トンネリング素子の英語

ゲートに正のバイアスを供給し、＋ＦＮトンネリングによって、多層トンネリング誘電体構造を介して電荷蓄積層に正孔を注入し、素子の閾値電圧を減少させる。例文帳に追加

A positive bias voltage is supplied to the gate to inject holes into the charge storage layer through the multi-layer tunneling dielectric structure by +FN tunneling so that the threshold voltage of the device is decreased. - 特許庁

トンネリング磁気抵抗効果素子において、安定して高い磁気抵抗効果を実現させ、高ＭＲ比の素子を製造する方法を提供する。例文帳に追加

To stably realize a high magneto-resistance effect and to provide a method for manufacturing an element of high MR ratio in a tunneling magneto-resistance effect element. - 特許庁

トンネリング磁気抵抗効果素子において、安定して高い磁気抵抗効果を実現させ、高ＭＲ比の素子を製造する方法を提供する。例文帳に追加

To realize a stable and high magneto-resistance effect and to provide a method for manufacturing an element of high MR ratio in a tunneling magneto-resistance effect element. - 特許庁

そこで、本発明は、光と相互作用することで許容されるトンネリングを利用することにより、効率的に光と相互作用する素子を提供するものである。例文帳に追加

Tunneling 101 permitted by interacting with light is utilized whereby the elements interact with light efficiently. - 特許庁

チャンネルホット電子注入を利用して素子を選択的にプログラムし、ファウラー・ノルドハイム・トンネリング及びホットホールの注入によって素子をイレースする動作方法である。例文帳に追加

The method of operating the flash memory device is one that devices are selectively programmed by using a channel hot electron injection and devices are erased by Fowler-Nordheim tunneling and hot hole injection. - 特許庁

基板と、前記基板上に配置されるトンネリング層と、前記トンネリング層上に順次配置される化学量論的シリコン窒化膜及びシリコンリッチシリコン窒化膜からなる電荷トラップ層と、前記電荷トラップ層上に配置されて電荷の移動を遮断する遮蔽層と、前記遮蔽層上に配置されるコントロールゲート電極とを備えて不揮発性メモリ素子を構成する。例文帳に追加

This nonvolatile memory device is configured to comprise a substrate, a tunneling layer arranged on the substrate, a charge trap layer that consists of a stoichiometric silicon nitride film and a silicon rich silicon nitride film that are arranged one by one on the tunneling layer, a shielding layer that is arranged on the charge trap layer and intercepts charge transfer and a control gate electrode arranged on the shielding layer. - 特許庁

上記構成の不揮発性半導体記憶素子において、制御ゲート１７への正の高電圧印加によりＭＯＳトランジスタ１３においてＦＮトンネリングで書き込み動作を行い、制御ゲートへの負の高電圧印加によりＭＯＳトランジスタ１３においてＦＮトンネリングで消去動作を行う。例文帳に追加

In the nonvolatile semiconductor memory element of this structure by applying positive high voltage to a control gate 17, a writing operation is conducted in the MOS transistor 13 by FN tunneling; and by applying negative high voltage to the control gate 17, an erasing operation is conducted in the MOS transistor 13 by FN tunneling. - 特許庁

磁気トンネリング接合素子およびその製造方法、これを用いた磁気ヘッド、磁気センサ、磁気メモリならびに磁気記録再生装置、磁気センサ装置、磁気メモリ装置例文帳に追加

MAGNETIC TUNNELING JUNCTION ELEMENT AND ITS MANUFACTURE, MAGNETIC HEAD, MAGNETIC SENSOR, MAGNETIC MEMORY MAGNETIC RECORDING/REPRODUCING APPARATUS, MAGNETIC SENSOR AND MAGNETIC MEMORY USING THE ELEMENT - 特許庁