チャネリング法の英語

チャネリング効果を利用したイオン注入（チャネリング注入）でソース・ドレイン領域を形成するに際し、チャネリング注入時にマスクの一部となるゲート電極側壁膜を成膜し直すことなく形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To form a source-drain region by ion implantation (channeling injection) utilizing the channeling effect without forming a gate electrode sidewall film which becomes a part of a mask in the case of channeling injection when forming the source/drain region. - 特許庁

イオン注入時のチャネリングを防止することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device capable of preventing channeling when injecting ions. - 特許庁

チャネリングの発生と製造工程の増加とを防ぐことができる半導体装置及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device which can prevent both the generation of channeling and the increase in the number of manufacturing processes, and to provide its manufacturing method. - 特許庁

ソース・ドレイン形成時に生じやすいチャネリングを抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for fabricating semiconductor device capable of restraining channeling which is tend to occur while forming a source-drain. - 特許庁

ポリシリコン層を用いたゲート電極を有する電界効果トランジスタの製造方法において、イオン注入時のチャネリングイオンによるポリシリコンゲート電極の突き抜けを防止できる方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for preventing a polysilicon gate electrode from penetrating by a channeling ion on ion implantation, in a manufacturing method for a field-effect transistor having the gate electrode using a polysilicon layer. - 特許庁

チャネリング分布が面内で均一であり、均一にドーピングを行なうことができるイオン注入装置及びイオン注入方法を提供すること。例文帳に追加

To provide an ion implanting apparatus in which channeling distribution is uniform in a surface and uniform doping is enabled, and an ion implanting method. - 特許庁

不純物イオンの注入及び活性化の過程で生じる不純物のチャネリング及びゲート不純物の拡散現象を最小化するに適したデュアルゲートMOSトランジスタの製造方法を提供する。例文帳に追加

To minimize channeling of impurity and diffusion of a gate impurity which arise in the process for activation and implantation of impurity ion. - 特許庁