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スパッタ速度の英語
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英訳・英語 sputter rate
「スパッタ速度」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 122件
ターゲット強度に優れ、スパッタ速度が速いスパッタリングターゲットを提供する。例文帳に追加
To provide a sputtering target having excellent target strength, and a high sputtering rate. - 特許庁
スパッタ電力、スパッタガス分圧、スパッタガス流量等の制御を行うことなく成膜速度を一定に制御することを可能にしたスパッタ装置を提供する。例文帳に追加
To provide a sputtering apparatus capable of constantly controlling the film deposition rate without controlling the sputtering power, the sputtering gas partial pressure, the sputtering gas flow rate or the like. - 特許庁
スパッタ法により、より簡便な装置構成で、高いスパッタ速度で十分に酸化された酸化チタン膜が形成できるようにする。例文帳に追加
To form a sufficiently oxidized titanium oxide film by a sputtering method at high sputtering speed using a simpler and easier equipment constitution. - 特許庁
成膜速度を向上させた対向ターゲット式スパッタ装置及び対向ターゲット式スパッタ方法を提供する。例文帳に追加
To provide a facing target sputtering apparatus and a facing target sputtering method in each of which a film deposition rate is improved. - 特許庁
スパッタリング装置における、ターゲット利用効率及びスパッタ速度と、成膜厚の精度を向上する。例文帳に追加
To improve the utilizing efficiency of a target, the sputtering rate and the precision of film deposition thickness in a sputtering system. - 特許庁
さらに、隣接するタイルのスパッタリング面は連続し、スパッタリングされる速度が速い位置のタイルの厚みを厚くする。例文帳に追加
Further, the respective sputtering surfaces of the adjacent tiles are connected, and the thickness of the tiles in a position where sputtering rate is high is increased. - 特許庁
成膜速度を向上させた対向ターゲット式スパッタ装置及び対向ターゲット式スパッタ方法を提供する。例文帳に追加
To provide a facing-target type sputtering apparatus having an improved film-forming speed, and to provide a facing-target type sputtering method. - 特許庁
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「スパッタ速度」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 122件
成膜速度が向上し、かつ、スパッタ粒子によるマイクロ波導入窓の汚染を防止することができるECRスパッタリング装置の提供。例文帳に追加
To provide an ECR sputtering system capable of improving a deposition rate and of preventing the contamination of a microwave introducing window by sputter particles. - 特許庁
従来のマグネトロンスパッタ源の遅い成膜速度、特に金属の酸化物の成膜に於ける遅い成膜速度の問題を解決し、成膜速度が速いマグネトロンスパッタ源を提供することにある。例文帳に追加
To provide a magnetron sputtering source of high film deposition speed by solving the problem of the low film deposition speed of a known magnetron sputtering source, in particular, the low film deposition speed in film deposition of metal oxides. - 特許庁
スパッタ面を作製し、このスパッタ面の裏側に(表裏で対応するように)ターゲット裏面を作製することによって、冷却速度を選択的に制御するようにしたスパッタ・ターゲットを製造する。例文帳に追加
The sputter target adapted to selectively control a cooling rate is manufactured by producing a sputter surface and producing a target back surface on the back of such sputter surface (in such a manner that the front and the back correspond to each other). - 特許庁
スパッタリングターゲットを用いたときの成膜速度(スパッタレート)が高められ、好ましくはスプラッシュの発生を防止できるAl基合金スパッタリングターゲットを提供する。例文帳に追加
To provide an Al-based alloy sputtering target capable of increasing a deposition rate (sputter rate) when a sputtering target is used, and preferably capable of preventing the occurrence of splashes. - 特許庁
ターゲットを継続して使用しても、成膜速度が低下することがないスパッタリング装置、このスパッタリング装置を利用したPDPの製造装置、スパッタリング方法及びPDPの製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a sputtering apparatus capable of preventing degradation of the film deposition rate even when a target is continuously used, a PDP (plasma display panel) manufacturing device using the sputtering apparatus, a sputtering method, and a method for manufacturing a plasma display panel. - 特許庁
凹凸部5、6の側面の傾斜した面が優先的にスパッタされ、平坦面のスパッタ速度は遅いので、凹凸ぶ5、6の側面から面内方向にスパッタが進行してCu層4表面は平坦になる。例文帳に追加
Since inclined surfaces of the sides of a projection 5 and a depression 6 are sputtered by priority and the speed of sputtering of the flat surface is low; sputtering proceeds from the sides of the projection and depression 5 and 6 toward the in-plane part, and the surface of the Cu layer 4 is planarized. - 特許庁
スパッタ粒子が基板以外の領域に発散し難くでき、これにより成膜速度を向上させることができ、さらにターゲット材の利用効率を向上させることができるスパッタ方法及びスパッタ装置を提供する。例文帳に追加
To provide a sputtering method and a sputtering system by which sputtering particles are less liable to be diffused to the region other than a substrate, thus a film deposition rate can be improved, and further, the utilization efficiency of a target material can be improved. - 特許庁
マグネトロンスパッタ電極31〜33の薄膜形成速度に見合う速度でマグネトロンスパッタ電極25によるプラズマ処理を行って薄膜を高速に形成する。例文帳に追加
The plasma treatment by the magnetron sputtering electrode 25 is executed at a speed corresponding to the thin film deposition rates of the magnetron sputtering electrodes 31 to 33 to deposit the thin film at a high speed. - 特許庁
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