「チャネリング法」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

チャネリング分布が面内で均一であり、均一にドーピングを行なうことができるイオン注入装置及びイオン注入方法を提供すること。例文帳に追加

To provide an ion implanting apparatus in which channeling distribution is uniform in a surface and uniform doping is enabled, and an ion implanting method. - 特許庁

不純物イオンの注入及び活性化の過程で生じる不純物のチャネリング及びゲート不純物の拡散現象を最小化するに適したデュアルゲートMOSトランジスタの製造方法を提供する。例文帳に追加

To minimize channeling of impurity and diffusion of a gate impurity which arise in the process for activation and implantation of impurity ion. - 特許庁

ゲート電極の高抵抗化を防ぐとともに、Ｐｏｌｙ−Ｓｉからなるゲート電極を形成する場合と設計事項を変えることなく、不純物イオンのチャネリング現象を防止することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which prevents the high resistance of a gate electrode and can prevent the channeling phenomenon of impurity ion without changing the case and design matter for forming the gate electrode made of a poly-Si. - 特許庁

ソース領域／ドレイン領域を形成するためのイオン注入時のチャネリングを抑止し、低抵抗で浅い不純物拡散領域が形成され、短チャネル効果に対して有利な微細ＭＯＳトランジスタを有す半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing semiconductor device suppressing channeling in ion implantation for forming source region/drain region, forming low resitant and shallow impurity diffusion region, and having micro MOS transistor advantageous to short channel effect. - 特許庁

対象体に注入される不純物イオンが設定された深さ以上に注入されるチャネリング現象を防止するため、対象体の傾きと回転角が設定値の範囲にあるかどうかを検証し、これを通じて対象体が整列配置されるようにするイオン注入設備の対象体整列検証装置及びその方法を提供する。例文帳に追加

To provide an object body alignment inspection device of an ion implantation system for aligning and disposing an object body, by inspecting whether inclination and a rotation angle of an object body are in the range of a set value for preventing channeling phenomenon, wherein impurity ion to be implanted to an object body is implanted to a set depth or more, and its method. - 特許庁

半導体装置の製造方法に関し、Ｍｏ、Ａｌ、Ｗなど柱状結晶のメタルをゲート電極とするＭＯＳＦＥＴのソース領域及びドレイン領域をイオン注入で形成する際、極めて簡単な手段を採ることでイオンがチャネリングに依って深く打ち込まれることを防止できるようにする。例文帳に追加

To prevent in the method of manufacturing a semiconductor device that ions are deeply implanted due to channeling by employing a very simplified means on the occasion of forming, with the ion implantation, a source region and a drain region of a MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) where a gate electrode is formed of a columnar crystal metal such as Mo, Al, and W. - 特許庁