「スパッタリング機構」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

搬送機構２０は、基体を着脱可能に保持する３以上のローダ２１〜２３と、ローダを回転させる回転部２４とを有し、ローダへのスパッタリング成膜前の基体の装着とほぼ同時に別のローダからのスパッタリング成膜後の基体の取り出しができる。例文帳に追加

The carrying mechanism 20 comprises at least three loaders 21-23 capable of holding the base board in an attachable/ detachable manner and a rotating unit 24 for rotating the loaders, and the sputtering film-deposited base board can be taken out of another loader substantially simultaneously with the fitting of the base board before the sputtering film is deposition to the loader. - 特許庁

このスパッタリング装置は、容器１１、ターゲット１６、基板ホルダ４１、ガス供給機構２５、ターゲットに高周波を与える高周波供給機構１８、基板４２を固定する静電吸着機構を備えている。例文帳に追加

This sputtering device comprises a vessel 11, a target 16, a substrate holder 41, a gas feed mechanism 25, a high frequency supply mechanism 18 for supplying the high frequency to the target, and an electrostatic attraction mechanism for fixing a substrate 42. - 特許庁

第１成膜機構３５は、例えば基板に第１の層を蒸着によって成膜させ、第２成膜機構３６は、例えば基板に第２の層をスパッタリングによって成膜させる。例文帳に追加

The first film deposition mechanism 35 deposits, for example, the first layer on the substrate by vapor deposition, and the second film deposition mechanism 36 deposits, for example, the second layer on the substrate by sputtering. - 特許庁

少なくとも１つのターゲット２２を備えたカソード２１を基板１２に対向させ、反応性スパッタリングに基づいてターゲットをスパッタして基板に膜を堆積させるスパッタリング装置であり、反応性ガス供給装置２３から供給される反応性ガスをカソードユニット１４の中央部からターゲット２２の表面に沿って外方へ流す中央ガス導入機構を設けるように構成される。例文帳に追加

The sputtering apparatus for depositing the film on a substrate by arranging a cathode 21 provided with at least one target 22 so as to face the substrate 12, and sputtering the target on the basis of reactive sputtering, has a central gas-introduction mechanism for making the reactive gas supplied from a reactive gas feeding device 23 flow outward from the central part of a cathode unit 14 along the surface of the target 22. - 特許庁

スパッタリング成膜において、磁性体を用いた場合のように、プラズマを制御するカソードマグネットとの間に磁場干渉が生じることのない基板押え機構を実現する。例文帳に追加

To provide a substrate holding mechanism causing no magnetic field interference between a cathode magnet for controlling plasma and itself unlike a case of using a magnetic body in sputtering film deposition. - 特許庁

本発明においては、半導体ウェハの温度を常温から１００℃まで、容易に制御可能な冷却機構を有するスパッタリング装置を提供することを目的としている。例文帳に追加

To provide a sputtering apparatus having a cooling mechanism for easily controlling the temperature of a semiconductor wafer from the normal temperature to 100°C. - 特許庁

圧電素子膜を形成するスパッタリング装置において、特定の部分にバイアスを印加する機構を具備することで、形成した膜の部分改質を容易に行える事を目的とする。例文帳に追加

To provide a sputtering apparatus for manufacturing a piezoelectric element film, which can easily perform the partial modification of the manufactured film by providing a mechanism for applying the bias to a predetermined part. - 特許庁

成膜機構５は、ミラー１０の非光学機能面１０ｂに向けて、イオンスパッタリングにより、膜原料物質４（図中矢印）を飛散・堆積させて薄膜３を形成する。例文帳に追加

The mechanism 5 forms a thin film 3 on the non-optically functioning surface 10b of the substrate 1 by causing a raw material 4 (shown by arrows in the figure) for the film 3 to deposit on the surface 10b by scattering the material 4 toward the surface 10b of the mirror 10 by ion sputtering. - 特許庁

スパッタリングによる複数材料の薄膜形成における装置機構の複雑化を抑えて簡素化し、装置コストの上昇を抑制することが可能な成膜装置及び成膜方法を提供する。例文帳に追加

To provide a film-forming apparatus and a film-forming method capable of: preventing complication of an apparatus mechanism in formation of a thin film of multiple materials by sputtering to simplify the apparatus mechanism; and preventing an increase in an apparatus cost. - 特許庁

