スパッタリング機構の英語

第１成膜機構３５は、例えば基板に第１の層を蒸着によって成膜させ、第２成膜機構３６は、例えば基板に第２の層をスパッタリングによって成膜させる。例文帳に追加

The first film deposition mechanism 35 deposits, for example, the first layer on the substrate by vapor deposition, and the second film deposition mechanism 36 deposits, for example, the second layer on the substrate by sputtering. - 特許庁

少なくとも１つのターゲット２２を備えたカソード２１を基板１２に対向させ、反応性スパッタリングに基づいてターゲットをスパッタして基板に膜を堆積させるスパッタリング装置であり、反応性ガス供給装置２３から供給される反応性ガスをカソードユニット１４の中央部からターゲット２２の表面に沿って外方へ流す中央ガス導入機構を設けるように構成される。例文帳に追加

The sputtering apparatus for depositing the film on a substrate by arranging a cathode 21 provided with at least one target 22 so as to face the substrate 12, and sputtering the target on the basis of reactive sputtering, has a central gas-introduction mechanism for making the reactive gas supplied from a reactive gas feeding device 23 flow outward from the central part of a cathode unit 14 along the surface of the target 22. - 特許庁

スパッタリング成膜において、磁性体を用いた場合のように、プラズマを制御するカソードマグネットとの間に磁場干渉が生じることのない基板押え機構を実現する。例文帳に追加

To provide a substrate holding mechanism causing no magnetic field interference between a cathode magnet for controlling plasma and itself unlike a case of using a magnetic body in sputtering film deposition. - 特許庁

本発明においては、半導体ウェハの温度を常温から１００℃まで、容易に制御可能な冷却機構を有するスパッタリング装置を提供することを目的としている。例文帳に追加

To provide a sputtering apparatus having a cooling mechanism for easily controlling the temperature of a semiconductor wafer from the normal temperature to 100°C. - 特許庁

圧電素子膜を形成するスパッタリング装置において、特定の部分にバイアスを印加する機構を具備することで、形成した膜の部分改質を容易に行える事を目的とする。例文帳に追加

To provide a sputtering apparatus for manufacturing a piezoelectric element film, which can easily perform the partial modification of the manufactured film by providing a mechanism for applying the bias to a predetermined part. - 特許庁

成膜機構５は、ミラー１０の非光学機能面１０ｂに向けて、イオンスパッタリングにより、膜原料物質４（図中矢印）を飛散・堆積させて薄膜３を形成する。例文帳に追加

The mechanism 5 forms a thin film 3 on the non-optically functioning surface 10b of the substrate 1 by causing a raw material 4 (shown by arrows in the figure) for the film 3 to deposit on the surface 10b by scattering the material 4 toward the surface 10b of the mirror 10 by ion sputtering. - 特許庁

スパッタリングによる複数材料の薄膜形成における装置機構の複雑化を抑えて簡素化し、装置コストの上昇を抑制することが可能な成膜装置及び成膜方法を提供する。例文帳に追加

To provide a film-forming apparatus and a film-forming method capable of: preventing complication of an apparatus mechanism in formation of a thin film of multiple materials by sputtering to simplify the apparatus mechanism; and preventing an increase in an apparatus cost. - 特許庁

本発明の一実施形態に係るスパッタリングカソードは、ターゲット１の裏面に対向する位置に配置される複数の磁石ユニット７と、ターゲット１と磁石ユニット７との間の距離を各々の磁石ユニット７ごとに個別に調節する距離調節機構とを有する。例文帳に追加

A sputtering cathode includes the plurality of magnet units 7 arranged at positions opposite to the rear surface of the target 1 and a distance adjusting mechanism for separately adjusting a distance between the target 1 and the magnet unit 7 for each magnet unit 7. - 特許庁