炭素イオン注入の英語

ｎ^- 型エピ層２の表層部に、不活性なイオン種としてＣ（炭素）をイオン注入すると共に、このＣを注入する領域にＣに対して所定の濃度比でＢをイオン注入し、その後、熱処理によってＢの拡散を抑制しつつ活性化して、高濃度のディープベース層３０を形成する。例文帳に追加

C(carbon) ions are implanted, as inert ion species, into the surface layer part of an n- epi layer 2 and B ions are implanted into a region for implanting C ions at a specified concentration ratio to C ions and then it is activated by heat treatment while suppressing diffusion of B thus forming a heavily doped deep base layer 30. - 特許庁

この製造方法は、シリコンを主成分とするエミッタ１８の形成後に少なくともエミッタ１８の先端部に炭素イオン４０を注入するイオン注入工程を備えている。例文帳に追加

The manufacturing method is provided with an ion implantation process for implanting carbon ions 40 at least to a tip part of an emitter 18 after forming the emitter 18 mainly composed of silicon. - 特許庁

安定的に高効率で、１０ｍＡ以上の炭素イオン注入電流を実現することができるイオン注入方法、及びそれを利用した炭化シリコンの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an ion implantation method in which a carbon ion implantation current higher than 10 mA is achieved stably with high efficiency, and to provide a method of manufacturing silicon carbide utilizing the same method. - 特許庁

緩衝層２を通して炭素イオンＣ＋を注入することによりシリコン基板１内にシリコンと炭素の混在した炭素含有層３を形成する（Ｓ２）。例文帳に追加

A carbon-containing layer 3 in which silicon and carbon exist in a mixed state is formed in the silicon substrate 1 by implanting carbon ion C+ through the buffer layer 2 (S2). - 特許庁

Ｓｉ基板１に、フッ素（Ｆ）および炭素（Ｃ）のうち、少なくともいずれか一方をイオン注入して拡散抑止層２１を形成する。例文帳に追加

At least one of fluorine (F) and carbon (C) is subjected to ion implantation onto an Si substrate 1 to form a diffusion preventive layer 21. - 特許庁

ウォーム３２の歯部表面の硬質炭素系被膜をプラズマＣＶＤ法、プラズマイオン注入法等により形成する。例文帳に追加

The hard carbonic film at the surface of the tooth of the worm 32 is formed by a plasma CVD process and a plasma ion implanting process and the like. - 特許庁

Ｐｄ薄膜２２でなる表面を有する基体２０上に、所定のエネルギーを有した、炭素を含むイオンの注入を行い、基体２０内部に炭素を導入すると、基体２０が注入時のエネルギーにより加熱されると同時に、触媒金属と炭素の混合体が形成される。例文帳に追加

An ion containing carbon and having a specified energy is injected on the substrate 20 having a surface composed of a Pd thin film 22 to introduce the carbon into the inside of the substrate 20; thereby, the substrate 20 is heated by the energy in injection and a mixture of the catalyst metal and the carbon is formed. - 特許庁

イオン注入法を用いた硬質炭素膜の形成において、特に鋼の基材に対しても硬質炭素膜の付着性を確実に高められるようにする。例文帳に追加

To provide a sliding member having a hard carbon film which is formed so as to acquire a reliably enhanced adhesiveness to particularly a steel substrate, when the hard carbon film is formed by ion implantation, and to provide a manufacturing method therefor. - 特許庁