本発明の一実施形態に係るスパッタリングカソードは、ターゲット１の裏面に対向する位置に配置される複数の磁石ユニット７と、ターゲット１と磁石ユニット７との間の距離を各々の磁石ユニット７ごとに個別に調節する距離調節機構とを有する。例文帳に追加

A sputtering cathode includes the plurality of magnet units 7 arranged at positions opposite to the rear surface of the target 1 and a distance adjusting mechanism for separately adjusting a distance between the target 1 and the magnet unit 7 for each magnet unit 7. - 特許庁

本発明の実施形態に係るスパッタリング装置は、ターゲットユニット２１を空間部１９に対して着脱操作する際、リブ１８と対向するターゲット部３１を、リブ１８と対向する第１の状態からリブ１８と対向しない第２の状態へ変換可能な変換機構を備える。例文帳に追加

The sputtering system concerning to the embodiment has a conversion mechanism where, when a target unit 21 is subjected to attachment/detachment operations to a space part 19, a target 31 confronted with a rib 18 can be converted from a first state where it is confronted with the rib 18 to a second state where it is not confronted with the rib 18. - 特許庁

このスパッタリング装置は、１つのロードロックチャンバ３０と１つ以上のプロセスチャンバ３１〜３５とを備える真空チャンバ装置４１と、ロードロックチャンバに対し基体の受け渡しを行うために基体を搬送する搬送機構２０とを備える。例文帳に追加

This sputtering apparatus comprises a vacuum chamber device 41 having one load lock chamber 30 and more then one process chambers 31-35, and a carrying mechanism 20 for carrying the base board in order to deliver the base board to the load lock chamber. - 特許庁

スパッタリングにより多層膜を作成する成膜チャンバー１内には、三つのターゲット３０を有するカソードユニット３と、各ターゲット３０の中心点が通る円周と同軸の回転軸Ａの周りに各ターゲット３０を回転させる主回転機構とが設けられている。例文帳に追加

The apparatus for manufacturing the multilayer film comprises a film forming chamber 1 for forming the multilayer film by sputtering, a cathode unit 3 having three targets 30, and a main rotation mechanism for rotating each target 30 around a rotation axis coaxial to a circumference tracing center of each target 30, both in the chamber 1. - 特許庁

この高周波マグネトロンスパッタリング装置は、排気機構２２により内部が減圧された容器１１、ターゲット１６、基板ホルダ４１、容器内にガスを供給するガス供給機構２５、ターゲットに高周波を与える高周波供給機構１８、基板ホルダに内蔵される静電吸着機構を備える。例文帳に追加

This high frequency magnetron sputtering apparatus comprises a vessel 11 with the inside evacuated by an exhaust mechanism 22, a target 16, a substrate holder 41, a gas feed mechanism 25 for feeding gas into the vessel, a high frequency feed mechanism 18 for feeding the high frequency to the target, and a electrostatic adsorption mechanism built in the substrate holder. - 特許庁

このバリアメタル層の形成に際しては、チタンターゲットを用いた高指向性スパッタリングが可能で、かつ、高周波電圧を半導体基板にバイアスする基板バイアス機構を備え、チタンターゲットからのスパッタ粒子を半導体基板に引き付けることで、窒化チタン膜１１をアモルファス金属膜とすることが可能となる。例文帳に追加

A film forming device is used to attain high directivity sputtering using a titanium target for forming the barrier metal layer, and includes a substrate bias mechanism for applying a high frequency voltage as a bias voltage to a semiconductor substrate to allow the semiconductor substrate to attract sputter particles from the titanium target, thereby allowing the titanium nitride film 11 to include an amorphous metallic film. - 特許庁

通過型であるインライン型のスパッタリング等の真空処理装置において、連続する基板に成膜する際に隣り合う基板間（先行する基板とその後方の基板の間）の距離はコンダクタンスに影響し、処理チャンバ内のガス圧に影響するため、隣り合う基板間の距離が均一になるような機構を具備し、その制御を可能にする真空処理装置を提供することにある。例文帳に追加

To provide a transit-type inline vacuum processing apparatus, such as a sputtering apparatus, which has a mechanism capable of uniforming the distance between adjacent substrates and can control the mechanism, since the distance between substrates (between a preceding substrate and a succeeding substrate) that are continuous and adjacent to each other when depositing, has the effect on the conductance and also the gas pressure in a process chamber. - 特許庁