しうる技術を提供する。例文帳に追加

To provide a technology capable of substantially perfectly removing a bonding material adhering to a target of a spent sputtering target from which a backing plate is detached. - 特許庁

ＴｉのＭＩＧ溶接において、ワイヤ送給性がよく、したがってアークが安定し、スパッタリングも少なく、良好なビードを与える溶接技術を提供する。例文帳に追加

To provide a welding technique by which, in MIG welding of Ti, wire feedability is good, thus, arc is made stable, further, sputtering is little, and a good bead can be given. - 特許庁

従来技術で得られた酸化亜鉛と酸化アルミニウムとの焼結体と同等の密度を維持しながら、より抵抗率の低い焼結体を製造する方法及びこの焼結体からなるスパッタリングターゲットの提供。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a sintered compact having lower resistivity while maintaining a density equivalent to sintered compact of zinc oxide and aluminum oxide obtained with a conventional technique and to provide a sputtering target composed of the sintered compact. - 特許庁

ＣＶＤまたはスパッタリングによって形成される薄膜型サーマルプリントヘッドおける発熱体の抵抗値を、上記発熱体の形成後に容易に調整することができる新たな技術を提供する。例文帳に追加

To provide a new technique capable of easily adjusting a resistance value of a heating element in a thin-film thermal print head formed by CVD or sputtering after forming the heating element. - 特許庁

主基板と補助基板を電気的に接続する具体的な手法として、摺動幅を規制する段差部にスパッタリング法や蒸着法或いはめっき法等の薄膜形成技術を用いて導電性材料を形成する。例文帳に追加

As a specific method of electrically connecting the main substrate and the auxiliary substrate to each other, a conductive material is formed on in a step part for regulating a sliding width by using a thin film forming technology such as a sputtering method, a deposition method. - 特許庁

このような薄膜形成用スパッタリングターゲット材を用いることにより、従来技術の課題を解決し、Ａｇの保有する優位性を活かして各種電子部品や電子機器、電子光学部品、光学記録媒体の構成要素として諸特性に優れた技術を実現しようとするものである。例文帳に追加

The use of such a sputtering target material for forming the thin film solves the problems in a prior art, and realizes a technology having various superior characteristics as the components of the various electronic components, electronic devices, optoelectronic components and optical recording media, while utilizing the advantages of Ag. - 特許庁

物質的に少なくとも２つの異なった材料から成る薄膜系を複合的な物理的な、有利には光学的な機能を有するスパッタリングによって基板にコーティングするための技術的に簡単で、小さくかつコスト面で有利な装置。例文帳に追加

To provide a technically simple, compact apparatus also advantageous cost-wise for coating a thin film system composed of at least two physically different materials on a substrate by sputtering having composite, physical, and advantageously, optical functions. - 特許庁

スパッタリングターゲットとしてＡｌ−（Ｎｉ，Ｃｏ）−（Ｌａ，Ｎｄ）系合金またはＡｌ−（Ｎｉ，Ｃｏ）−（Ｌａ，Ｎｄ）−（Ｃｕ，Ｇｅ）系合金を用いた場合にスプラッシュ、特に初期スプラッシュの発生を低減し得る技術を提供する。例文帳に追加

To provide a technique for reducing the generation of splashes, particularly, initial splashes in the case an Al-(Ni, Co)-(La, Nd) based alloy or an Al-(Ni, Co)-(La, Nd)-(Cu, Ge) based alloy is used as a sputtering target. - 特許庁

紙や合成樹脂フィルムの両面に公知の真空蒸着、イオン蒸着、スパッタリング技術で金属又は合金若しくは導電性のある化合物の薄い被膜を設け、それをスリットし更に多数の撚りを掛け蒸着膜同士が互いに複数回接触する導電糸を得る。例文帳に追加

The electroconductive yarn in which deposited membranes are mutually contacting in a plurality of times is prepared by depositing a thinly coated membrane of a metal, alloy or electroconductive compound on both sides of paper or a synthetic resin film by well-known vacuum deposition, ionic deposition or spattering techniques, slitting the same and giving a large number of twists to the same. - 特許庁

