スパッタ非晶質の英語

ここで、透明電極１１１ｃは、インジウム・スズ合金を用いたスパッタリングで形成された非晶質の透明導電体である。例文帳に追加

Here, the transparent electrode 111c is an amorphous transparent conductive body formed with sputtering which uses an indium-tin alloy. - 特許庁

そして、非晶質炭素膜４２は、ステンレス鋼４１の凹凸面４１１を覆うようにＥＣＲスパッタリング法により形成される。例文帳に追加

The amorphous carbon film 42 is formed by an ECR sputtering method so as to cover the indented face 411 of the stainless steel 41. - 特許庁

非晶質状態が安定な相変化記録膜およびこの相変化記録膜を形成するためのスパッタリングターゲット例文帳に追加

PHASE CHANGE RECORDING FILM WITH STABLE AMORPHOUS STATE, AND SPUTTERING TARGET FOR FORMING IT - 特許庁

これにより、スパッタリング時に内部に取り込まれた微量の水素が非晶質ＳｉＣ層１２より脱離すると共に、非晶質ＳｉＣ層１２が結晶化されて多結晶ＳｉＣ層１３となり、炭化ケイ素薄膜構造体１が作製される。例文帳に追加

Thereby a trace of hydrogen is desorbed from the amorphous SiC layer 12, the amorphous SiC layer 12 is crystallized into a polycrystalline SiC layer 13, thus preparing a silicon carbide thin film structure 1. - 特許庁

非晶質状態が安定でかつ抵抗値が高いために非晶質化の際に流れる電流値が低い相変化記録膜およびその相変化記録膜を形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。例文帳に追加

To provide a phase change recording film wherein, because the amorphous state thereof is stable and the resistance value thereof is large, a current value flowing when it is made amorphous is small, and to provide a sputtering target for forming the phase change recording film. - 特許庁

光情報記録媒体の特性の向上及び薄膜の品質を大幅に改善しかつ安定化するため、スパッタリングターゲットの強度が高く、スパッタ膜の非晶質性が安定であり、青色波長領域で透過率が高く、また屈折率も高い膜を形成できるスパッタリングターゲット及び光情報記録媒体用薄膜を提供する。例文帳に追加

To provide a sputtering target having high strength and capable of forming a sputtered film having a stable amorphous property, high transmittance in a blue wavelength region and high refractive index in order to enhance characteristics of an optical information recording medium and to improve and stabilize quality of a thin film and to provide the thin film for the optical information recording medium. - 特許庁

同質の金属板を突合せ接合して得られるスパッタリングターゲットであって、金属結晶や金属間化合物の粒径・分散状態が、接合部と非接合部でほぼ同程度である特に大型のスパッタリングターゲットを提供する。例文帳に追加

To provide a very large sputtering target obtained by butt-welding metal plates of the same quality in which the grain size and the dispersed state of metal crystals and intermetallic compounds are substantially equal between a welded zone and a non-welded zone. - 特許庁

本発明の製造方法は、インジウムと４価金属とを含有するインジウム系複合酸化物の非晶質膜が、スパッタ法により前記長尺状透明フィルム基材上に形成される非晶質積層体形成工程、および前記非晶質膜が形成された長尺状透明フィルム基材が、加熱炉内に連続的に搬送され、前記非晶質膜が結晶化される結晶化工程、を有する。例文帳に追加

The manufacturing method comprises: an amorphous laminate formation step for forming an amorphous film of indium-based complex oxide containing indium and tetravalent metal on a long length of transparent film base material by sputtering; and a crystallization step for continuously transporting the long length of transparent film base material with the amorphous film formed thereon into a heating furnace, and crystallizing the amorphous film. - 特許庁