トラップ正孔の英語

転送ゲート直下のトラップに捕獲された正孔と電荷との再結合に起因する画質劣化を低減する固体撮像装置を提供する。例文帳に追加

To obtain a solid-state imaging device which reduces image deterioration resulting from recombination of positive holes and electron charges captured by a trap directly under a transfer gate. - 特許庁

表面層を有する像保持体において、光除電時の正孔のトラップに起因して発生する急速な電位の減衰を低減すること。例文帳に追加

To decrease drastic attenuation of a potential caused by a hole trap during photo-destaticization by a light in an image holder having a surface layer. - 特許庁

電子トラップを形成する第１不純物がドーピングされた第１酸化マグネシウム結晶と、正孔トラップを形成する第２不純物がドーピングされた第２酸化マグネシウム結晶とを同一層に含むプラズマディスプレイパネル用の保護膜である。例文帳に追加

The protective film for a plasma display panel includes in an identical layer: a first magnesium oxide crystal in which a first dopant which forms an electron trap is doped; and a second magnesium oxide crystal in which a second dopant which forms a positive hole trap is doped. - 特許庁

駆動用ＴＦＴ２１４のゲート絶縁膜に、前回の表示信号Ｄの書き込みにより、正孔がトラップされていたとすると、正孔はゲート絶縁膜からソースあるいはドレインに引き抜かれる。例文帳に追加

When a hole is trapped to a gate insulating film of the TFT 214 for drive by writing of a display signal D in the previous time, the hole is extracted from the gate insulating film to a source or a drain. - 特許庁

ここで、駆動用ＴＦＴ２１４のゲート絶縁膜に、前回の表示信号Ｄの書き込みにより正孔がトラップされていたとすると、正孔はゲート絶縁膜からソースあるいはドレインに引き抜かれる。例文帳に追加

If a positive hole is trapped to a gate insulating film of the TFT 214 for drive by writing of a display signal D in the previous time, the positive hole is extracted from the gate insulating film to a source or a drain. - 特許庁

よって、小数キャリア消滅層３１に達した正孔(少数キャリア)がトラップされ、小数キャリア消滅層３１において正孔密度Ｋ２が急激に減衰する。例文帳に追加

Consequently, holes (minority carriers), which reach the minority carrier elimination layer 31, are trapped to abruptly attenuate a hole density K2 in the minority carrier elimination layer 31. - 特許庁

ここで、駆動用ＴＦＴ２１４のゲート絶縁膜に、前回の表示信号Ｄの書き込みにより、正孔がトラップされていたとすると、正孔はゲート絶縁膜からソースあるいはドレインに引き抜かれる。例文帳に追加

When it is considered that a hole is trapped by writing of a display signal D in the previous time in a gate insulating film of the TFT 214 for drive here, the hole is extracted from the gate insulating film to a source or a drain. - 特許庁

基板１１と、基板１１上に順次積層された正孔注入用電極１２、正孔輸送層１３、電子輸送層１４および電子注入用電極１５を備え、発光層となる電子輸送層１４が正孔トラップを含む。例文帳に追加

The electroluminescence element has a substrate 11; a hole injection electrode 12; a hole transport layer 13, an electron transport layer 14; and an electron injection electrode 15, stacked in order on the substrate 11, and the electron transport layer 14 acting as a luminescent layer contains a hole trap. - 特許庁