その後、化合物半導体素子及び電極上に化合物半導体素子の屈折率の値より小さく、透光性封止材料の屈折率の値より大きい値の屈折率を持つガスバリア性の透明薄膜層を、スパッタリング法やCVD法等の真空薄膜作成技術を用いて成膜する。例文帳に追加

Then a gas barrier type transparent thin film layer which has a refractive index smaller than the refractive index of the compound semiconductor element and larger than the refractive index of the light-transmissive sealing material is formed on the compound semiconductor element and electrode by using vacuum thin-film formation technique such as sputtering, CVD, etc. - 特許庁

従来技術で得られた酸化亜鉛と酸化アルミニウムとの焼結体と同等の密度を維持しながら、より抵抗率の低い焼結体を製造する方法及びこの焼結体からなるスパッタリングターゲットの提供。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a sintered body which has resistivity lower than that of such sintered body of zinc oxide and aluminum oxide as is obtained by the conventional technique and which however has a density equal to that of such sintered body and to provide a sputtering target composed of the sintered body. - 特許庁

少数のターゲットにて反応性ガスをＯＮ／ＯＦＦするだけで複数の膜種を成膜する際に、膜の種類の切替え時間を大幅に短縮し、高品質の膜を効率的に安定して確保できるスパッタリング技術を提供する。例文帳に追加

To provide a sputtering technique which can greatly reduce the period of time for switching the type of the film, and effectively and stably secure the film of high quality, when forming films including a plurality of types only by switching ON/OFF of a reactive gas with a small number of targets. - 特許庁

本発明の目的は、金属化合物薄膜を得るスパッタリング技術において、酸素等の反応性ガスがターゲットのスパッタゾーンに入り込むことに起因する異常放電を防止し、緻密で膜性能の高い薄膜を得ることができる装置及び方法を提供することにある。例文帳に追加

To provide a method and equipment, capable of preventing the occurrence of abnormal electric discharge due to the entering of reactive gas such as oxygen into the sputter zone of a target in a sputtering technique for obtaining a thin film of metallic compound and capable of providing a dense thin film increased in high film performance. - 特許庁

ベンゾオキサゾール骨格を有するジアミン類と芳香族テトラカルボン酸二無水物を出発材料とする線膨張係数が１〜１２ｐｐｍ／℃のポリイミドベンゾオキサゾールフィルムに、スパッタリング法、蒸着法、ＣＶＤ法、無電解メッキ法、電気メッキ法などの薄膜形成技術により、下地金属、導電化金属、無機誘電体、導電化金属の順で積層し主題の積層フィルムを得る。例文帳に追加

The multilayer film is obtained by forming an underlying metal, a metal rendered conductive, an inorganic dielectric, and a metal rendered conductive sequentially by thin film coating technology such as sputtering, deposition, CVD, electroless plating, or electroplating on a polyimide benzo oxazole film employing diamines having benzo oxazole frame and aromatic tetra carboxylic acid dianhydride as a source and having a linear expansion coefficient of 1-12 ppm/°C. - 特許庁

本発明の目的は、金属化合物薄膜を得るスパッタリング技術において、酸素等の反応性ガスが各ターゲットのスパッタゾーンに入り込むことによって起きる異常放電を防止し、欠陥のない薄膜を得ることができる金属化合物の薄膜形成装置及びその薄膜形成方法を提供することにある。例文帳に追加

To provide a device for forming a thin film of a metallic compd., in a sputtering technology for obtaining a metallic compd. thin film, capable of preventing abnormal discharge caused by the intrusion of reactive gas such as oxygen into the sputtering zone of each target and capable of obtaining a thin film free from defects and to provide a thin film forming method thereof. - 特許庁

従来技術にかかるターゲットをスパッタリング装置に装着し、ターゲットの周囲にアースシールドを設けると、プラズマを発生させた際に、ターゲットからアースシールドへと電流が流れるため、ターゲットの外周縁部の表面ではプラズマが形成されず、ターゲットの外周縁部がスパッタされない非侵食領域として残る。例文帳に追加

To solve a problem that a target made by a prior art leaves its peripheral part unsputtered and consequently uneroded, when sputtered after having been mounted on a sputtering apparatus and surrounded by an earth shield, because when plasma is generated, an electric current passes to the earth shield from the target and the plasma is not formed on the surface of the peripheral part of the target. - 特許庁