トンネル消去の英語

また、データ書き込み・消去用の容量部ＣＷＥにおけるデータの書き換えはチャネル全面のＦＮトンネル電流により行う。例文帳に追加

In addition, data in the capacitor part CWE for writing and erasing data are rewritten by FN tunnel current on the entire surface of channels. - 特許庁

ＦＮトンネルにより消去時の消費電流を低減できるため、メモリモジュールの電源回路面積を低減できる。例文帳に追加

Since the power consumption at erasing is reduced by the FN tunnel, a power source circuit area of a memory module can be reduced. - 特許庁

不揮発性メモリセルのデータ書き込みおよび消去用の素子において、チャネル全面のＦＮトンネル電流によりデータを書き換える。例文帳に追加

To provide a technique for rewriting data by an FN tunnel current of the entire surface of a channel, in an element for writing and erasing data of a nonvolatile memory cell. - 特許庁

書き込み・消去に対する耐性の高いトンネル絶縁膜を有する浮遊ゲート型トランジスタを容易に作製可能にする。例文帳に追加

To allow easily manufacturing of a floating gate type transistor having a tunnel insulating film which is highly resistant to writing and deleting. - 特許庁

また、消去スピードを向上させるためにソース−コントロールゲート間の電位差Ｖｓｆを高電圧にする必要がないため、消去動作開始時にトンネル膜１４にかかる電界強度を低減でき、トンネル膜１４にダメージが入ることを防止できる。例文帳に追加

For increasing the erasing speed, it is unnecessary that the potential difference Vsf between the source and a control gate is made high voltage, so that intensity of an electric field applied on a tunnel film 14 can be reduced when erasing operation is started, and damage to the tunnel film 14 can be prevented. - 特許庁

さらに、消去動作中にソース拡散層１２で発生するホットホールがトンネル膜１４に注入されることによってトンネル膜の信頼性を劣化させることもない。例文帳に追加

Further, it is excluded that hot holes which are generated in a source diffusion layer 12 during erasing operation are injected in the tunnel film 14 and reliability of the tunnel film is deteriorated. - 特許庁

プログラムあるいは消去において、ＦＮトンネル方式により、第２ゲート電極ＣＧから電荷トラップ膜２２へトンネル絶縁膜２３を通して電子が注入される例文帳に追加

In one of programming and erasing, electrons are injected into the charge trapping film 22 from the second gate electrode CG through the tunnel insulating film 23 by FN (Fowler-Nordheim) tunneling method. - 特許庁

また、２つのフローティングゲート電極５に対して、それぞれ消去用トンネル絶縁膜１０を挟んで１つの消去ゲート電極１１が形成されている。例文帳に追加

One erasing gate electrode 11 is formed to two floating gate electrodes 5, interposing the respective tunnel insulating films 10 for erasing. - 特許庁